- 世界经济萧条和半导体价格下跌让全球半导体市场阴云密布。世界半导体企业自去年起在亏损状态下进行了一轮意在“置对手于死地”的攻击性投资。有分析认为，世界排名第5的德国DRAM厂商奇梦达等部分企业最近面临严重危机，随着产业结构进入重新洗牌阶段，半导体价格已跌至谷底。
半导体产业的危机已达到顶点
最近，半导体行业面临着前所未有的危机。尤其
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半导体 NAND DRAM 奇梦达
- 根据美国半导体产业协会（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新统计数据，12寸晶圆首度超越8寸晶圆，在全球晶圆制造产能（wafermanufacturingcapacity）以及实际加工晶圆（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分别占总产能的44%以及总加工硅晶圆的47%.
此外SIA并指出，整体晶圆产能利用率仍在89%的高水平，其中先进制程的利用率甚至超过95%.SIA总裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求约八成的
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半导体 12寸 8寸 晶圆 NAND
- 英特尔NAND产品事业部日前发布了高性能固态驱动器（SSD）的产品线规划和发布时间表。固态驱动器适用于移动与台式机客户端、企业级服务器、存储设备和工作站。这一系列产品称作英特尔高性能SATA固态驱动器产品线，是基于固态闪存的数据存储设备，用于存储计算机中的数据，可模拟并替代某些计算机中的硬盘驱动器。
与传统的硬盘驱动器（HDD）和目前市场上的固态驱动器相比，英特尔的全新固态驱动器具有更重要的优势，包括更快速的整体系统响应能力和计算机开/关启动时间，卓越的耐用性和可靠性，更长的电池寿命和更低的企业
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英特尔 固态驱动器 SSD NAND
- 据国外媒体报道，全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix周四表示，其在韩国建成的新NAND快闪记忆体制造工厂正式投产。
据国外媒体报道，Hynix表示，该新厂位于清州，月产量可达到30万件，并有望于在数月后提高到50万件。
Hynix在清州还建有另外两个芯片制造厂，目前正在运作当中。
Hynix的首席执行官Kim Jong-gap表示，公司计划加强产品在价格方面的竞争力，并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。
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NAND Hynix 快闪记忆体
- 固态硬盘(SSD)借低价电脑热潮迅速兴起，英特尔、三星等国际大厂结合NAND闪存芯片制造和技术优势走在前列，台系阵营为了急起直追，由当地工业情报机构工研院、测试厂百佳泰和台厂合力发起的“SSD联盟”(SSD Alliance)合作建立了一套测试认证平台，希望藉此机会把SSD硬件测试平台建立起来，为台湾厂商台厂抢占固态硬盘市场先机。
工研院电光所詹益仁表示，英特尔将推出容量高达80GB的SSD产品，2009年还将推出100GB产品，其他包括三星电子、东芝等厂商也都在积极介入
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固态硬盘 NAND 闪存芯片 SSD
- 英特尔NAND产品事业部今天发布了高性能固态驱动器(SSD)的产品线规划和发布时间表。固态驱动器适用于移动与台式机客户端、企业级服务器、存储设备和工作站。这一系列产品称作英特尔高性能SATA固态驱动器产品线，是基于固态闪存的数据存储设备，用于存储计算机中的数据，可模拟并替代某些计算机中的硬盘驱动器。
与传统的硬盘驱动器(HDD)和目前市场上的固态驱动器相比，英特尔的全新固态驱动器具有更重要的优势，包括更快速的整体系统响应能力和计算机开/关启动时间，卓越的耐用性和可靠性，更长的电池寿命和更低的企业
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英特尔 NAND 固态 驱动器 SSD HDD
- 来自闪存制造业界的消息称，预计在八月份晚期，当前闪存芯片市场上的主流产品——8GB和16GB NAND闪存芯片的合同价格将双双下滑10%.
NAND闪存芯片多用于当前的消费类产品上，包括苹果的iPhone手机、iPod音乐播放器以及数码相机等产品上。尽管每年第三季度为消费类产品的传统销售旺季，但今年却无法止住NAND闪存芯片价格下滑步伐。
三星电子以及SanDisk都对未来的NAND闪存市场持悲观态度，由于NAND闪存价格一路下滑，从而引发他们失去对该市场信心。与此
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闪存 NAND 芯片 三星
- 利用50-40nm的工艺制程节点，NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元（MLC）技术。尽管位元密度强劲增长，但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长，公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能，使其比特更高和性能更快，以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降，高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。
2008年国际固态电路会议的论文和2007
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NAND 栅极感应 DDR MLC MLC
- 新华网首尔8月20日电 韩国三星电子公司19日宣布，公司上半年闪存产品销量位列全球第一。
三星公司援引市场研究公司iSuppli日前发表的一份报告称，今年1至6月份，三星闪存产品销售额达75.1亿美元，占全球闪存市场的30%。
韩国海力士半导体公司位列第二，全球市场份额为13%，美国米克伦技术公司和日本的尔必达内存公司分列第三、第四位，市场份额分别为8%和7%。
三星的成功主要源自NAND闪存产品的畅销，第二季度该类产品销售额达14.2亿美元，占当季全球NAND闪存销售的42.3%，
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三星 闪存 NAND DRAM
- 新华网首尔8月20日电 韩国三星电子公司19日宣布，公司上半年闪存产品销量位列全球第一。
三星公司援引市场研究公司iSuppli日前发表的一份报告称，今年1至6月份，三星闪存产品销售额达75.1亿美元，占全球闪存市场的30%。
韩国海力士半导体公司位列第二，全球市场份额为13%，美国米克伦技术公司和日本的尔必达内存公司分列第三、第四位，市场份额分别为8%和7%。
三星的成功主要源自NAND闪存产品的畅销，第二季度该类产品销售额达14.2亿美元，占当季全球NAND闪存销售的42.3%，
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三星 半导体 DRAM NAND
- 东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块，这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机，样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。随着带有控制器功能的存储器需求不断扩大，东芝已经采取行动使其在这个不断扩大的市场上占领领先地位，东芝还加入更大容量的模块以巩固公司的地位。
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东芝 NAND 闪存 嵌入式
- TDK 公司日前宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售。
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元 （SLC） 和多级单元（MLC） NAND 闪存，实现了从128M字节到1 G字节（SLC） 和256M字节到32G字节（MLC）的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128 针TQPF 封装方式和121 针VF
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TDK NAND 闪存 控制器 LSI
- 据国外媒体报道，近日，全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix表示，已与意法半导体(STMicroelectronics NV)和英特尔的合资公司Numonyx BV签署了一项为期五年的协议，拓展其在快速增长的NAND闪存领域的共同开发项目。
据国外媒体报道，根据协议内容，两家公司将合作扩大NAND产品线，推出新产品和实现技术创新，从而应对未来五年NAND技术所面临的挑战。
根据协议内容，Hynix和Numonyx将共同开发技术项目，联合提供领先的NAND存储技术和产品，并进行资源整合以促
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NAND 闪存 Hynix 意法半导体 Numonyx
- 对于选择微控制器进行设计的系统设计师来说，可获得的大量的不同型号的MCU会让选型工作变得复杂。SiliconLabs已经发布了工作电压低至0.9V的一款8位MCU，德州仪器有许多款针对16位MSP430的低功耗应用，英飞凌和飞思卡尔有针对汽车应用的多款MCU方案，而Atmel的AVR单片机和Microchip的PIC系列单片机一直在推陈出新，新的32位ARM核Cortex-M3处理器已经发布，古老的8位8051核还是在不同微控制器中占领主流地位，而市场老大瑞萨可以针对多种应用领域提供方案。
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微控制器 MCU 低功耗 SoC flash
- 前言
DSP系统的引导装载是指在系统加电时，由DSP将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部高速存储器单元并执行的过程。这种方式即可利用外部存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源，又能充分发挥DSP内部资源的高速效能。因此，引导装载系统的性能直接关系到整个DSP系统的可靠性和处理速度，是DSP系统设计中必不可少的重要环节。在装载系统中，外部非易失性存储器和DSP的性能尤为重要。FLASH是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统EPROM要低。为此，本文介绍了T
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DSP 存储 接口 FLASH
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