- 全球非易失性存储领先厂商恒忆(Numonyx)宣布任命龚翊(Grace Gong)为恒忆亚洲区嵌入式业务部副总裁。在加入恒忆前龚翊任飞索半导体(Spansion)嵌入式事业部亚洲区副总裁，龚翊的加入将为恒忆带来更多针对亚洲嵌入式市场的经验。作为副总裁，她将负责恒忆亚洲区嵌入式产品的销售与业务管理，带领团队为亚洲客户和合作伙伴提供更完善的服务与支持。
“亚洲在全球嵌入式产品市场具有重要的战略地位，恒忆致力于提供相关产品与技术支持，以满足嵌入式市场的需求”，恒忆全球嵌入式业务
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Numonyx 嵌入式 NOR NAND PCM
- 据国外媒体报道，三星电子周三宣布，以更低的许可价格，与美国芯片生产商SanDisk续签了7年的NAND闪存技术许可协议，不过协议规定三星必须向SanDisk供应芯片。
三星在提交给韩国证交所的文件中称，由于协议是2家公司内部签署的，无法透露所有信息，但可以透露的是，许可费将是当前协议的1半左右。SanDisk公司董事长和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，对于今天宣布的协议我们感到非常满意，此外，继续获得三星闪存芯片可使我们在控制资本支出上拥有更大的灵活性。
新协
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三星 NAND 闪存
- 近期刚宣布将在2010年制成64Gbit非易失电阻式RAM的美国Unity Semiconductor公司计划找一家IDM合作建厂来制造该产品。
Intel和Micron的NAND闪存合资公司——IM Flash是潜在合作伙伴之一，尽管Unity更倾向于将工厂建在亚洲，因为该存储产品需用到钙钛矿。
据悉，建该工厂和一座先进逻辑晶圆厂相比要便宜一些。IM Flash显然是一家理想的合作伙伴。Unity公司总裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度过了
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Intel NAND 晶圆
- NAND Flash经历2个月价格狂飙后，近期市场买气一夕转淡，记忆体模组厂纷因库存急增，开始出现惊慌失措。模组厂表示，3、4月NAND Flash涨价时，通路商一度担心会缺货，因而囤积不少库存，然5月NAND Flash市场却出乎意外地很快冷却下来，由于消费者需求不振，导致中间通路商手上库存整个塞住，并造成16Gb产品现货价跌破4美元心理关卡，合约价涨势亦熄火，模组厂5月同时面临NAND Flash和DRAM需求不振，恐将反应在营收表现上。
模组厂表示，2009年第1季NAND Flash市场
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苹果 DRAM NAND
- 美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
NAND型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，NAND型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在
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存储器 NAND 闪存
- 全球最大的存储芯片制造商--韩国三星电子公司11日预计，由于全球经济形势恶化，2009年对于芯片商而言是艰难的一年。
据道琼斯新闻网报道，三星电子公司半导体业务总裁权五铉当天对投资者说，很难预测全球芯片市场何时回暖。他说，随着企业压缩信息技术产品开支以及消费者收紧“腰包”，今年以来全球个人电脑和手机市场需求正在持续萎缩。
不过，他指出，今年三星公司的存储芯片出货量仍将继续增加，预计今年该公司DRAM芯片的出货量最高将增加15%，NAND闪存芯片出货量最高将增加30%
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三星 NAND 存储芯片
- 功耗敏感应用的设计人员如今面对前所未有严格的系统总体功耗限制、规范和标准。与此同时，这类应用所要求的功...
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FPGA 低功耗 Flash
- 恒忆半导体(Numonyx)、群联电子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDEC eMMC™ 4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。 预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个系统级性能。
根据这项协议，恒忆、群联电子和海力士将利用各自的技术，开发能够支持各种NAND闪存
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Numonyx NAND 闪存控制器
- 《华尔街日报》撰文称，从上周末三星和海力士发布的财报可以看出，内存芯片行业似乎已经触底，这对整个半导体行业来说是一个积极的信号。
虽然内存芯片行业收入只占全球半导体行业2600亿美元总收入的14%，但作为使用广泛的芯片，其地位类似芯片行业中的日用商品，很难与其他芯片部门区分开来，因此是芯片行业整体表现的主要指标。内存行业下滑开始于2007年初，随后芯片行业在2008年就开始了全面衰退。
上周五，两家全球最大的内存芯片商三星电子和海力士都在发布第一季度报告时称，与芯片有关的亏损低于上年同期。
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海力士 NAND 内存
- 在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。 继
在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
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NAND 存储芯片
- TDK公司日前宣布开发出兼容串行ATA (SATA) II的NAND闪存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并计划于五月份开始销售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率达95MB/S的高速访问。该产品支持2KB/页和4KB/页结构的SLC(单层单元)内存以及MLC(多层单元)NAND闪存，可用于制造容量为128MB至64GB的高速SATA存储。因而，GBDriver RS2可广泛用于各种应用领域，从SATADOM1及其他的嵌入式存储器，到视听设
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TDK NAND
- 在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商不会在近期真正恢复需求与获利能力。
继第一季度全球DRAM与NAND闪存营业收入比去年第四季度下降14.3%之后，这些产品市场将在今年剩余时间内增长。第二季度DRAM与NAND闪存营业收入合计将增长3.6%，第三和第四季度分别增长21.9%和17.5%。
图4所示为iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 瑞萨科技公司（以下简称“瑞萨”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存储器微控制器（Flash微控制器）。这个系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成员，它为AC伺服、FA（工厂自动化）设备、楼宇自动化（空调和电力监控设备）和各种通信设备等工业应用实现了200 MHz操作和大量内置式外设及通信功能。SH7216系列包含12个产品群的36款器件，其片上存储器容量和封装类型各有不同。
这些产品的主要特性如下：
(1) 达到
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瑞萨 RISC 32MCU Flash SuperH
- 针对NAND闪存产业，研究机构集邦科技最新研究报告指出，三星可望稳居今年全球市占率龙头宝座，而海力士则因大幅减产，市场占有率恐将下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析指出，三星因拥有较大产能，同时制程持续转往42纳米及3x纳米，预期今年市占率 40%以上居冠，日本东芝与美商SanDisk联盟的产能利用率略降，但制程技术也将转往 43纳米及32纳米，预期东芝今年的市场占有率约在30%以上居次。
集邦科技表示，市场占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圆
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