- 6月24日消息,三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前途光明的下一代记忆体科技--相变化记忆体技术。
三星电子和Numonyx表示，双方将合作开发PCM的通用规范，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM去年合资组建了Numonyx.。三星电子和Numonyx称，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND快闪记忆体。
三星电子和Numonyx还表示，双方的通用规范将于今年完成，预计明年将推出兼容设备。
- 关键字：
三星 NAND NOR PCM 相变化记忆体
相变化记忆体介绍
相变化记忆体名称有很多种，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，英特尔、IBM 、意法和三星最先开发PCM，而三星宣布已开始量产512MbPRAM。PRAM是一种非易失性存储技术,用的材料为硫系玻璃，基于硫族材料的电致相变。 全球的相变化记忆体分为3大阵营，包括恒忆(NumONyx)／英特尔(Intel)、三星电子(Samsun [
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