- 华邦总经理詹东义表示，NOR Flash市场供不应求的情况仍然严重，估计市场缺口约20%，第3季的NOR Flash价格仍会持续调涨，甚至对于第4季营运都相当乐观，尤其是华邦在客户策略上，逐渐集中在一线客户之后，受到全球景气波动的影响相对较小。
华邦表示，若扣除重覆下单(Double Booking)，目前NOR Flash市场缺口约20%，华邦的优势在于质量、成本和交期稳定。目前对于NOR Flash产能的规划，仍由目前的7,000片提升至年底1万片水平，但预计这样的产能水平仍无法满足客户需求
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华邦 NOR Flash
- 摘要：设计了一种能使FPGA的主状态机直接管理Flash的控制器，该控制器具有自己的指令集和中断管理方式。...
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FPGA Flash K9F4G08
- 本文对VxWorks下TFFS文件系统的层次结构和FTL层的启动过程、块映射算法、垃圾回收算法以及用FTL创建DOSFS进行了分析，给出了在M25P32 SPI Flash上创建TFFS文件系统和将TFFS挂在DOSFS的实现方法。通过对TFFS核心层FIL的分析给出的TFFS实现方法，可以从更基础的层面来认识VxWorks中的TFFS文件系统，从而给TFFS文件系统的问题定位和实现带来新的方法。
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M25P32 Flash TFFS SPI
- 6月10日消息，据路透社报道，全球最大的记忆体芯片生产商韩国三星电子周四表示，计划投资36亿美元，扩大其在美国的芯片生产能力。
三星电子的海外唯一一家芯片厂就设在美国得克萨斯州的奥斯汀，此次产能扩增主要是针对生产大型积体电路(LSI)芯片的设备。
奥斯汀工厂主要生产用于手机和数码相机的NAND型闪存芯片。三星电子在声明中称，工厂扩产计划还包括增聘500名员工。
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三星电子 NAND
- 至此，对于今年全球电子工业的看法是乐观的，而且是有相当大的增长。
但是作为一个编辑者仍有些担忧，以下是对于2010年有10个理由来看好或者是看衰半导体业。
1. IC热，然后冷
Gartner分析师Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半导体销售额达2900亿美元， 与2009年销售额2280亿美元相比增长27.1%。与Gartner之前在第一季度的预测，2010年增长19.9%相比有明显提高。
芯片销售额的增长明显超过系统产品销售额的增
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半导体 DRAM NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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DRAM NAND 半导体制造
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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文件系统 Flash JFFS2 平均读写
- 6月3日消息，据台湾媒体报道，全球DRAM模组龙头美国金士顿创办人孙大卫昨天在台表示，DRAM厂的制程转换技术门槛不低，再加上智能手机等新的应用产品，带动DRAM需求，他认为下半年的DRAM市况应该会好。
孙大卫表示，DRAM制造厂越来越少，各大厂多进入制程转换的阶段，总产出量恐比实际预期要低。而在智能手机、3D电视等多元化的新应用产品纷纷出线下，下半年的DRAM供需不仅趋于平衡，甚至可能出现供不应求的情况。
南韩三星电子大举提高资本支出的计划，让台系厂商非常紧张。孙大卫则认为，目前全球的
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DRAM NAND 智能手机
- NAND闪存的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 适应 NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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Hynix 存储器 DRAM NAND
- 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因南北韩政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来南北韩关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星
根据DIGITIMES
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三星电子 DRAM NAND
- 三星在DRAM及NAND中称霸，年产值达200亿美元。然而近期的几件事让人联想泛泛，三星拟再夺全球代工的宝座。
南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)日前提高资本支出，其中在系统LSI(System LSI)部门，资本支出亦增加逾50%，达2兆韩元(约18亿美元)，以满足手机等系统单芯片(SoC)需求，显示三星有意加强晶圆代工业务。业界对此解读，三星主要系着眼于最大客户高通(Qualcomm)手机芯片订单，未来是否会扩大分食高通在台积电订单，高通订单版图移转变化有待观察
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三星 DRAM NAND
- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能，引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示，原先预期三星明年下半年启动扩产，其进度比预期快得多，惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发，今年将切入50、42纳米制程，技术超越台系厂商;对照先前65纳米，生产成本优势将提升约40%至50%，台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能，由于比原先预期将在明年下半年启动快的多，也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛，但也突显三星对DRAM后续产业前景，有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- 据市场研究公司iSuppli发表的按美元统计的第一季度全球NAND闪存市场的销售收入数字显示，三星和东芝主宰了NAND闪存市场，仅给其它所有的公司留下了较少的市场份额。三星今年第一季度的市场份额是38.5%，紧随其后的东芝的市场份额是33.8%。其它每一个厂商争夺的市场份额只有27.7%。
按美元统计，今年第一季度全球NAND闪存市场的销售收入是43.6亿美元，比 2009年第四季度的43.3亿美元增长了0.6%。因此，你可以计算出供应商的实际销售收入。iSuppli称，这是一个好消息，因为历史
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Numonyx NAND 闪存
- 继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND闪存芯片，这种新制程的芯片产品容量将比34nm制程产品提升一倍。
这次采用25nm制程技术制作的NAND闪存芯片产品主要是8GB容量的芯片产品，这种8GB芯片的面积仅为167平方毫米，其容量可容纳2000首歌曲，7000张照片或8小时时长的视频片段。
目前还不清楚首款配置这
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Intel 25nm NAND
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