近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
电路的能功要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及
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MOSFET VP-P 电压
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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MOSFET 高频特性 放大器电路 工作原理
有刷直流电机通过电刷进行换向。以下是关于有刷直流电机的一些关键点：典型的转子(也就是电枢)上有绕组，并且在其末端连有换向器电刷与换向部分连接和断开，从而将能量传递到电枢永磁直流电机的定子(或外部机筒)将有
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MOSFET 光学编码器 PWM 有刷直流电机驱动器
看到这个主题，可能有些工程师会问：多少伏的功率MOSFET，耐压BVDSS不就是多少伏吗?这里面还有什么被忽略的内容?细节决定技术，今天研究功率MOSFET数据表中BVDSS所隐藏的一些有意思的细节，来理解这个参数所设定的含义。
数据表中漏源击穿电压BVDSS通常定义为漏电流为250uA时漏极到源极的电压，漏极到源极的漏电流表示为IDSS。数据表中标称BVDSS电压是在栅极和源极S短路、25℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题
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MOSFET BVDSS
Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能，是高性能应用的理想之选。一流性能之外，该系列还提供了广泛的封装选择，赋予了产品设计者更大的灵活性，特别是对于尺寸受限的设计。
Fair
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Fairchild MOSFET
英飞凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术，兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用，可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑，这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。
800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品，这相当于将
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英飞凌 MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。
电视和PC等设备常用的开放式电源表面很容易聚集尘土和粉尘，导致功率晶体管引脚之间产生高压电弧放电现象，TO-220FP宽爬电间距封装是这类应用功率晶体管的理想选择。在使用2.54mm引脚间隔的常规封装时，需要铸封、引线成形、套管或密封等特殊工
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意法半导体 MOSFET
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体**的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路**一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里
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IGBT MOSFET
一般来讲，寻求更大生活空间的居民会放弃在市区附近生活。尽管住在市区上班方便，并能享受城市服务，但他们更愿意搬到郊区，因为那里房子更大，院子更宽敞。同样，当工程师需要大电流用于负载点(POL)设计时，他们一般会放弃高密度转换器(带集成MOSFET)的便利，取而代之使用一个更复杂的涉及控制器(带外部MOSFET)解决方案。控制器，与郊区环境相类似，具有相对的灵活性和经济性，但会占据更多不动产，更多的电路板空间。
直到最近，电流超过10-15A的应用一般会依赖带外部MOSF
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MOSFET 封装
下面对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开
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MOS管 MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)在混动汽车和电动汽车(EV，Electric Vehicles)市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。
电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。意法半导体最新的碳化硅(SiC)技术让车企能够研制续航里程更长、充电速度更快的电动和混动汽车，使其更好地融入车主的生活。作为碳化硅技术的领导者，针对汽车所有主要电气模块，意法半导体率先推
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意法半导体 MOSFET
英飞凌科技股份公司为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的
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英飞凌 SiC-MOSFET
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。但高压下的快速开关会产生AC/DC电源和逆变器方面的挑战。从平面向超级结MOSFET过渡的设计工程师常常为了照顾电磁干扰(EMI)、尖峰电压及噪声考虑而牺牲开关速度。本应用指南将比较两种平台的特征，以便充分理解和使用超级结技术的优点。
为了理解两种技术的差异，我
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MOSFET 超级结结构
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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