横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。 全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件，数据使用量连续快速增长，运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高，人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多
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意法半导体 MOSFET
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。 MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱
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MOSFET 三极管
本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
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IGBT MOSFET
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1) Drain->Source穿通击穿: 这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk
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MOS管 MOSFET
为了降低能源成本，设备设计人员正在不断寻找优化功率密度的新方法。通常情况下，电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸。由于具有诸多优势如宽输出调节范围、窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都能保证零电压开关，LLC 谐振转换器应用越来越普遍。但是，功率 MOSFET 出现故障一直是LLC 谐振转换器中存在的一个问题。在本文中，我们将阐述如何避免这些情况下出现MOSFET 故障。
初级 MOSFET 的不良体二极管性能可能导致一些意想不到的系统或器件故障，如在各种异常条件下发生严重的直通
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谐振转换器 MOSFET
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全自保护的MOSFET功率器件来完成。 图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓扑结构。这些器件常见的其他特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高端配置包括片上电荷泵功能。但是，大多数器件都具备三个电路模块，即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制，为器件提供大部分的保护。 &n
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MOSFET 功率器件
功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器件的另一种应用方式，即有隔离变压器存在的互补驱动电路，进行简要分析。 有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比较常见的驱动电路形式，在目前的家电产品设计中应用较多，其典型电路结构如图1(a)所示。在图1(a)所给出的电路结构中，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
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MOSFET 驱动电路
功率器件MOSFET是目前应用频率最高的电子元件之一，也是很多电子工程师在入门学习时的重点方向。如果设计得当，MOSFET驱动电路可以帮助工程师快速、高效、节能的完成电路系统的驱动设计，本文在这里将会分享一种比较常见的MOSFET驱动电路设计方案，该方案尤其适用于小功率电路系统的采用。 下图中，图1(a)所展示的是一种目前业内比较常用的小功率MOSFET驱动电路，这一电路系统的特点是简单可靠，且设计成本比较低，尤其适用于不要求隔离的小功率开关设备。图1(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防
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MOSFET 驱动电路
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C，非常适合在高温环境下工作。DMTH4004SPSQ旨在满足水泵和燃油泵等超过750W的高功率无刷直流电机应用的要求;DMTH4005SPSQ则适用于低功率无刷直流应用，包括备用泵和暖通空调系统。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ为满足三相无刷直流电机控制应用的严格要求，
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Diodes MOSFET
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。 二、开关管MOSFET的功耗分析
MOSFET的损耗主要有以下部分组成：1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动
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MOSFET EMI
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N
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MOSFET 驱动电路
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。
图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。
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MOSFET
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数，并且检查它们对于总体器件性能的相关性(或者与器件性能没什么关系)。
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语，不过设计人员在根据这些参数比较不同
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MOSFET 二极管
在《估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。
图 1 将散热容加到&nb
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MOSFET 电路板
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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