- 摘要：本文针对传统驱动电源电能损耗大、效率和智能化程度低的缺点，设计了一款适用于大功率LED路灯的高性能可智能控制型驱动电源。本文选择了多级驱动方案，即功率因数校正(PFC)电路、LLC谐振控制电路和多路恒流输出的三级式结构。本文采用合理的设计，优化了功率校正因数，增大了输入电压范围，提高了整机效率，使输出电流在全负载范围内更加稳定，同时增加了PWM调光控制功能，可根据外界环境的变化智能控制LED路灯的亮度，从而达到进一步节能减排的效果。
引言
由于具有高光效、长寿命、灯具效率高、环保和易
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LED 驱动电源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
- 意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON
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意法半导体 SCT20N120 MOSFET
- 要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。如何解决能效和可靠性这些难题，PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计的心得。
一、不要使用双极型功率器件
DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度
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LED MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器，以及对其尺寸丶重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的导通电阻來减低功耗。此外，其双N通
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Diodes MOSFET
- 我曾经遇到过节假日有客人上门，必须跑到商店，在关门前挑选几件物品的情况。我当时就意识到“跑”这个单词会有多少种意思呢。我听说单单作为动词，他就有645个意思，并且还在不断增加!表面上看起来很简单的事情实际上会很复杂。想一想，功率MOSFET只有三个引脚(栅极、源极、漏极)。长假过后，当回到办公室开始设计全新的电源管理热插拔应用时，我想到看起来简单的功率MOSFET会有多么复杂，还有就是在为热插拔应用和功率转换分别选择一款MOSFET时会有什么不同。
热插拔电路使用一个功率
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MOSFET 热插拔控制器
- 日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.co
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德州仪器 MOSFET CSD16570Q5B
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封装) 可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。
新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流
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Diodes 驱动器 MOSFET
- 领先的高性能集成电路和系统解决方案提供商Exar公司，即日宣布发布一款6V至40V的工作电压范围，四路输出可编程通用PMIC-XR77129。其专利性的控制架构，采用17-bit宽PID电压型输入前馈方式，非常适合40V输入电压范围。该控制器提供单输入电压，四路输出电压轨，降压式控制器内部集成MOSFET门极驱动和双LDO输出该产品还可以通过I2C总线实时监测电源状态，动态控制输出电压参数。五个可配置GPIO可以用于状态指示和时序控制，以加速电源系统设计。
XRP77129使用Exar设计工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限，难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通电阻，以降低开关损耗和导通损耗。这些快速开关器件容易触发开关瞬态过冲。这对SMPS设计中电路板布局带来了困难，并且容易引起了栅极信号振荡。为了克服开关瞬态过冲，设计人员通常采取的做法是借助缓冲电路提高栅极电阻阻值，以减慢器件开关速度，抑制过冲，但这会造成相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件，总是存在效率与易用性的
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寄生电感 MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76%的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注：
·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。
·[2]Qoss：输出电荷。
主要特性
&m
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东芝 MOSFET 低导通电阻
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。
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国际整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圆代工产能卡位战提前启动，法人指出，联电8寸厂能已被指纹辨识芯片、LCD驱动IC，以及电源管理IC客户抢购一空，明年将成为8寸晶圆代工大赢家。
过往8寸晶圆厂主要生产LCD驱动IC、电源管理芯片等产品，随著苹果新机导入指纹辨识芯片，非苹阵营明年全面跟进，相关芯片厂也开始卡位8寸晶圆产能，造就市场荣景。
此外，原以6寸生产金属化合物半导体场效晶体管(MOSFET)也为了提升竞争力，相继转入8寸厂生产，让8寸晶圆厂产能更为吃紧。
包括指纹辨识芯片、LCD驱动IC及电源管理芯片三大半
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联电 MOSFET LCD
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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