在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 电源设计小贴士
分立器件可以帮助您节约成本。价值大约 0.04 美元的分立器件可以将驱动器 IC 成本降低 10 倍。分立驱动器可提供超过2A 的电流并且可以使您从控制 IC 中获得电力。此外，该器件还可去除控制 IC 中的高开关电流，从而提高稳压和噪声性能。
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德州仪器 分立器件 MOSFET 电源设计小贴士
即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后，MOSFE
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安全工作区 MOSFET LTC4233 热插拔 热插拔控制器
在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
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热插拔 MOSFET 网络
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极曝露在
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意法半导体 MOSFET
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS&
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英飞凌 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出新系列小型封装高压智能功率器件(IPD)，这些产品用于空调、空气净化器和空气泵等各类风扇电机。该新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"两款产品，产品出货即日启动。 利用东芝最新的MOSFET技术，新系列IPD在新开发的小型表面贴装“SOP30”封装中实现高压和低功率损耗，该封装尺寸仅为20.0mm x 14.2mm。其封装空间仅约为东
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动，批量生产发货计划于3月中旬启动。 该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能，同时，其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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东芝 MOSFET
意法半导体最新的900V MDmesh™ K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管，是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产品。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速度更快，在需要宽输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性确保标准准谐振电
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意法半导体 MOSFET
高性能转换器设计中的同步整流对于低电压、高电流应用（比如服务器和电信电源）至关重要，这是因为过将肖特 基二极管整流替换为同步整流 MOSFET 能够显著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多关键参数甚至器件和印 制电路板的寄生元件都会直接影响同步整流的系统效率。同步整流 MOSFET 的主要要求为：同步整流中的功率损耗(1)导通损耗 二极管整流器的导通损耗占了电源总功耗的很大一部图1 75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相对比例
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功率 MOSFET
功率因数校正 (PFC) 是输入功率不低于75 W的AC-DC转换器的一项强制要求。在某些消费应用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下进行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用为控制线路频率而设计的无源元件实现校正目 的。但在高功率下，无源解决方案会变得相当“笨重”而昂 贵；使用高开关频率有源器件可减小所需无源元件的尺寸。 有源PFC的标准实现方式是输入整流器后跟升压转换 器。尽管新式拓扑正逐渐获得接受，但升压PFC仍然是主要解决方案，本文将对其进行进一步
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功率 电路 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯
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东芝 MOSFET
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET，以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，产品出货即日启动。 随着快速充电器的普及和发展，市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结
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东芝 MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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