- Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的
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Littelfuse MOSFET
- 采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路-自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下：
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mosfet 驱动电路
- 功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图-本文介绍功率mosfet工作原理、几种常见的mosfet驱动电路设计，功率mosfet驱动电路原理图。
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驱动电路 mosfet 电路图
- 利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络-假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流沉/源的大小任意，可能须要针对不同阶段的一些复杂模拟电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次实施即可，电流沉整个反馈部分的重复进行却使成本与设计空间密集化。
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模拟电路 MOSFET
- MOSFET 安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在-即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时，任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 （图 1）。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
- 什么是同步整流器？开关MOSFET较同步整流器在功率电源中的耗散如何？-同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
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整流器 mosfet 二极管
- 用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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mosfet 氮化镓 pfc
- 平面式高压MOSFET的结构
图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
图1：传统平面式MOSF
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MOSFET 超级结
- 今天，做一个产品或系统的电路保护方案，特别是智能电网等工业应用的端口保护设计，就像是组织一场足球比赛的防御战：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，还需要有将他们捏合在一起的战术，去抵御来自对手的每一次可能的“进攻”。这其中的门道儿不少，但也有套路可寻，今天我们就来看看世健(Excelpoint)作为工业电路保护界的“豪门”，是怎么玩儿的。 那些明星元件 先来细数一下世健帐下那些在智能电网上可堪重用的电路保护元件“球星”，它们大多来自Bourns公司，每颗料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能电网 MOSFET
- SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然，要进行大批量生产，逆变器除了静态和动态性能之外，还必须具备适当的可靠性，以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压，以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
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电源转换器 SiC MOSFET 逆变器 201707
- 全球出现的能源短缺问题使各国政府都开始大力推行节能新政。电子产品的能耗标准越来越严格，对于电源设计工程师，如何设计更高效率、更高性能的电源是一个永恒的挑战。本文从电源PCB的布局出发。
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电源模块性能 PCB布局技术 MOSFET
- 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
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三极管 MOSFET
- “MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
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功率MOSFET MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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