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起直流稳压(流)电子负载核心作用的功率 MOSFET

设计人员都用直流电子负载来测试电源，如太阳能阵列或电池，但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率 MOSFET在其线性区内使用，就可制作出自己的直流电子负载（图 1）。
关键字：作用功率 MOSFET 核心负载稳压电子直流

2005年4月21日，瑞萨推出业界最小、最薄的高频功率MOSFET

　　2005年4月21日，瑞萨宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大，通过使用新工艺和新封装，实现了高效率、并大大减小了封装的尺寸。
关键字：瑞萨 MOSFET Renesas

新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B

SKHI22A/B是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。
关键字： SKHI22A/B 模块驱动 IGBT/MOSFET 新型

一种专为IGBT和MOSFET设计的驱动器

介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件――SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构。
关键字：驱动器设计 MOSFET IGBT 专为

基于SG3525A的太阳能逆变电源设计

摘要：本文主要介绍了SG3525A在研制太阳能逆变电源中的应用，其脉冲波形随设计线路的不同而产生不同的结果，从而解决了随机烧毁功率管的技术问题。关键词：SG3525A；逆变电源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一个课题的具体技术问题。该课题的基本原理是逆变器由直流蓄电池供电，用太阳能为蓄电池充电，然后逆变电源输出220V、50Hz的交流电供用户使用。在研制过程中，有时随机出现烧毁大功率管的现象，本文对这一现象给出了解决方案。图1 SG35
关键字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆变电源模拟IC 电源

2004年6月7日，瑞萨推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

　　2004年6月7日，瑞萨发布HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET。与瑞萨先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。
关键字：瑞萨 MOSFET Renesas

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mosfet介绍

　　金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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起直流稳压(流)电子负载核心作用的功率 MOSFET

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