一个采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能够于高达2mhz/相位下工作，并提供120a电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。
与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率mosfet技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点(pol)电源应用的决定性因素。对于工作电压为1v或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率mosfet能
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MOSFET POL 电源 放大器
Maxim推出MAX8833/MAX8855，该系列器件是业界第一款具有以下功能的降压型调节器：工作在3.3V或2.5V输入下，分别可提供双路3A或双路5A输出，并且内置开关可最大程度节省空间。除了节省空间外，器件由于采用内部MOSFET，因此可有效地工作在低输入电压下，这是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能实现的。在低压应用中，分立的竞争方案需要更高电压实现完全导通，相比较而言，内部MOSFET则可提供更优异的性能。MAX8833/MAX8855分别具有49mΩ和37mΩ低导通阻抗，可以以超过1M
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Maxim 调节器 MOSFET 其他IC 制程
l 前言
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(DSP
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IGBT MOSFET 场效应晶体管 电源
全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势。为此，电源|稳压器管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多的应用到整机产品中。在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下，中国功率器件市场在2007-2011年将继续保持快速增长，但由于市场基数的不断扩大，市场增长率将逐年下降。预计到2011年时中国功率器件市场销售额将达到1680.4亿元，2007-2011年中国功率器件市场年均复合增长率为19.1%。这其中电源管理IC、MOSFE
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模拟技术 电源技术 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理
电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时
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MOSFET 半导体材料
功率半导体器件的应用迄今已有50年历史，自上世纪80年代以来，随着新型功率半导体器件尤其是电源管理芯片的蓬勃发展，功率器件极大地拓展了应用领域。全球各大厂商也不失时机地加大研发力度，占领市场高地。
发展功率半导体产业迫在眉睫
目前，我国功率半导体企业生产条件和产品大都停留在国外上世纪70年代的水平。有个别集成电路企业制造一些小电流低档老产品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢复和超快恢复二极管完全不能制造。因此，我国市场用的功率器件约90%依赖进口，其余约10%低档产品是自己制造的。
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模拟技术 电源技术 功率 半导体 VD-MOSFET 模拟IC 电源
引 言
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻、效率高、成本低的优势，因此，较适合作仪器电源。本文给出了一种由MOSFET 控制的大范围连续可调(0～45V) 的小功率稳压电源设计实例。
总体结构与主电路
图1 为该电源的总体结构框图。工作原理如下：
图1 原理方框图
全桥整流电路将电网电压220V
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消费电子 MOSFET 功率场效应管 PWM 电源
随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时
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MOSFET 元件 制造
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下
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嵌入式系统 单片机 凌力尔特 MOSFET LTC4444 模拟IC
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 MOSFET 驱动器 模拟IC
当今的小型家电，如洗碗机、烘干机、电炉等用开关电源代替了体积笨重的线性电源。工程师对这些电流从50mA~1A的电源进行了测试，一般使用电阻或标准现成的电负载。工程师会使用各种大功率电阻来检验多种负载条件以满足合适的设计。多数标准的电负载都是针对平均300W功率的。在测量50mA ~ 300mA电流时，显示结果并不准确，多数显示为0.1A，那样低的电流不能保证精度。还可以使用图1中的简单双恒流负载设计，这种设计可以利用廉价的通用元件来构建电路。
负载电流流过MOSFET和一个 1Ω
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模拟技术 电源技术 双恒流载荷 MOSFET 运算放大器 放大器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 再次荣获《今日电子》杂志的十大 DC-DC 2007产品大奖，获评审小组肯定而胜出的产品是飞兆半导体全面优化的集成式12V驱动器加MOSFET功率级解决方案FDMF8700。飞兆半导体的30V同步降压转换器芯片组FDS6298和FDS6299S则于2006年获得相同奖项。 FDMF8700将驱动器IC和两个功率MOSFET集成在一个节省空间的8mm x 8mm的56脚M
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消费电子 飞兆半导体 FDMF8700 MOSFET 消费电子
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的PowerTrench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下
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嵌入式系统 单片机 飞兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench®工艺，这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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模拟技术 电源技术 飞兆半导体 MOSFET ESD 模拟IC 电源
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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