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业内最低导通电阻MOSFET
- Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
- 关键字： MOSFET
Diodes自保护式MOSFET节省85%的占板空间
- Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。 虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻仅为500mΩ，能够使功耗保持在绝对极小值。 ZXMS
- 关键字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF
IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET
尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
- 0 引言 近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流容量，从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。 低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成，为了降低导通电阻，同时不降低器件其他性能，如漏源击穿电压，最直接的办法是减少相邻元胞的间距，在相同的面积下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了沟槽
- 关键字： MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]
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