- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。
最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET产品系列的新成员，均属于60V、500mΩ 额定值的N沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。
ZXMS6002G具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模
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MOSFET Zetex 单片机 嵌入式系统 封装
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench® 工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低
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MOSFET 单片机 飞兆 嵌入式系统
- 摘 要：本文简述了RF 功率 MOSFET器件的应用，分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF 功率 MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线，设计了产品的制造工艺流程，分析了制造工艺的难点，并提出了解决方案。关键词：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件结构；制造工艺
引言RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET
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LDMOSFET MOSFET RF RF专题 电源技术 功率 模拟技术 器件结构 制造工艺
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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LDO IC MOSFET
- 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可
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MOSFET Zetex 超低栅极驱动 电源技术 模拟技术
- 能够驱动工业应用中高达 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181与飞兆半导体领先业界的功率产品系列相辅相成， 为设计人员提供由毫瓦至千瓦的完整功率解决方案 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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MOSFET 单片机 飞兆半导体 光隔离 嵌入式系统 栅极驱动器
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MOSFET
- 传统上，开关电源（SMPS）是用一个基本的模拟控制环路来实现的，但数字信号控制器（DSC）技术的最新发展使得采用全数字...
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反馈 MOSFET 驱动
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- 英飞凌推出新一代MOSFET节能器件，助力电源制造商实现能效目标 英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。 许多电源产品，如用于服务器、笔记本电脑、等离子或液晶电视以及游戏机的电源产
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MOSFET
- 由于锂电池的体积密度、能量密度高，并有高达4.2V的单节电池电压，因此在手机、PDA和数码相机等便携式电子产品中获得了广泛的应用。为了确保使用的安全性，锂电池在应用中必须有相应的电池管理电路来防止电池的过充电、过放电和过电流。锂电池保护IC超小的封装和很少的外部器件需求使它在单节锂电池保护电路的设计中被广泛采用。
然而，目前无论是正向（独立开发）还是反向（模仿开发）设计的国产锂电池保护IC由于技术、工艺的原因，实际参数通常都与标准参数有较大差别，在正向设计的IC中尤为突出，因此，测试锂电池保护IC的实
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MOSFET 电源技术 锂电池 模拟技术 消费电子 消费电子
- 1 引言
TPS54350是德州仪器(TI)新推出的一款内置MOSFET的高效DC／DC变换器．采用小型16引脚HISSOP封装．连续输出电流为3 A时，输入电压范围为4．5 V~20 V。该变换器极大地简化了负载电源管理的设计，使得设计人员可直接通过中压总线(而不依赖额外的低电压总线)为数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)及微处理器供电。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技术的开关)DC／DC变换器的效率高达90％以上，非常适用于低功耗工业与商用电源、带液晶显示屏(LC
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- Vishay推出一款网上工具，可供设计人员详细模拟在各种应用中Vishay Siliconix MOSFET 在运行时的热效应情况及其受邻近元件的影响如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™（可从 http://www.vishay.
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mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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