2004年6月7日，瑞萨推出HAT1125H P-通道功率MOSFET
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2004年6月7日，瑞萨发布HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET。与瑞萨先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/104953.htm
2004年6月7日，瑞萨发布HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET。与瑞萨先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。
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