作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头，三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨，三星赚得盆满钵满，最近日子就不太好过了，一季度营业利润暴跌了超过60％。
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DRAM 16nm 三星电子
全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM为非挥发性存储器技术，断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失，是“不失忆”的存储器。其结构如三明治，上层是自由翻转的铁磁层，可快速处理数据，底层则是钉锁住的铁磁层，可用作存储数据，两层中则有氧化层隔开。 其
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MRAM DRAM
Mar. 25, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。 根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer
bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。 进
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集邦咨询 DRAM
根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出，中国一直企望发展半导体产业，但在近期受到韩国存储器大厂三星与SK海力士在市场垄断与持续技术精进下，加上美国对知识产权的严密保护，其目的将难以达成。 报导指出，2018年10月份，在中国NANDFlash快闪存储器技术上领先的长江存储(YMTC)发布了自行研发的32层堆叠产品之后，当时就宣布将在2020年时跳过64层及96层堆叠的产品，直接发展128层堆叠的产品。由于韩国的存储器龙头厂三星，早在2014年就已经推出了32层堆叠的NANDFlash快
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DRAM NANDFlash
近日，半导体产业市场调研品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)公布的最新的存储芯片行业调研报告显示，DRAM跌价幅度超过预期，创8年以来最大跌幅。一度被调侃为“价格跑赢了房价”的内存条，如今突然迎来8年来最大跌幅，国际巨头对中国厂商“围剿”的争议也再次出现。
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存储 DRAM
根据据韩媒《韩鲜日报》报导，DRAM的价格接连下跌，零售的计算机用DRAM价格最终也下跌到5万韩元以下，这样的走势比预期要快许多，预计今年出口的前景也不乐观。 在韩国电子产品价格比较网“Danawa”上，本月6日三星电子DDR48GBPC4-21300DRAM价格是4万8900韩元，已经下跌到5万韩元以下，与去年4月9万9270韩元的高点相比下跌了50.7%。 B2B(企业间交易)市场价格指标也呈暴跌的趋势，据市调公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易价格是比起今年1月
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DRAM SK海力士
据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指，今年以来DRAM内存价格大幅下跌，其估算一季度的跌幅从预期的25%扩大至30%，这对于依靠存储芯片取得了全球半导体老大位置的三星来说显然不是好消息，其或因存储芯片价格持续下跌导致位置不保。 存储芯片价格持续上涨助三星取代Intel 自2016年以来，受PC、智能手机等产品对存储芯片需求不断扩大，PC正将机械硬盘转换为速度更快的SSD硬盘、DRAM内存的容量在不断增大，智能手机的闪存和内存容量也在不断扩大，存储芯片价格进入了快速上涨的阶段。 作为
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三星 DRAM
Mar. 5, 2019 ----
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，由于供过于求的市况，DRAM产业大部分交易已经改为月结价(Monthly
Deals)，2月份更罕见出现价格大幅下修。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%，是继2011年以来单季最大跌幅。 DRAMeXchange指出，从市场面来观察，整体合约价自去年第四季开始下跌，随后库存水位持续攀升。近期DRAM原厂库存(含wafer
bank)普遍来到至少一个半月的高水位。同时，Intel低
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DRAM
据businesskorea报道，中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元)，大约是目前水平的五倍。 然而，许多专家表示，美国急于遏制中国的半导体野心，不太可能接受中国的提议，因为它将增加对中国的半导体依赖。 韩国企业对该计划持谨慎态度，主要有两个原因。 首先，中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片，无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下，很难预测对韩国企业的影响。
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NAND DRAM
作为IC晶圆生产直接的原材料，全球硅片行业经历了从6寸向12寸的迭代，同时生产中心由美国转移到了日本。目前日本凭借半导体产业分工带来的机遇占据硅片行业50%以上份额，但......
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硅片 DRAM
据外媒消息，第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发，预期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 接受采访时，SK海力士研发Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6将在5~6年内发展起来。 Kim
Dong-kyun透露，“后DDR5”产品已经有几套技术概念成型，其中一套延续现有的数据传输规范，另一套则是将DRAM和CPU等片上系统的处理技术结合。 资料显示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工艺、开发出单颗容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
业界都谨慎地观察2019年中国半导体业的发展态势，用呈”不确定性”，而一言以蔽之。本文拟从以下三个方面，包括2019年全球半导体业的弱势;中国集成电路产业发展由产能扩充阶段转向产品增长的攻坚战;以及在贸易战下心理因素的影响等来初探2019年中国半导体业的增长。
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半导体 DRAM 存储器
尽管随着主要存储器业者已完成或即将完成Flash存储器产量扩增计划，2019年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出将会大幅下滑，但该支出金额仍然会继续高于各业者在DRAM与晶圆代工业务上的支出。 ICInsights最新资料显示，2016年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出金额为144亿美元，低于同年晶圆代工业务资本支出金额的219亿美元。
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DRAM 晶圆 Flash
非易失性存储器技术是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。非易失性存储器技术得到了快速发展，非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。 在很多的存储系统的写操作程序中，内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁，提供更快速的性能，但是如果发生突然间断电的情况，如何保护内存中的数据不丢失，这是存储系统中老生常谈的议题。易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候，里面的数据会丢失，就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失，像硬盘等外存。RRAM是一
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存储器 DRAM
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱，以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB均价降至55美
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