- 美光科技有限公司(纳斯达克代码:MU)宣布,中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司,针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件,该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼,实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼,以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
- 此次对美国芯片巨头美光(Micron)发出“诉中禁令”虽不是最终判决,但似乎暗示美光确实存在侵权行为。而这是中国发展半导体一路被指称“窃密”和“侵权”以来,首次成功重拳回击。
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芯片,美光,DRAM
- 受惠于市场需求强力推升,服务器存储器供应持续吃紧,近来市场传出,存储器龙头厂三星与海力士18nm制程出现良率问题,应用于高阶服务器产品遭到退货,包括美国及大陆厂商已要求暂时停止出货。尽管三星对外刻意采取低调,但多家台湾地区业者近日仍纷纷接获消息,业界预计最快1~2个月左右应可改善良率,但由于第3季DRAM价格预期将缓步上升,如今再受到高阶DRAM产出供不应求,将为下半年市场价格涨幅投下变量。 根据市场消息传出,三星及SK海力士先后于5月起传出18nm制程出现质量疑虑,并遭到数据中心客户退货,且在改善
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SK海力士 DRAM
- Gartner 6月11日公布,2018年第1季全球服务器销售额年增33.4%至166.93亿美元、出货量年增17.3%。 Gartner研究副总裁Jeffrey Hewitt指出,服务器市场是由超大规模(Hyperscale)数据中心以及企业与中型数据中心支出攀高所驱动。他还提到,服务器第1季销售均价上扬的原因之一是DRAM价格因供给吃紧而走高。 Gartner统计显示,2018年第1季北美服务器销售额、出货量分别成长34%、24.3%,亚太分别成长47.8%、21.9%,欧洲、中东与非洲(EM
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DRAM
- 受中美竞争特别是中兴事件的影响,国内对芯片的重视程度被进一步拔高,而在存储芯片方面随着三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫和福建晋华的快速推进让人看到中国存储芯片企业有机会打破当前由美日韩企业垄断的局面,不过要打破这一局面还需要时间。 美日韩垄断存储芯片市场 存储芯片主要分为两种,分别是DRAM和NAND flash,在我们日常见到的产品中分别是PC用的DRAM内存条和SSD硬盘,这两类产品在各个行业都有广泛的应用,而且随着各个产业的发展这两类产品的重要性正日益凸显,这也导致存储芯片价格自2016年
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芯片,DRAM
- SK海力士在无锡可谓多灾多难。2008年曾经停电4个小时,2013年又发生重大火灾,都有大量晶圆报废,对全球DRAM内存、NAND闪存供应造成重大影响。
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SK海力士,DRAM
- 韩国两大存储器厂三星、SK海力士传被中国商务部旗下反垄断主管机关约谈,且被要求对中国科技厂调降存储器售价。 韩国媒体KoreaTimes.com报导,去年存储器价格飞涨不停,大幅侵蚀中国智能手机、PC厂的利润,中国政府要求三星与SK海力士降价显然为此而来。据统计,全球75%的DRAM供给掌握在三星、SK海力士的手里。 中国政府找韩国存储器双雄的碴,背后还有其它动机,推测应该与技术交叉授权有关。熟知内情的人士指出,尽管三星、SK海力士都在中国设厂,但产品采用的技术落后韩国厂至少两个世代,且极少交叉授
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DRAM 三星
- 随物联网时代来临,数据中心、高速传输的5G受重视,研调单位指出,协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温,南亚科(2408)日前表示,今年DRAM市场仍供不应求,带动存储器族群行情向上,旺宏(2337)在权证市场同受关注,昨(29)日登上成交金额之首。 南亚科昨日股价虽然收小黑,小跌0.4%,收在98.9元(新台币,后同),但获外资逆势敲进逾2,000张,颇有逢低承接意味。 南亚科今年首季每股盈余(EPS)达2.39元,随着DRAM市场仍持续供不应求,对今年整体营运表
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DRAM NAND
- 韩国两大存储器厂三星、SK海力士传被中国商务部旗下反垄断主管机关约谈,且被要求对中国科技厂调降存储器售价。
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DRAM SK海力士
- 特朗普政府发起的贸易战虽然收场,但这几个月,人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板,中国大量进口的IGBT也被挖了出来。有媒体就认为,由于中国IGBT需要大量进口,而这个产业又被西方国家把持,对于中国正在大力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过,在IGBT技术上,中国其实并不差,大量依赖进口,并非技术水平不行。 造成大量进口国外产品的局面,只是因为商业上和其他一些原因。 IGBT市场基本被外商垄断 IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就
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IGBT DRAM
- 长期以来,我国的NAND闪存芯片和DRAM内存芯片的需求几乎全部靠进口来解决,市场长期被三星、SK海力士以及美光等存储器巨头所垄断。
以全球存储芯片市场前两位的三星和SK海力士为例。数据显示,三星的全球内存市场占有率为46%,闪存市场占有率为39%。SK海力士的全球内存市场占有率为29%,闪存市场占有率为15%。仅这两家企业,就占据了全球75%的内存市场以及闪存市场的半壁江山。如果再加上美光的市场份额,这三家企业的全球内存市场份额之和达到了95%。
毫无疑问,现在存储市场话语权仍被这几
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存储器 DRAM
- 韩国政府与企业的相互配合
1961年,朴正熙发动军事政变夺取政权,以反对政治贪腐为名赶走了李承晚,建立了威权体制。朴正熙上台之初宣布要严惩“腐败政治”,发布了一份包含11位企业家的名单,要以“发不义之财”的名义逮捕他们。
排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的会长李秉喆。当时,李秉喆滞留在日本,韩国政府遣人催促他回国,一番犹豫之后,李秉喆在日本开了新闻发布会,宣布所有家产全部捐献国家,之后返回韩国。
当时,朴正熙与李秉喆面谈,作为有&l
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半导体 DRAM
- 存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中,三星、SK海力士和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位,合计市占率超过95%,国产厂商开始积极布局,2018年将实现量产,有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中,移动终端、服务器和PC依旧占据头三名,合计占比86%,未来将继续拉动DRAM消费增长。
三星领先优势明显,传统技术难以替代。三星于2017年开始量产第二
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DRAM 三星
- 根据Gartner的报告显示,在过去的2017年中,三星已经成功取代英特尔,抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道,英特尔从1992年就一直占据着这一宝座,如今被三星超越实在是无奈,因为没有人能预料到这两年内存市场会如此强劲。
也许大家都快忘记了,两年前8GB的内存条价格还不到200元,然后8GB内存条的价格一路上涨到300多、500多、700多,甚至一度要突破千元大关,用了几年的二手内存条都还能大赚一笔。内存价格的飙升也带动了整个半导体产业的增长,其中三星获益匪浅,
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NAND DRAM
- 在中兴通讯遭美国禁售之后,有关芯片的讨论非常激烈。
今天,中国芯片产业与国际的差距,已经越来越大。而回首过去,中国其实曾经拥有成为世界芯片强国的历史机遇。改革开放后,中国芯片产业发展迅速。比如,1985年的时候,江苏无锡的742厂就已经能够生产64K DRAM,这相当于跟我国台湾地区、韩国处在几乎相同的起跑线上。1989年以后,西方制裁中国,给中国的芯片发展造成了非常大的阻力。这是中国芯片产业因此错过的第一次机遇。
尽管遭遇重重阻力,中国芯片产业依然在奋勇追赶。
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芯片 DRAM
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