据外媒报道，DRAMeXchange的最新报告指出，用于移动设备的LPDDR DRAM协议价在今年第四季度将上涨10%～15%。
此前，LPDDR的价格是低于PC、服务器等平台的，但这些年需求越来越猛，生产企业们也开始打起高利润的主意。所以，不排除一些已经发布的千元机和尚未发布的千元机会在其售价上做出调整的可能。而旗舰机方面，因为本身缓冲空间较大，暂时不会受到冲击。
因为DRAM在整个2018年的产能依然都弱于需求，预计安卓内存的军备竞赛会暂时停留在8GB，甚至像三星、华为等依然维持6GB
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LPDDR DRAM
DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-随着系统对内存容量、带宽、性能等方面的需求提高，系统会接入多个 DRAM Devices。而多个 DRAM Devices 不同的组织方式，会带来不同的效果。本文将对不同的组织方式及其效果进行简单介绍。
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DRAM
次世代记忆体换当家？关于新当家的那点事-据韩媒BusinessKorea报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会（IEEE）发布研究论文宣称，两家公司携手研发的STT-MRAM 的生产技术，成功实现10 奈秒（nanosecond）的传输速度和超省电架构，理论上表现超越DRAM。韩国半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限，包括FRAM在内的多种次世代存储（其它包括MRAM）备受期待。
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dram fram
DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章节中，介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中，将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。
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DRAM Memory Cells
某些FPGA终端，包含板载的、可以动态随机访问的存储块(DRAM)，这些存储块可以在FPGA VI中直接访问，速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据，而且速度可以非常快。针对一些特殊应用，比如：瞬时带宽非常高，而且有要保存原始数据的时候，就可以用DRAM做一个大的FIFO缓冲。 DRAM的大小每块板卡可能不同，一般在官网中对应板卡的说明中都会标明DRAM的大小(如果有DRAM的话)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空间。 http://sine.ni.com/n
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FPGA DRAM
“2017年DRAM价格涨幅将达到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出预计。当下，以DRAM为代表的半导体存储器在全球范围内掀起涨价潮。
DRAM作为半导体存储器的产品类型之一，常见产品形态是内存条，主要的两个应用市场是PC和智能手机。据京东商城官网显示，金士顿DDR424008G台式机内存在半年内价格从400元左右涨至800元左右，同时金立集团董事长刘立荣在9月25日媒体交流会上称，国产手机下半年仍会涨价，部分原因是内存成本上升。
集邦咨询半导体
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内存条 DRAM
存储器作为一种根据库存、需求、产能因素变化而具有明显周期性的行业，这一轮涨价大幅增加了国产智能手机和PC厂商的成本，目前部分智能手机已经涨价，幅度在100~500元不等。
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DRAM 三星
台湾内存模块厂威刚指出，由于服务器、智能手机及 PC 等 3 大市场在下半年需求陆续回温， DDR4 在需求面三箭齐发下处于全面性的严重缺货。 不但价格持续走扬，PC 大厂及渠道客户也积极备货，NAND Flash 闪存也在中国智能手机大厂积极备货的推动下，价格仍呈多头格局。
威刚进一步指出，在国际数据中心大厂对 DRAM 需求快速扩张之下，全球 DRAM 厂 2017 年皆无新增产线的投入，上游 DRAM 厂多以移转 PC DRAM 产能因应，导致 PC DRAM 供给面临严重的产能排挤效应，
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威刚 DRAM
AMD今年的新显卡系列在性能上能与老对手NVIDIA的产品相匹敌，因此不少人觉得双方的竞争会拉低显卡价格。但是，分析师却并不这么认为。
日本瑞穗金融集团分析师Vijay Rakesh认为，NVIDIA显卡在下季度不仅会需求高涨，销量可能也会超过预期30-50%之多。但这些需求增长并非来自于游戏玩家，而是加密货币矿工。
由于需求增长幅度如此之高，供应链也遭遇了非常大的压力，因为制造显卡所需的DRAM已经开始出现短缺。根据行业研究公司ICInsight的预计，DRAM的每比特价格将提高40%，
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显卡 DRAM
联电和两名员工遭到内存大厂美光指控妨碍营业秘密，并遭到台中地检署起诉，共同总经理简山杰认为是遭到「商业间谍」构陷入罪，但强调DRAM计划不变，将于明年第4季完成第一阶段技术开发。
联电DRAM项目主要与福建晋华合作。
简山杰表示，对于司法中的案件原本不应多言，但联电极有可能碰到所谓的「商业间谍」，高度怀疑「带枪投靠」是假的，可能「构陷入罪」才是真。 简山杰质疑，主要涉案员工夫妇本来都在美光上班，其中先生去年4月主动跳槽联电;据说，遭检方搜索以后，妻子就被美光停职;涉案人全数认罪后，妻子就复
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晋华 DRAM
员工有无窃取机密资料可以查证，企业有无教唆员工偷窃，也可以透过证据来佐证，但如何定义一家企业“积极”与“未积极”防范∕规范员工的行为，这十分两难。
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DRAM 存储器
你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:&ldquo
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RRAM DRAM
联电日前与大陆福建晋华合作开发DRAM技术的案子中，因有美光(Micron)的离职员工将技术带到联电任职，不只是员工个人被起诉，联电也被台中地检署根据违反营业秘密法而被起诉，理由是“未积极防止侵害他人营业秘密”，因此视为共犯。
我们可以从三大层面来探讨联电和大陆合作开发DRAM技术的案子。第一，台湾半导体产业在这个合作案当中，损失了什么?;第二，联电在建立DRAM自主技术的过程中，有无窃取美光技术?;第三，如果企业没有教唆员工窃密，只因为“未积极防范&rdqu
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DRAM 联电
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