- 第四代高速DRAM存储器DDR4自2014年上市以来，销售额在整体DRAM存储器总销售额中的占比不断成长。尤其是随着2016年DDR4平均售价(ASP)跌至约与DDR3相同，当年DDR4销售额占比更是飙升至45%，大幅拉近与DDR3占比间的距离。
调研机构IC Insights预估，随着如英特尔(Intel)最新14纳米制程x86 Core系列处理器等都开始向DDR4存储器靠拢，预计2017年全球DDR4销售额占比将会扬升至58%，首度超越DDR3的39%，正式终结过去6年DDR3占比持续维持第
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DDR4 DRAM
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gart
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DRAM NAND
- IC Insights 对DRAM后市提出示警，预期下半年随着供给增加，产品价格恐将下滑，DRAM 市场无可避免将展开周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 价格自 2016 年中以来快速走高，据统计，DRAM 平均售价已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，涨幅高达至 54%。
在产品价格大涨带动下，IC Insights 预估，今年 DRAM 产值可望达 573 亿美元规模，将较去年成长达 39%。
IC Insight
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DRAM
- 台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年，日前晋升长江存储的执行董事、代行董事长，接受DIGITIMES独家专访公开未来规划;他指出，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利!
长江存储计划存储器的研发，制造基地在武汉、南京两地，紫光2017年1月底资金到位，现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和
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长江存储 DRAM
- 美光此次提起诉讼无非是为了防止其存储技术遭到泄露，间接给大陆厂商和相关员工施压，其行为也是国际大厂围堵中国半导体产业崛起的缩影之一
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晋华 DRAM
- 近日，有媒体报道美国存储器大厂在台湾地区采取司法手段其防止技术遭遇泄露，目标是前华亚科及前瑞晶关键制程和研发人员，目前已有上百人遭到约谈。 市场更是传出，美光这一行动已经波及联电与大陆厂商晋华的合作事宜，导致后者出资在联电台湾南科厂设置的试产线停产。 不过，4月5日，联电方面对外表示，确实有员工收到了诉讼通知，但只是个人行为，与公司无关。此外，联电还表示，目前DRAM仍处制程技术开发阶段，尚无试产线，并无外传试产线暂停的情况，其DRAM技术的研发计划也将持续不变。 根据集邦咨询观察，近年来，中国
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美光 DRAM
- DRAM、NAND 快闪存储器价格涨不停，促使半导体研究机构 IC Insights 将今年全球芯片成长预估调升两倍。
IC Insights 最新预期 2017 年全球芯片产值将成长 11%，两倍高于原先估计的 5%。IC Insights 解释原因为 DRAM、NAND 快闪存储器展望明显上修。
IC Insights 现在预期今年 DRAM 销售额有望跳增 39%、NAND 快闪存储器有望成长 25%，随着报价走扬，未来两者都还有进一步上修的可能。
IC Insights 指出
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存储器 DRAM
- 2013年，中国从海外进口了2,330亿美元的半导体，进口金额首度超越石油，也促成了中国「半导体产业发展纲要」的出现，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半导体的进口金额维持2,307亿美元的高档，大约贡献了全球29%的半导体需求量，但中国能自己供应的比重仅有4%。
中国政府希望到2020年为止，能够维持每年20%的成长。 相较于海外的购并工作不断的受到干扰，中国显然更积极于自建工厂的努力。 整体而言，我们可以用「自建工厂」，发展3D Flash，也同步发展材料设备业等几个字
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IC DRAM
- 在“2017慕尼黑上海电子展”前夕的“汽车技术日”上，ISSI技术市场经理田步严介绍了车用存储器市场，包括：信息娱乐、ADAS、仪表总成、connectivity telematics四大类。
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汽车 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704
- 自 2016 年中开始，DRAM 内存供货不足，造成市场价格全面上涨的情况，如今又要多加一个变量。 那就是 DRAM 内存的市场龙头三星，在 2017 年 2 月中旬陆续召回部分序号的 18 奈米制程的内存模块，并且再重新出货给客户之后，仍然发生有瑕疵的状况。 而且，此事件已影响了名列前茅的 PC 大厂在 DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。 再加上，不仅是三星出现这样的情况，连美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 内存模块都有类似的情形发生，如此也为 2017 年
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三星 DRAM
- 2017年3月22日，受工业和信息化部电子科学技术情报研究所委托，北京中企慧联科技发展中心在北京主持召开由紫光国芯股份有限公司/西安紫光国芯半导体有限公司自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。
北京中企慧联评价机构严格按照《科技成果评价试点暂行办法》的有关规定和要求，秉承客观、公正、独立的原则，聘请同行专家对该项科技成果进行了评价。评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告，对评价资料进行了审查，经严格质询和充分讨论形成了评价意见。
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紫光国芯 DRAM
- 大陆存储器正在迅猛发展，去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引起全球关注，韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。有消息指出，为避免再度上演类似过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK海力士近期特意与专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研究学习大陆商业法、专利法等相关法律。
据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息称，SK海力士的大陆专利分析小组将采取无固定编制、相关成员可自由参与研究学习大陆专利法等相关法律的模式。因大陆半导体技术暂时还
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SK海力士 DRAM
- 大陆存储器正在迅猛发展，去年紫光主导的长江存储在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地引起全球关注，韩国业界对此评估称，韩国与大陆厂商间的技术差距仅剩3~5年。有消息指出，为避免再度上演类似过去与Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK海力士近期特意与专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研究学习大陆商业法、专利法等相关法律。
据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息称，SK海力士的大陆专利分析小组将采取无固定编制、相关成员可自由参与研究学习大陆专利法等相关法律的模式。因大陆半导体技术暂时还
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SK海力士 DRAM
- Micron 宣布于本月14日成功标得达鸿先进科技的拍卖资产，并将以此建立Micron在台之后段生产基地。Micron现已取得这新生产基地之所有权。
经由此收购案， Micron取得与其台中厂相邻的无尘室和设备，并将使Micron 的晶圆制造与后段封测得以集中于同一据点，并专注于建立集中式的后段封测营运。
全球制造副总裁Wayne Allan指出：“此举为Micron在台建立DRAM卓越制造中心的重要一步。将晶圆制造和后段封测结合在同一地点，构建一个完整连贯的高效制造支援组织，
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Micron DRAM
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
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DRAM NAND
lpddr5x dram介绍
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