- 平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比，为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
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DRAM NAND
- 全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划，业界认为，由于建厂时间还要两年，难解今年缺货窘境，不过受心理层面影响，恐让下半年DRAM涨势止歇。
三星决定斥资87亿美元，扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和制程转换良率，决定生产18nm或更先进制程的DRAM。
对于今年DRAM供需，稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万，及威刚董事长长陈立白都表示，今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存(NAND Flash)，且只做DRAM
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三星 DRAM
- 长江存储执行长杨士宁点出，为何长江决定跨入存储领域?他表示，半导体组件可分为四大块领域：首要运算CPU、存储、通讯及第四部分涵盖了物联网(IoT)感测器、模拟IC等较为分散的领域。然CPU领域行业生态较为复杂、通讯芯片领域也已经形成fabless+foundry稳固态势，大举跨入存储这一领域仍是大有可为的。杨士宁精准点出了大陆发展存储产业的战略思考。分析指出，大陆当下大力发展存储产业是正确的。
杨士宁分析，从半导体存储器技术分类来看，目前DRAM和NAND闪存储存的总产值占全球存储器产业的95%
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长江存储 DRAM
- 美光昨(14)日以新台币27.52亿元标下TPK-KY宸鸿转投资公司达鸿台中厂房。美光表示，标下的台中厂房未来将用于DRAM先进封测技术发展，与美光中科及华亚科厂房进行资源整合，打造中国台湾地区DRAM中心。
达鸿位在中科后里园区厂房及设备昨由台中法院委外法拍，最后由美光以新台币27.52亿元得标，厂房占地约4公顷，土地面积约20，729坪。达鸿于2015年11月5日向台中地方法院声请重整及紧急处分，并于隔年7月22日宣告破产，此后台中法院随即进行强制拍卖厂房及设备的流程作业。
达鸿为F-
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美光 DRAM
- 台湾南亚科总经理李培瑛表示，今年整体DRAM市场供货吃紧，上半年平均销售单价持续走扬，预期第一季平均销售单价季增10~15%，公司的毛利率相较上季可望有显著的提升，第二季价格也将续扬，下半年仍看审慎乐观，预期价格波动不大。
南亚科指出，今年DRAM在供给方面，前三大厂皆以提高新制程比例增加产出为主，并未大幅扩张新产能。 预期2017年供给年成长约20%。 在需求方面，预期2017年DRAM需求成长稳定，成长主力来自手机及服务器的搭载量增加，预估整体年增率高于22%。
因此，今年DRAM市场
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DRAM
- 华亚科并入美光后,本月正式更名为美光台湾分公司桃园厂,美光也计划扩大投资台湾,将在台中建立后段DRAM封测厂,相关投资将在标购达鸿位在后里中科园区的厂房后立即启动。
美光目前主要生产据点在桃园和台中,合并后员工超过6,000人。
位于原华亚科的桃园厂主要以20纳米制程生产DRAM生产重镇,单月产能10万片;台中厂以25纳米为主力,月产能逾8万片,但已进行1x纳米制程开发试产,预定下半年正式生产出货。
美光将以台湾为DRAM主要生产据点,除制造端外,也计划往后段和产品应用和设计进行整合
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DRAM 美光
- 回顾DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)的历史，市场经常在供过于求与供不应求之间摆荡。
当市场供不应求之际，DRAM供应商会积极扩厂，大幅增加产能，当新产能加入生产后，市场会陷入供过于求的状况，DRAM价格快速下跌，DRAM产业的产值不增反减。
在历经多次市场的振荡后，DRAM产业的产值在1995年创下当时的历史新高，高达435亿美元。隔年DRAM市场大崩盘，DRAM的平均售价大幅下跌，导致1996年DRAM产业的产值崩跌至260亿美元。
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DRAM 三星
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
- 2月12日，总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工;兆易创新亦于2月13日公告拟收购北京矽成100%股权，矽成的主要业务为SDRAM。新年伊始，我国存储器产业便连续爆出两项重要消息，表明我国存储产业的布局正在加速推进当中。而随着数项重大投资的启动，存储器正在成为我国集成电路产业发展的重要突破口。
国际存储巨头警惕中国存储力量成长
尽管存储器属于高度垄断的行业，但是我国在发展存储器产业道路上已经迈出了第一步。2月12日，紫光集团在南京正式建立半导体产业基地，主要产品为3DNA
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存储器 DRAM
- 一般估计，DRAM的位元出货成长率(bit growth)低于40%，DRAM厂商便可获利，而2017年因为大厂没有新的投资计划，DRAM的出货成长率甚至可能低于20%，所有的大厂都可能因此受惠。这也是DRAM产业成形以来，出货成长率首度可能低于20%的年份，不少人甚至认为，DRAM将有个不算短的好光景。
三星电子(Samsung Electronics)高层最近提到，2017年位元成长率可能为15~20%，对于2017年的获利，抱持着高度的期待，而美光(Mi
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DRAM
- 存储器主导着许多SoC，我们很少听说某个设计包含太多的存储器。然而，存储器消耗了大部分的系统功耗，虽然这对于许多系统可能不是关键问题，但是对于物联网(IoT)边缘设备而言，总功耗是非常重要的。
几乎所有系统的存储需求都在变化。虽然新的存储器和存储器架构已经筹划了很长时间，但仍未被广泛采用。然而，许多业内人士认为临界点已然将近。
过去50年中，SRAM和DRAM已经成为存储器层次结构的主力，FLASH最近几年也在加入了“战场”。所有这些存储结构在往较小的几何结构缩放的
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存储器 DRAM
- 兆易创新借助ISSI在DRAM方面的技术是有可能实现一定程度的进口替代，如果进一步出台政策支持存储芯片的生产与销售，在国内的DRAM市场分到一杯羹。
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兆易创新 DRAM
- 考虑到中国半导体产业链的现状，如果我们不持续投入，那又怎样才能实现电子产业的自主可控呢?
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芯片 DRAM
- 中国大陆拥有庞大IC产品需求市场，但自给自足率却明显偏低，必须高度仰赖海外IC产品进口。为此中国国务院于2015年3月发起“2025年中国制造”(MIC 2025)计划，目标到了2020年达到4成的IC产品自给自足率目标，到了2025年更要达到7成水准。不过市调机构IC Insights分析认为，这项目标恐难达成，而技术落差也成为现阶段大陆IC产业发展面临的最主要困境。
国家层级IC产业供需自给自足的迷思
根据IC Insights报导指出，现实情况下在整体IC产业
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IC DRAM
- 存储器产品主要包括DRAM内存和FLASH闪存。从历史发展经验来看，存储器产业是一个周期波动的产业，同时也是一个高度垄断和高风险的产业。2016年12月底总投资240亿美元的长江存储国家存储器基地正式开工建设，同时福建晋华和合肥长芯等存储器项目也正在积极筹备和建设当中。在我国将发展存储器产业作为国家战略的大背景下，考虑到存储器产业本身的周期波动和不确定性，以及长期大投入、高风险特性，研究认为，尽快建立并完善行业定期监测分析和预警机制，无论从国家层面还是从产业层面，都是一件非常有意义的事情。
存储
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存储器 DRAM
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