TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出，转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四
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TrendForce DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出，转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四
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DRAM 南亚科
目前世界半导体产业进入到寡头时代，竞争格局相对稳定。尽管日本企业在半导体设备行业份额日益减少，但在半导体的一些其他细分行业以及半导体材料领域， 日本企业仍保持着优势地位。
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半导体 DRAM
近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12寸厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30nm制程，至于合肥市与北京兆易创新(GigaDevice)合作的合肥长芯，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现，长江存储将与已并购飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作，切入32层和64层3D NAND技术，由
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DRAM 长江存储
据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
据韩国经济报导，SK海力士(SK Hynix)以21纳米制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10纳米级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半投产72层3D NAND Flash，持续扩大3D NAND的生产比重。
SK海力士DRAM技术本部长金进国(音译)表示，IT产业对大容量、低耗电、存取速度快的DRAM需求渐增，2016年以来市场需求开始由DDR3、LPDDR3转移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
赛普拉斯半导体公司今日宣布其一款用于支持瞬时启动应用的全新小尺寸存储器解决方案已验证成功。赛普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封装(MCP)解决方案在8mm x 6mm的空间内集成了赛普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存储器。该方案在一个低引脚数封装内结合了用于实现快速启动和随开随用高速NOR闪存，和用于扩展便笺式存储器的自刷新DRAM ，特别适合空间受限和成本优化的嵌入式 设计。 该解决方案可用于广泛的应用类别，包括
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赛普拉斯 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)被预估自2017年第2季开始，将全面采用20纳米或以下的制程技术生产所有移动DRAM产品，意谓2017年第2季以后三星也将停止采用25纳米制程技术生产移动DRAM芯片，由此显示出三星在制程技术上的加速演进。
韩联社等外媒报导，根据市场研究公司DRAMeXchange指出，据信在2016年第4季三星生产的移动DRAM芯片中，约94%已开始采用20纳米或以下纳米制程技术生产。
到目前三星移动DRAM芯片采20纳米制程生产比重为82%、18纳米为
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三星 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，DRAM原厂与一线的PC-OEM(代工)大厂敲定第四季度的合约价格，4GB模组均价来到17.5美元，较上月的14.5美元上涨逾20%;现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3/4 4Gb价格分别来到2.46/2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，观察市场面，由于原厂产能陆续转进行动式内存与服务器内存后，
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TrendForce DRAM
南韩冲刺半导体业组成国家队，由当地前两大厂三星电子和SK海力士领军，筹组总规模2,000亿韩元的“半导体希望基金”，投资具发展潜力的半导体相关企业。
三星、SK海力士是全球前两大存储器芯片商，单是DRAM领域，两大厂市占率总和超过七成，具有绝对制价与技术领先优势，两大厂领军筹组南韩“半导体希望基金”，预料以存储器相关业务为优先，台湾南亚科、华邦电等存储器芯片厂，以及正在兴起的大陆存储器产业，短线将面临更大压力。
业界人士分析，此次南韩的&ld
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半导体 DRAM
三星电子智能手机吃闷棍，力拼内存事业救业绩!据传三星为了稳固龙头地位，将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM，对手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)远远落后，技术差距约为一年半。
BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM，准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说，明年三星 10 纳
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三星 DRAM
阿姆斯特丹自由大学(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全实验室VUSec Lab本周揭露了一个可能影响所有智能手机的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移动平台或程式上，而是藏匿在手机所使用的动态随机存取存储器(DRAM)中，将允许骇客取得手机的最高权限。虽然研究人员是以Android手机进行测试，但理论上该漏洞也会影响iPhone或基于其他平台的手机。
研究人员利用的是已知的Rowhammer硬体漏洞，并打造Drammer软体来执行攻击，发现包括LG、Motorola、
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DRAM ARM
市场研究机构IC Insights的最新报告将对2016年全球半导体市场营收的成长率预测，由原先的-2%提升为1%;此外该机构预测，2016年全球IC出货量成长率将在4~6%之间。IC Insights调升半导体市场成长率的很大一部分原因，来自于DRAM市场的强劲表现。
IC Insights指出，自2002年以来，全球IC市场在第三季平均季成长率为8%，但去年第三季市场成长率仅成长约1%左右;2016年第三季的IC市场成长率则出现了略为高于过去十五年平均值的9%。此外该机构预期，2016年第四
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存储器 DRAM
据ICInsight的最新预测，2016年全球半导体业的增长率将是1%，之前的预测为下降2%。它的最新预测为2016年增长1%，及2017年增长4%，而2016年IC unit(出货量)由之前预测增加4%，上升至6%。
IC Insight修正预测的原因是DRAM的价格将止跌回升。如DDR3 4Gb的价格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度达62%。如今由于智能手机及PC对于DRAM的容量需求上升，导致市场缺货，价格止跌回升。三星等又重新开始扩大投资，增加
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SMIC DRAM
行动装置的记忆体不断扩大!三星电子宣布，智慧机将进入8GB DRAM年代，该公司已经开始生产，外界预料将用于明年初问世的Galaxy S8。
韩联社报导，三星电子20日发布业界首见的8GB行动DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四个16Gb的LPDDR4 晶片组成。三星执行副总Joo Sun Choi表示，8GB行动DRAM的到来，可让次世代旗舰机的功能更上一层楼。
目前智慧机行动DRAM最大为6GB，记忆体加大可满足双镜头、4K萤幕、虚拟实境(VR)等的需求。三星并宣称，新品效能与当前
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三星 DRAM
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