市场研究公司ICInsights近日为其《2016McCleanReport》预测报告发布更新，在该报告统计的33项主要IC产品类别中，有14项产品类别在今年的成长率将超过2%，尤其是手机应用处理器MPU与讯号转换IC的成长幅度居冠。
ICInsights的《2016McCleanReport》预测33项主要IC产品类别在2020年以前的市场成长。如图1列出33项主要的IC产品类别，分别以更新的2016年成长率排名。ICInsights预测，今年将有14项产品类别的成长幅度超过2%—
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IC DRAM
公平交易委员会于2016年4月13日第1,275次委员会议决议，核准美商美光(Micron)拟透过其子公司台湾美光取得华亚科全部股权，向该会申报事业结合乙案，依公平交易法第13条第1项规定，不禁止其结合。
公平会表示，本案系属公平法第10条第1项第2、5款之结合型态，又美商美光于相关市场之市占率达25%，符合公平法第11条第1项第2款规定之申报门槛，且无同法第12条所规定除外适用情形，故依法提出结合申报。
公平会表示，华亚科系属美光DRAM的代工厂，其所生产之DRAM全数售予美光，故华亚科
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DRAM 美光
三星量产18nm DRAM，生产成本的竞争优势拉大，就算DRAM价格继续 下滑，其他业者陷入亏损，三星仍能维持获利，这招比较狠。
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三星 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率第一，为半导体产业写下新历史;2015年市占率达45.3%，营收突破200亿美元，不但刷新自身纪录，也成为存储器价格持续下跌声中，唯一还能获利的业者。
据韩媒Money Today报导，市调机构IHS资料显示，2015年三星DRAM营收为204.34亿美元，较2014年186.61亿美元成长9.5%，首次突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元，但三星营收却
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三星 DRAM
韩国三星电子2016年4月5日宣布，开始量产采用10nm级工艺制造的首款DRAM芯片。新产品为DDR4型8Mbit产品。
此次发布的DDR4型DRAM芯片采用10nm级(1x)工艺制造。三星面向此次的芯片，新开发了自主设计的新存储单元结构、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技术、采用极薄绝缘膜形成技术制作的厚度均匀的存储电容等。由此，无需使用EUV装置，可利用现有的液浸ArF装置量产。三星还预定将此次的技术用于下一代10nm(1
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三星 DRAM
目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也称动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存)市场主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美国市调公司IHS指，韩国企业三星和SK海力士的市占率进一步冲高至接近75%，这已经是连续6个季度创下历史新高，那么第三位的美光前途在何方呢?
三星已在技术方面遥遥领先
据DRAMeXchange的报告，受2015年四季度全球DRAM市场营收下滑约9%的影响，三星、SK海力士、美光三家的营收分别下滑9.7%、9.3%、10.5
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DRAM 美光
三星电子周五公布2015业务成果报告，结果一则以喜，一则以忧，虽然其半导体事业蒸蒸日上，但另一个营收主力，也就是手机部门表现仍持续挣扎。其实，三星去年以获利为最高指导原则，营运的重心主要放在半导体上，有如此结果也不令人意外。
据 三星统计，在全球DRAM市场上，三星所向披靡、强取豪夺45.3%的份额，市占率较一年前的39.6%又进步了5.7个百分点。三星指出尽管手机、平板 等行动产品减缓，但预期服务器与其它高阶产品市场将持续成长。除此之外，三星也相当看好物联网与汽车对存储器的需求展望。
在
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三星 DRAM
受来自PC部门需求疲弱，及包括DRAM与NAND Flash价格下滑等不利因素影响，美系记忆体大厂美光(Micron)2016年会计年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)营收仅达29.3亿美元，较前季33.5亿美元衰退12.4%，亦较2015年会计年度同期41.7亿美元衰退29.6%，这是美光自2015年会计年度第1季营收45.7亿美元相对高点以来，单季营收连续5季衰退。
在DRAM与NAND Flash的平均销售单价季衰退幅度超过2位数百分点幅度，加上营业费用控制成效不佳，营业
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美光 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)开始量产18纳米DRAM，成本将可比目前的20纳米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等业者的DRAM制程都还停留在20纳米以上世代，三星电子未来在DRAM市场上，势必将更具价格竞争力。
根据韩媒ETnews报导，存储器半导体的价格越来越低，越快将成本压到比下滑的市场价格更低的话，才有利润能剩下，若降低成本的速度太慢，就会产生赤字。以目前看来，2016年美光最需担忧的就是赤字问题，因为美光没能成功地转换微
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三星 DRAM
不论是NAND闪存还是DRAM内存领域，韩国两家公司三星、SK Hynix总算还能保住吃香喝辣的日子，但美国的美光公司这两年就没啥舒服日子了，技术、产能都落后友商，偏偏现在又遇到了内存、闪存降价，跌跌不休的价格导致美光营收下滑了30%，当季净亏损9700万美元，对未来季度的预测同样悲观。
美光公司周三发布了截至今年3月3日的2016财年Q2财报，当季营收29.3亿美元，上季度为33.5亿美元，去年同期为41.66亿美元，同比下滑了30%。
美光当季毛利只有5.79亿美元，远远低于上季度的8
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DRAM NAND
美国记忆体大厂美光昨(31)公布到3月3日为止的年度第2季财报，每股净损0.09美元，单季由盈转亏，并预估本季仍恐持续亏损。外界认为，美光连二季亏损，与该公司关系密切的华亚科(3474)短期营运将有压力。
受到DRAM价格与出货量都比上季滑落近一成的影响，美光第2季营收为29.34亿美元，季减12.4%，年减29.5%，影响其毛利率表现，仅19.7%，远不如前一季的25.3%，单季税后净损9,700万美元，每股净损0.09美元。
美光预期，本季恐持续亏损，估每股净损0.05至0.12美元，
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美光 DRAM
全球DRAM内存市场垄断在了三星、SKHynix及美光三家厂商中，在这其中三星是第一梯队的，不论工艺还是产能、占有率都遥遥领先其他两家，SKHynix第二，美光的工艺和产能最次。2014年率先量产20nm工艺的DRAM内存之后，三星如今再一次领跑，现在正式量产了18nm工艺内存芯片。只不过内存市场今年普遍看淡，随着厂商产能的提高，内存价格降幅甚至高达40%。
跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
28日武汉新芯科技主导的12英寸晶圆厂正式动工，建成后将成为中国最大、最先进的存储芯片基地，而且直接切入3D NAND闪存领域，起点不低。再之前中国紫光集团宣布斥资300亿美元打造全球前三的半导体公司，一时间中国半导体崛起成了媒体的大新闻，美日韩已经在考虑中国公司的威胁了。早在去年，紫光集团就有意投资230亿美元收购美光公司，但被拒绝了，而且为了让外界放心，美光公司还表示三年内不会在大陆建立晶圆厂。
中国在半导体领域的大手笔投资或者收购已经引起了业界震动，在收购美光不成功之后，大陆公司把目标转向
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三星 美光 DRAM
前日本尔必达(Elpida Memory)社长坂本幸雄开设IC设计公司Sino King Technology，指出目前半导体业界有四种公司：一，有高度研发生产能力的公司，如英特尔(Intel);二，有高度研发能力如德州仪器(TI)或 Sony;三，强调研发生产周期低成本如三星电子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先进生产技术的如台积电。
而Sino King Technology则是要成为不同于上述四种的第五类公司，以研发高度客制化存储器为重，不
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尔必达 DRAM
针对中国将进军DRAM产业，华亚科(3474)董事长李培瑛表示， 由于中国未能取得技术来源，如要自主发展DRAM产业，势必得靠自身研发能力，以目前DRAM之专利及高度专业之技术进入障碍门槛，绝非仅靠投入资金、挖 人才就可达成，预期5年内将不会造成DRAM市场的影响，短期内难有进展。
李培瑛指出，目前全球DRAM技术掌握在南韩三星、SK海力士及美国美 光三大厂手中，为维持自身利益及寡占市场结构，避免中国厂商投入造成供需失衡，目前皆未有与中国技术授权合作或合资建厂计划。中国若未能取得技术来源，短 期
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