- 在此轮内存涨价行情中，由于不少企业加大了建仓囤货的力度，导致在内存流通环节甚至出现了价格倒挂的现象。
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内存 DRAM
- 近两日连续大涨的紫光国芯在接受数家机构调研时表示，前三季因研发投入加大及市场竞争加剧，整体毛利率下降，导致业绩下降。目前第四季度经营好于预期，对全年业绩估计相对乐观，公司积极开拓集成电路业务市场，营业收入稳定增长。紫光国芯预计，公司2017年全年净利润为2.35亿元～3.36亿元，上年同期为3.36亿元，同比变动-30%～0%。前三季度，紫光国芯实现营业收入13.08亿元，同比增长31.31%;净利润为2.13亿元，同比下降22.912%。紫光国芯表示，公司FPGA产品目前处于研发投入阶段，已投入自有
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紫光国芯 DRAM
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求，Server DRAM供不应求的情形在第三季度更为显著。受到平均零售价(Average Selling Price)垫高带动，三大DRAM原厂第三季营收成长约25.2%。
DRAMeXchange分析师刘家豪指出，进入第四季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的状况将更为明显，Server DRAM第四
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SK海力士 DRAM
- 中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出，目前状况到底如何?
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DRAM NAND
- DRAM涨势不断，后遗症逐步显现，渠道商表示，因存储器涨幅过大，下游应用端，尤其是笔电和部分智能手机等市场，不堪侵蚀获利，已开始朝降低搭载量抵制，加上部分新产量陆续在2019年产出，研判明年下半年，DRAM涨势将止步，价格有下调压力。
调研机构研究报告显示，三星、SK海力士及福建晋华、合肥睿力等公司的增产计划，都为未来DRAM市场投下新变数，明年DRAM产值虽仍可成长11.8%，但成长已低于今年的67.8%，到2019年，在新产能增加，重陷价格战下，年产值将衰选25.9%，且预估有2年的杀戮战。
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存储器 DRAM
- 作为一个寡头垄断市场，内存条价格一路飙升背后，是三星电子、美光科技、SK海力士内存厂商正经历一次较为一致的战略转变。
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内存条 DRAM
- 台湾两大存储器模组厂威刚与创见一致认为，动态随机存取存储器( DRAM )将持续缺货。威刚预期，DRAM缺货情况可能延续到明年。
威刚指出，全球人工智能与物联网产业蓬勃发展，带动云端基础设备及服务规模大举跃升，连带刺激全球DRAM需求急遽成长。
只是全球DRAM大厂近年都专注于制程改良，并未就新增产能进行巨额投资，威刚表示，这使得今年来全球DRAM缺货问题不断延烧。
创见预期，第4季DRAM市场仍将持续供不应求，产品价格也将维持高档。
威刚更指出，韩系DRAM大厂已预告明年第1
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DRAM
- 本文讨论不同的存取技术对于DRAM在进行实体设计时所发生的改变，尤其是指由1电晶体+1电容器组成的储存单元——DRAM的最小记忆单位…
不同的存取技术对于动态随机存取存储器(DRAM)在进行实体设计时将发生什么改变?当动态随机存取存储器(DRAM)中的储存单元(storage cell)加上控制端点以及数据端点后，就被称为1T1C DRAM单元;其中，控制端点也就是字组线(WL)，用于传递位址讯号，数据端点也就是位元线(BL)，用于传递数据值。
阵列结
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DRAM
- 随着数字全球化，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存(SRAM)、内存(DRAM)和闪存(NAND Flash)之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率也已成为了电子设备发展的瓶颈。因此研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失(即断电后数据不丢失)等特点的新式通用式存储介质势在必行。
近日，美国Science杂志发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——《Red
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相变存储器 DRAM
- 由于苹果包下了三星、SK海力士、美光等三大厂第四季行动式DRAM产能，在产能排挤效应发酵下，标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货，第四季合约价顺利再涨6～10%，业界对明年第一季淡季续涨5%已有高度共识，法人点名南亚科、华邦电、威刚将受惠最大。
南亚科受惠于DRAM合约价顺利调涨，加上20纳米制程新产能全面开出，6日公告10月合并营收月增9.2%达新台币50.72亿元，创下单月营收历史新高，与去年同期相较亦大增32.7%。华邦电及威刚尚未公告10月营收，但法人乐观预估华邦电营收将介于新台币4
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苹果 DRAM
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂近2年来产能扩张幅度有限，加上20纳米以下先进制程转换难度提高，DRAM位元供给成长明显较往年放缓。但由需求面来看，智慧型手机搭载容量快速增加，物联网及汽车电子的需求亦进入倍数成长阶段。也因此，在供给吃紧情况下，DRAM价格由去年下半年一路涨到今年底，累计涨幅已将超过1倍。
以4GBDDR4模组合约价来看，去年第3季平均价格仅13美元，但今年第4季价格已大涨至30.5美元，不仅价格已连续6季度调涨，累计涨幅亦超过1.3倍。想当然尔，DRAM价格大涨也明显
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三星 DRAM
- 由于苹果包下了三星、SK海力士、美光等三大厂第四季移动式DRAM产能，在产能排挤效应发酵下，标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货，第四季合约价顺利再涨6～10%，业界对明年第一季淡季续涨5%已有高度共识，法人点名南亚科、华邦电、威刚将受惠最大。
南亚科受惠于DRAM合约价顺利调涨，加上20纳米制程新产能全面开出，昨(6)日公告10月合并营收月增9.2%达50.72亿元，创下单月营收历史新高，与去年同期相较亦大增32.7%。华邦电及威刚尚未公告10月营收，但法人乐观预估华邦电营收将介于43～4
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DRAM 存储器
- 从过去的两次半导体产业转移来看，中国如今已经具备成为行业新霸主的条件，未来半导体行业迎来大发展可以期待。
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中国芯 DRAM
- 三星、SK海力士和镁光，这三家大佬目前占据了市场上95%的份额，现在国产存储研发成功，但是良率能否提升、量产能否实现，也仍然存在较大不确定性，从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。
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DRAM
- DRAM供不应求短期难解，全球DRAM制造龙头韩国三星半导体通知渠道商，计划明年第1季再调涨DRAM报价，涨幅3~5%，其中以行动式DRAM涨幅较大，这也说明三星在采取节制性增产下，仍不愿放弃持续拉升DRAM获利，推升集团获利表现，有助破除让近期市场担心三星可能会扩产，打乱DRAM产业秩序的疑虑。
中国台湾地区DRAM大厂也强调，目前主要大厂包括三星、美光和SK海力士等，仍以升级制程作为提高DRAM产出的主要方向，预料即使三星调升部分产线，增加的DRAM产出仍无法满足市场需求，预料明年DRAM还
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DRAM 三星
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