- 围绕着此轮DRAM产业的上涨行情，无论是“供需论”还是“垄断说”，在DRAM一路疯涨的背后，展现的是耐人寻味的众生相，有需求者的无奈，领军者的得意，入局者的尴尬以及监管者的警觉。
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DRAM NAND
- 今年DRAM市场强劲成长，南亚科技(2408)预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧，DRAM平均销售单价走势稳健;展望2018，预期明年整体DRAM市场供需均衡且健康，市场将持续维持稳健。
随着人工智能、物联网、智能汽车、高速运算等应用，促进半导体产业更多元发展，DRAM成为电子产品的关键组件，带动今年内存市场强劲成长逾50%。
展望2018年，南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能，DRAM位年成长率在20%~25%，预估2018年需求将较2017
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南亚科 DRAM
- 纵观2017年，随着数据中心、服务器、智能手机和其他移动产品对DRAM需求不断提升，DRAM产能供不应求，平均售价也在持续上涨。如图1所示，IC Insights预计2017年第四季度DRAM销售额将增至211亿美元的历史最好成绩，与2016年第四季度的128亿美元相比增长65%。
图1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度营收
IC Insights预计2017年全年DRAM的销售额将达720亿美元，年增长率达74%。这是自1993年(1994年的年增长率为78%)以来的历史最好
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DRAM
- 调研机构IC Insights最新报告预估，全球整体IC市场规模将由2016年的2,977亿美元，成长为2021年的4,345亿美元。合计2016~2021年规模年复合成长率(CAGR)为7.9%。
在12类IC终端应用主要产品中，仅游戏机与平板电脑产品用IC市场规模会出现下滑，其余如汽车、物联网(IoT)连结、手机等IC应用市场规模都会呈现成长。其中以车用与物联网连结用IC市场规模成长最快，成长幅度较整体IC高出70%。
预估2017年全球车用IC市场规模，将继2016年成长11%(达2
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物联网 DRAM
- DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，有点太看得起自己，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，要与三星、海力士抗衡，至少还需要
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DRAM
- 日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。下午第三分论坛，中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾，就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示，当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
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RRAM DRAM
- DRAM严重供不应求，三星明年首季再涨价3%至5%之后，SK海力士 下季也将涨价约5%，全球DRAM价格连续七季上扬，是历来涨势最久的一次。
业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于向全球宣告，韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。
手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，有点太看得起自己，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，要与三星、海力士抗衡，至少还需要
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DRAM NAND
- 三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，提高至260亿美元。
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三星 DRAM
- 最近一个多月的时间内，尤其是双11之后，内存价格开始普遍下滑，而且幅度相当夸张，最高甚至接近30%。
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内存 DRAM
- 明年NAND flash究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的报告，开了第一枪 。 如今IHS Markit也跟进，预测明年NAND将供过于求。 但是美系外资力排众议，高喊各方错看，明年NAND供应将持续吃紧。
韩媒BusinessKorea 5日报导(见此)，IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,441亿GB。 其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。 与此同时，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 明年NAND flash究竟是涨是跌，多空激烈争辩。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的报告，开了第一枪 。 如今IHS Markit也跟进，预测明年NAND将供过于求。 但是美系外资力排众议，高喊各方错看，明年NAND供应将持续吃紧。
韩媒BusinessKorea 5日报导(见此)，IHS Markit报告预估，明年全球NAND flash供给将提高39.6%、至2,441亿GB。 其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。 与此同时，明年全球NAND需求提高36.7
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三星 DRAM
- 存储器行业正处于强劲增长的阶段。Yole在其《2017年存储器封装市场与技术》报告中预计，2016~2022年整个存储器市场的复合年增长率约为9%，到2022将达到1350亿美元，DRAM和NAND市场份额合计约占95%。此外，供需失衡正推动存储器半导体芯片价格上涨，导致存储器IDM厂商获得创纪录的利润!
存储器的需求来自各行各业，特别是移动和计算(主要是服务器)市场。平均而言，每部智能手机的DRAM内存容量将增长三倍以上，预计到2022年将到6GB左右，而每部智能手机的NAND存储器容量将增加
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存储器 DRAM
- 紫光国芯日前在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。前不久，针对“存储芯片行业增长很快，为什么西安紫光国芯的毛利率如此低?”的提问，紫光国芯副总裁杜林虎及董秘阮丽颖在与投资机构进行互动问答时表示，西安紫光国芯从事DRAM存储芯片的设计业务，公司自身没有制造环节，但市场上DRAM的代工厂很少，特别是在市场需求旺盛的时期，公司由于规模较小，产能不好保证
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紫光国芯 DRAM
- 中国厂商在国际市场上已经引起三星与海力士的警惕，而紫光、晋华等厂家也都在DRAM市场中进行着试探。
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DRAM 紫光
- 紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。
前不久，针对“存储芯片行业增长很快，为什么西安紫光国芯的毛利率如此低?”的提问，紫光国芯副总裁杜林虎及董秘阮丽颖在与投资机构进行互动问答时表示，西安紫光国芯从事DRAM存储芯片的设计业务，公司自身没有制造环节，但市场上DRAM的代工厂很少，特别是在市场需求旺盛的时期，公司由于规模较小，产
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紫光 DRAM
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