- 2017年，整体内存产业不论DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法，DRAM热度可望延续，供不应求态势依旧，但NAND部分，恐怕就不会那么乐观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供给吃紧，届时产业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多就
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DRAM NAND
- 南亚科总经理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM价格持续看涨，但涨幅会收敛些，下半年则仍待观察三星、 SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。 目前来看，韩国二大厂都表明将依市场需求增产，分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。
李培瑛表示，服务器和标准型DRAM今年市场需求持续强劲，南亚科内部预估，今年DRAM位需求增幅约20%至25%，搭配云端数据中心对服务器DRAM需求同步畅旺，以及高端手机搭载DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奥运来临，刺激电视与机顶盒等需求，带动利基型D
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南亚科 DRAM
- 武汉东湖高新区未来三路与高新大道交汇处，一个被称为“黄金大道”的T字形结构的芯屏组合的产业聚集区已悄然形成。而这其中的“1号工程”正是在中国存储器产业已掀起“巨浪”的长江存储科技责任有限公司(以下简称“长江存储”)。
2018年1月17日，阴冷两天的武汉再度放晴，而长江存储的一期工厂已经竣工，已然组建的研发团队正在东湖高新区(以下简称“高新区”)的另一处办公地址加紧推进研发工作
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集成电路 DRAM
- RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM DRAM
- 研调机构IC Insights发布最新报告指出，DRAM厂于2017年第4季的销售金额将创下历史新高峰，预估达到211亿美元，较2016年第4季的128亿美元大增65%。IC Insights表示，据历史经验来看，DRAM产业在不久的将来，可能经历长期间的景气向下格局，因随着DRAM产能增加，今年价格将开始下滑，跌势更恐达2年之久。
回顾2017年，受惠于数据中心需求，带动服务器DRAM明显升温，同时智能手机与其他移动装置产品采用低功耗高密度DRAM也同步成长，2017年DRAM价格报价一路上扬
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DRAM
- 缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更为重要的潜在影响因素。
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DRAM 三星
- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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三星 DRAM
- 抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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DRAM DDR4
- DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，而明年上半年将转为供过于求。
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NAND DRAM
- 内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。
另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM
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DRAM NAND
- 5nm以下的工艺尺寸缩减逻辑;DRAM、3DNAND和新型存储器的未来;太多可能解决方案带来的高成本。
近日，外媒SE组织了一些专家讨论工艺尺寸如何继续下探、新材料和新工艺的引入带来哪些变化和影响，专家团成员有LamResearch的首席技术官RickGottscho、GlobalFoundries先进模块工程副总裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技术合伙人DavidShortt、ASML计算光刻产品副总裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
- 根据三星最新财报显示，三星Q3净利润更是高达98.7亿美元，增长145%，季度净利直逼苹果，成为世界最赚钱的两家公司之一。而耀眼财报的背后，其半导体业务起着举足轻重的作用。
昨日半导体产业曝出一条最大新闻——“ 三星电子全球首发第二代10纳米级DRAM产品。”
三星在声明中称，这是全球第一个第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片，拥有强化的节能效率和资料处理效能，将锁定云端运算中心、移动设备和高速绘图卡等高阶大数据处理的电子设备。
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三星 DRAM
- 继 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工艺生产出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星电子今日又宣布已开始通过第二代 10nm 制程工艺生产 8Gb DDR4 芯片。另据路透社报道，三星开发的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
据悉，和第一代 10nm 工艺相比，三星第二代 10nm 工艺的产能提高了 30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不仅比第一代快 10%，同时功耗又降低了 1
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三星 DRAM
- DRAM 内存市场近期严重供不应求，造成全球内存龙头三星将于 2018 年第 1 季价格再上调 3% 至 5%。 而另一家内存大厂 SK 海力士也将调涨约 5%。 除此之外，有部分供应链透露，2018 年第 2 季的价格恐也将不乐观，价格将续涨 5% 以上。 因此，在需求太强劲的情况下，此波 DRAM 价格从 2016年下半年以来，每季都呈现上涨的态势。 如果加上 2018 年第 1 季持续涨价，报价已经连续 7 季走扬，堪称 DRAM 史上时间最长的多头行情。
事实上，当前的第 4 季是传统
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DRAM DDR4
- 今年内存供给吃紧，推升价格持续走扬，研调机构IC Insights预期第四季DRAM销售金额将创历史新高。
据IC Insights估计，第四季DRAM销售金额将来到211亿美元，较去年同期跳增65%，且是有史以来最佳记录。
全年来看，DRAM市场预估成长74%，较1993-2017年平均水平高61个百分点，也是继1994年成长78%以来最强成长动能。
许多因素造就今年内存走大多头，当中包含近几年主要内存厂刻意节制扩产动作，同期间刚好又遇上数据中心、行动与游戏设备对高效能内存的需求大
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DRAM
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