- 在芯片等高科技领域，日本经过多年的投入、研发、技术、人才的积累，使其在这一产业上游有着很强的话语权，要想强大，是没有捷径可走的。
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芯片 DRAM
- 中国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷纷开始安装机台预计今年下半年投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。
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DRAM 芯片
- DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
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DRAM NAND
- 据国外媒体报道，由于全球存储芯片市场空前的反弹，超过了逐渐放缓的智能手机和相关元件销售，三星电子预计，周五公布的一季度利润将会增长近50%。三星电子主营业务半导体的收入将占其总营业利润近四分之三。分析师们预计，对于DRAM芯片来说，三星每卖出1美元，就能获得约70美分的营业利润。
元大证券韩国分析师Lee Jae-yun表示:“尽管存储芯片的价格预计将从去年的繁荣期放缓，但出货量的增加和成本削减将进一步推动三星半导体业务的利润增长，并将利润提升到另一个创纪录的年份。”
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三星 DRAM
- 中国已经提出,提高从美国进口半导体芯片的比例,取代来自韩国和中国台湾的产品。
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DRAM NAND
- 美光科技嵌入式产品事业部市场副总裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海电子展”期间，介绍了美光及多家行业分析师对存储器尤其是嵌入式存储器市场的预测，重点是DRAM和NAND在汽车和工业领域的趋势。
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存储器 DRAM NAND 汽车 摄像头 201804
- 2017年1月与2018年1月DRAM每Gb价格一直在急剧上升，电子系统制造商目前正在争先恐后地调整和适应DRAM价格的飞涨。
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DRAM
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，回顾2017年第四季，其中北美数据中心的需求持续强劲，即使原厂透过产品线调整，但仍无法有效纾解市场供给吃紧的状况。Server DRAM受惠平均零售价(Average Selling Price)的上扬，三大DRAM原厂Server DRAM营收季成长约13.9%。
DRAMeXchange资深分析师刘家豪指出，进入2018年第一季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的市况依然持续，而Server DR
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DRAM
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，回顾2017年第四季，其中北美数据中心的需求持续强劲，即使原厂透过产品线调整，但仍无法有效纾解市场供给吃紧的状况。Server DRAM受惠平均零售价(Average Selling Price)的上扬，三大DRAM原厂Server DRAM营收季成长约13.9%。
DRAMeXchange资深分析师刘家豪指出，进入2018年第一季，在服务器出货动能不减的情况下，整体Server DRAM供不应求的市况依然持续，而Server DR
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DRAM
- HBM处理数据的速度较一般DRAM有显著提升，业界预料，HBM市场将以每年2倍以上的速度扩大，不过目前HBM市场仍远小于一般DRAM。
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HBM2 DRAM
- 工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)引用市调机构调查报告指出，去年全球DRAM价量飙扬，产值年增达约77%、达725亿美元，平均销售单价上涨55%;今年预估还是供不应求，虽然涨幅力道不如去年大，但在主要供货商仍有节制增产下， 预估今年平均销售单价仍会涨逾32%，年产值估约年增23%、达近900亿美元，为历年来新高。
IEK看好今年内存仍将会是价量齐扬的一年，主因人工智能将从云端运算往下落到边缘运算，预估到2022年，将会有高达75%的数据处理工作不在云端数据中心完成， 而是透过靠近用户的边缘运
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DRAM
- 2017年第四季度存储市场依旧火爆，受全球数据中心增长驱动，服务器存储器需求尤其强劲，将继续推动公司2018年利润的增长，SK海力士也将扩展新生产线来满足市场需求。
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SK海力士 DRAM
- 全球第二大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第4季获利创单季新高，看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期，尽管智能手机销售不如预期，恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%，但第2季将重启拉货动能，价格仍会续涨。
SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报，去年第4季获利和去年全年获利都创新高。 该公司分析，去年第4季获利创高，主因DRAM芯片出货季增3%，平均价格涨9%;NAND芯片出货增16%，均价涨4%。
SK海力士预估，2018年DRAM芯
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海力士 DRAM
- 大厂3D NAND良率大跃进，供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太理想。
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DRAM NAND
- 紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。
同时，关于公司在国内业界、排名情况，紫光国芯介绍，公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平，国内稀缺，但目前产品产量很小，市场份额不大。
针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。
1月26日紫光国芯在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储
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紫光国芯 DRAM
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