- 实现DRAM量产后，预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场，下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的16Gb（吉字节）LPDDR5移动DRAM，开创业界先河。 三星电子 16GB LPDDR5 三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（
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EUV10 纳米级 LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全
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三星 LPDDR5 DRAM
- 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
- 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
- 7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
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国产 DRAM 内存 合肥长鑫
- 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
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存储器 10nm 南亚科 DRAM
- 三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
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三星 DRAM
- 从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
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DRAM GIDL
- 据ZDnet报道，三星宣布，已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
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三星 EUV DRAM
- 当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12
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三星 DRAM EUV
- 据IDC预测，2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量，如此惊人而又庞大的数据量，半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种，具体类型如下：“凛冬将至”：这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司（三星、海力士、美光）的财报都非常喜人，SK海力士、美光的营收规模均成长近8成，而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说，2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%，达4197.2亿美元，存储器的
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存储器、NAND、DRAM
- 最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影，智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了，Q1季度开始就进入全球牛市，预计会连涨七个季度，也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后，这两家公司纷纷表态对生产基本没影响，但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血，内存及SSD硬盘的现货价应声而起，1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢？UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势，他认为内存涨价将持续至少7个
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DRAM、内存
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