氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺（一）器件结构对比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，目前市面上还未出现G
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氮化镓 GaN 结构 制造工艺
6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF
GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前，NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0
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纯化合物 半导体 RF GaN
Source:Nico De Pasquale PhotographyMoment via Getty Images德国电信旗下子公司T-Systems和Aurora Labs日前达成协议，将各自在车联网服务、云基础设施和专业无线升级（OTA）技术等领域的专业知识结合起来。此次合作将为汽车制造商和车队提供一个安全、成本效益高且灵活的解决方案，轻松更新车辆中的各种设备，即使车辆还在行驶中。Aurora Labs的专利代码行智能技术（LOCI）和无线软件升级技术可将更新文件的大小最多缩小97%，从而最大限度地
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T-Systems Aurora Labs 无线更新技术
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
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CGD 电机控制 GaN
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，
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CGD 数据中心 逆变器 GaN 功率IC
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院（ITRI）签署了谅解备忘录，以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。Andrea Bricconi | CGD 首席商务官“我们很高兴能与ITRI合作，ITRI拥有一个电力解决方案研究团队，在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验
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CGD GaN 电源开发
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化镓 GaN
近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，两
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功率半导体 氮化镓 GaN
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
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GaN FET D类音频放大器
基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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氮化镓器件 电动自行车 无人机 机器人 EPC GaN 宜普
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术，为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案，致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商，其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中，GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
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Qorvo GaN 宽带功率放大器
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展，邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造，象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案，包括：● 功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术● 高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术● &
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纳微半导体 亚洲充电展 GaN+SiC 快充
英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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英飞凌 Worksport 氮化镓 GaN 便携式发电站
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
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EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
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