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基于安森美半导体高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  NCP1342  PD  QR  高频率  GaN  

四维图新旗下杰发科技与IAR Systems达成战略合作

  • 中国上海——2022年12月27日——嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems宣布,其最新发布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.32.1版本已全面支持四维图新旗下杰发科技全系列车规级MCU芯片,帮助中国汽车行业开发者打造强大的嵌入式开发解决方案,助力汽车行业创新。双方将基于协议共同建立合作伙伴联盟,以期加速业务发展。图:杰发科技与IAR Systems达成战略合作IAR Embedded Workbench for Arm为杰发科技MCU芯片提供完整的开发
  • 关键字: 四维图新  杰发科技  IAR Systems  

基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  有源钳位  NCP1568  GaN  PD电源  适配器  

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

  • 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
  • 关键字: NCP51820  安森美  半导体  电源供应器  GaN MOS Driver  

英飞凌推出业界首款PFC和混合反激式组合IC,提高基于GaN的USB-C EPR适配器与充电器的性能

  • 【2022年11月24日,德国慕尼黑讯】USB供电(USB-PD)已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中,扩展功率范围(EPR)规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
  • 关键字: 英飞凌  PFC和混合反激式组合IC  GaN  USB-C EPR适配器  

IAR Systems 与嘉楠科技达成合作,支持RISC-V内核高精度AI芯片

  • 中国上海——2022年11月23日——嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems 与领先的端侧 AI 芯片研发供应商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布,IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片,助力开发双核RISC-V 64位 AI 端侧推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一个完整的C/C++编译器和调试器工具链,将嵌入式开发者所需的一切
  • 关键字: IAR Systems  嘉楠  RISC-V  AI芯片  

基于安森美半导体NCP1342驱动GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充电源方案

  • 此电源设计最大输出功率为65W,配备1A1C双口输出,单USB-C口输出65W(20V/3.25A),单USB-A口输出;双口同时输出时,C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm!上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好!通标变压器设计,21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术!►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度:1.26cm³/W2. QR架构,COST
  • 关键字: 安森美  NCP1342  65W  PD  GAN  1A1C  超小尺寸PD  

西门子收购 Avery Design Systems,进一步扩展集成电路验证解决方案

  • · 此项收购进一步扩展西门子企业级验证平台,将 Avery Design Systems的验证协议和合规性测试套件产品添加至平台之中。· 客户可以在仿真、硬件模拟和原型设计的周期内利用西门子的验证方案优化质量并缩短上市时间。西门子数字化工业软件近日签署对 Avery Design Systems 公司的收购协议。Avery Design Systems 总部位于美国马塞诸塞州的图克斯伯里,是一家独立于仿真的验证 IP 供应商。收购后 Avery Desig
  • 关键字: 西门子  Avery Design Systems  集成电路验证  

格芯获得3000万美元政府基金研发GaN芯片

  • 据外媒《NBC》报道,近日,晶圆代工厂商格芯(GlobalFoundries)获得3000万美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称,电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示,GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。Caulfield在一份声
  • 关键字: 格芯获  GaN  

IAR Systems RISC-V功能安全版开发工具支持最新的SiFive汽车解决方案

  • 嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems®持续为 SiFive 的 RISC-V 车用 CPU IP 提供解决方案:IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench™ for RISC-V 支持最新的 SiFive 车用 E6-A 和 S7-A 产品系列,以满足信息娱乐、连接和 ADAS 等汽车应用的需求。IAR 的完整开发工具链帮助 OEM 和供应商的嵌入式软件开发人员充分利用 RISC-V 提供的能效、简单性、安全性和灵活性。由于 RISC-V 在所有产品中
  • 关键字: IAR Systems  RISC-V  SiFive  

GaN IC缩小电机驱动器并加快eMobility、电动工具、 机器人和无人机的上市时间

  • EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计,增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩,同时简化设计。该逆变器尺寸极小,可集成到电机外壳中,从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器,采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC,内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作,可提供高达28 Apk(2
  • 关键字: GaN IC  电机驱动器  

世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

  • 现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
  • 关键字: GaN  氮化镓  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

功率GaN RF放大器的热考虑因素

  • 氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比,GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙,达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿,达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率,这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比,GaN RF 高电子迁移率晶体管(HEMT)的尺寸要小得多。因此,GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴,在所有 RF 细分市场中获得应用。其中许多应用需要很长的使用寿
  • 关键字: Wolfspeed  放大器  GaN  

使用集成 GaN 解决方案提高功率密度

  • 氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能,使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
  • 关键字: TI  GaN  

大联大友尚集团推出基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案

  • 2022年9月20日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓系统公司(GaN System)GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案的展示板图 以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具,然而随着这些设备所覆盖的功能越来越多,设备有限的续航能力已经无法满足用户对
  • 关键字: 大联大友尚  onsemi  GaN System  PD快充电源  
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