IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新报告显示，随着英飞凌、德州仪器等对 GaN（氮化镓）技术倾注更多资源，功率 GaN 产业的发展将再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市场规模约 2.71 亿美元（IT之家备注：当前约 19.39 亿元人民币），到 2030 年有望上升至 43.76 亿美元（当前约 313.14 亿元人民币），CAGR（复合年均增长率）达 49%。据介绍，消费电子是功率 GaN 产业的主战场，并由快速充电器迅速延伸至家电、智能手
关键字：
功率器件 GaN
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
关键字：
罗姆 SiC 氮化镓 GaN
潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
关键字：
GaN SiC
近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
关键字：
氮化镓 英飞凌 GaN Systems
氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外，在效率层面，氮化镓与碳化硅并驾齐驱，通过实现极低的导通阻抗（即单位面积上可达到的最小电阻），相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能，是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势，氮化镓的应用不仅促进了系统性
关键字：
氮化镓 GaN
本文要点• 氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。• 氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。• 氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是两种宽禁带半导体，彻底改变了传统电力电子技术。氮化镓技术使移动设备的快速充电成为可能。氮化镓器件经常用于一些转换器和驱动器应用氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。通过氮化镓材料的电流比通过硅半导体的电流速度更快，因此处理速度也更快。本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。氮化
关键字：
GaN
近期，Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示，通过此次收购，公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将其
关键字：
Guerrilla RF Gallium GaN
7月1日，纯晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布已收购Tagore专有且经过生产验证的功率氮化镓（GaN）技术及IP产品组合，以突破汽车、物联网和人工智能（AI）数据中心等广泛电源应用的效率和性能界限。资料显示，无晶圆厂公司Tagore成立于2011年1月，旨在开拓用于射频和电源管理应用的GaN-on-Si半导体技术，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。格芯表示，此次收购进一步巩固公司对大规模生产GaN技术的决心，该技术提供多种优势，可帮助数据中心满足不断增长的电力需求，
关键字：
晶圆代工 格芯 GaN
6月21日，台达电子宣布与全球半导体领导厂商德州仪器（TI）成立创新联合实验室。台达表示，此举不仅深化双方长期合作关系，亦可凭借TI在数字控制及氮化镓（GaN）等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术，强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势，增强台达在电动车领域的核心竞争力。台达交通事业范畴执行副总裁及电动车方案事业群总经理唐修平表示：“透过与TI成立创新联合实验室，运用TI在数位控制及GaN领域丰富经验与技术优势，提升电动车电源系统的功率密度和效能，期盼双方达到更紧密的技术交流及合作，以更具前瞻
关键字：
台达电子 TI GaN
根据Yole机构2024 Q1的预测，氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%，其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场（automotive & mobility），“从无到有”，五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场（图1）。而相比之下，碳化硅（SiC）应用市场成长则显得比较温和，CAGR远低于GaN（图1）。随着GaN“上车”进程加速，功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1：在GaN市场份额变化中，汽车与出行市场 “从无到有”，五年后
关键字：
GaN 车用功率器件 Transphorm SiC
● 650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。● 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。德州仪器 (TI)近日推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通常面临的许多设
关键字：
德州仪器 GaN IPM 高压电机
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺（一）器件结构对比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，目前市面上还未出现G
关键字：
氮化镓 GaN 结构 制造工艺
6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF
GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前，NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0
关键字：
纯化合物 半导体 RF GaN
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
关键字：
CGD 电机控制 GaN
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，
关键字：
CGD 数据中心 逆变器 GaN 功率IC
gan hemt介绍
您好，目前还没有人创建词条gan hemt!
欢迎您创建该词条，阐述对gan hemt的理解，并与今后在此搜索gan hemt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473