英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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英飞凌 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓
据英飞凌官微消息，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN
Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN)
功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分。2023年3月2日，英飞凌和GaN Systems联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动
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英飞凌 氮化镓系统 GaN Systems
引言如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确
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202310 罗姆 GaN
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化镓 GaN Transphorm
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口，导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及，市面大部分的产品都透过此接口传输数据，进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
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ST 意法半导体 GAN 第三代半导体 Power and energy PD 协议 快充
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。CGD 的 ICeGaN 已使用台积电的 GaN 工艺技术为全球客户进行大批量生产，将典型外部驱动电路的复杂性引入单片集成的 GaN HEMT 中。这一概念减少了 PCB 级的元件数量，并显著提高功率晶体管和整个系统
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CGD ICeGaN HEMT 台积电
无论是在太空还是在地面，这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
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GaN 晶体管
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看，改采用最新第四代平台，不仅效率超过钛金级能效标准，功率密度更从 100W/in3提升至&nbs
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GaN Systems 氮化镓
据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。根据TrendForce集邦咨询研究报告显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率
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日本 GaN 材料 成本
_____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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宽禁带 SiC GaN 双脉冲测试
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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