- 为了提高CMOS图像传感器的图像质量，通过对图像主要的噪声源以及图像失真的分析，提出一种新型的CMOS有源像素图像传感器。该CMOS图像传感器使用4T有源像素，大大提高了图像传感器的灵敏度。通过在传感器中集成图像预处理功能，对改善图像的质量起到了很好的效果。
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CMOS 图像传感器
- 世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)日前宣布成功开发了0.162微米CMOS 图像传感器 (CIS162) 工艺技术，已进入量产阶段。
华虹NEC和关键客户合作共同开发的CIS162工艺是基于标准0.162微米纯逻辑工艺，1.8V的核心器件，3.3V的输入输出电路。经过精细调整集成了4个功能晶体管和光电二极管(photo diode) 的像素单元可以提供超低的漏电和高清优质的图像。而特别处理的后端布线工艺保证了像素区高敏感性，可
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华虹NEC 晶圆代工 CMOS 图像传感器
- CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术，正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数，然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。
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电路 系统 接收机 射频 CMOS CAN
- 为满足纳型卫星的遥感系统要求, 设计了一套基于互补型金属氧化物半导体CMOS 图像传感器的纳型卫星遥感系统, 采用PC 机模拟星上数据处理系统的功能, 通过控制器局域网CAN总线实现了对CMOS 相机的控制和图像传输等功能。通过热循环实验, 得到了该CMOS 相机平均暗输出和暗不一致性随温度的变化曲线, 预测其适于在10～25 ℃的空间温度环境中工作, 并可经受- 25～60 ℃的卫星舱内温度变化。
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CMOS 图像传感器 纳型卫星 遥感
- 日前，由谢布克大学、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司携手成立的新微电子创新中心在加拿大魁北克Bromont高科技园区正式落成。该研究中心将对下一代硅片集成以及MEMS系统进行深入研究与开发。
新的微电子创新中心对于DALSA未来的发展尤为关键，尤其是在MEMS与WLP相关设备的安装和未来操作职责上担负主要角色。
Dalsa是一家MEMS、高压CMOS和先进CCD制造代工厂。
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IBM MEMS CMOS
- 市场研究机构StrategiesUnlimited指出，全球图像传感器市场将在09年缩水11%，来到64亿美元规模，不过接下来将逐渐恢复正常成长。该机构预期，未来数年该市场的平均年成长率会维持在个位数;到09年为止，其十年来的复合年成长率高达22%。
图像传感器市场在2009年的衰退主要是受到全球经济景气循环影响，而这样的负面影响恐怕会持续下去，特别是在该市场因为几乎所有手机都内建相机而经历爆炸性成长之后。未来几年，预计图像传感器的销售量仍将呈现成长，但短期需求波动、供应过剩或吃紧，以及沉重的价
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CCD 传感器 CMOS
- 近年来，软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样，但是由于通常射频频率(GHz频段)过高，技术上所限难以实现，而多采用中频采样的方法。而对
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Telescopic 0.13 CMOS 工艺
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电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在
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CMOS 性能 集成 电压比较器
- SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
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内存芯片 CMOS FeDRAM
- 片上集成A/D转换器是CMOS图像传感器的关键部件，文章分析和比较了三类不同集成方式：芯片级，列级和象素级的原理，性能和特点。最后，展望了CMOS图像传感器上集成A/D转换器的未来发展趋势。
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CMOS 图像传感器 集成 转换器
- 今年国内拉动内需，特别是3G的启动建设和FTTH进入实质性的发展阶段，使光模块市场一片红火，预计今年我们可实现60%的业务增长。
由于对IC行业来说光通信市场不大，所以光收发IC芯片的供应商并不是很多，在国内我们是第一家量产高速收发芯片的IC公司。
国内芯片企业的优势主要是在成本上，研发成本、管理成本、销售成本都比国外企业要低。对IC来说，基于同样的工艺，制造成本几乎是一样的。要取得制造成本的优势必须发挥技术优势，采用相对低成本的工艺，做出同样的产品性能。我们采用CMOS工艺的收发IC芯片
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3G CMOS IC设计 FTTH
- 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
- CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor)大厂豪威科技(OmniVision)与台积电合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的传感器新产品，陆续获得一线智能型手机OEM厂设计案(design win)，预计本季度开始大量出货。
豪威已开始扩大对台积电下单，台积电(2330)也已完成1.1微米间距BSI制程传感器的功能测试，并计画在12寸厂以65纳米投片。
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台积电 CMOS 传感器 65纳米
- 几十年来，摩尔定律所阐述的生产力效益定律一直是半导体行业发展的驱动力。它催生了数字处理器、宽带和大容量存储器。这些技术大幅提升了PC、手机等产品的生产力。然而，经济学正给半导体行业带来革命性转变。未来，“新摩尔定律”将发挥重要作用。
产品研发从性能驱动转为经济学驱动
半导体产业是个相对年轻的产业。自摩尔定律预测芯片上晶体管的数量每18个月翻一番以来，半导体器件制造商一直追求生产力的提升。这一定律确实没错。如今消费应用的SoC可能集成了几亿个晶体管。然而，半导体产业正
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NXP 摩尔定律 CMOS 晶体管
- 法国市场研究机构Yole Development针对微机电系统(MEMS)市场发表最新报告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服务，使得该领域变得高度分散与高竞争性，但又是整体MEMS产业不可缺少的一块。
Yole表示，大型的开放MEMS代工厂现在都很赚钱，并开始升级到8吋晶圆制程;不过由于MEMS在消费性应用领域的高成长性，以及来自其它高潜力应用市场的商机，也吸引了许多来自主流半导体产业的新进者投入竞争。
Yole并指出，由于这些来自半导体产业的新进者，具备能结合CMOS技术
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MEMS 晶圆 CMOS
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