提出一种基于电荷泵的CMOS图像传感器。使用一个基本的电荷泵电路提高重置脉冲信号的幅值至5．8 V，使像素单元中的充电节点电压在充电周期可以达到电源电压；同时调整像素单元中的源极跟随器的参数，降低充电节点电压在积分周期的摆动范围下界，充电节点电压的摆幅提高了53．8％，传感器的动态范围提高了3．74 dB。这种方案也减小了充电时间常数，使充电周期减小到10 ns，有效地提高了传感器的图像采集帧率。
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CMOS 电荷泵 图像传感器
赛普拉斯半导体公司日前推出一款面向机器视觉市场的高灵敏度高速CMOS图像传感器。该款全新的130万像素VITA 1300传感器结合了管线式和触发式全局快门，具有150帧/秒(fps)的无图像畸变高帧频，而且读出速度很快。管线式全局快门功能能够在读出期间进行曝光，从而减少运动图像的模糊程度。该传感器还可工作于具有中央动态存储器(CDS)的滚动快门状态，以降低噪声，增加动态范围。新型VITA 1300系列源于赛普拉斯在机器视觉市场上颇为成功的IBIS5系列图像传感器，还可以用于条码扫描、运动检测和安防领域
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Cypress 传感器 CMOS
MT9V126 是Aptina 针对车载倒车影像市场推出的高灵敏度CMOS sensor产品，其主要特性：内部集成overlay(on chip)功能;Lens Distortion correction(镜头光学变形校正); Vertical Perspective Adjustment 感光能力可达11.5V/lux-s(55onm); 动态范围pixel Dynamic Range 大于82db;可对客户为开发应用于低照，强眩光等严苛条件下的倒车影像产品，并同时降低客户整体开发成本提供强有力的帮
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Aptina CMOS MT9V126 倒车影像 200911
采用0.18micro;m CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路,本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以
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收发器 系统 复用器 电路 2.5Gb/s 用于 0.18µ CMOS 收发器
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布，推出二款面向油电混合动力车(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)应用所设计的车用级高速低功耗数字CMOS光电耦合器产品。ACPL-M71T单通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驱动光电耦合器为Avago R2Coupler™数字系列产品的最新成员，这些采用小型化SOIC-5封装，拥有耐高温和低功耗特性的光电耦合器非常适合控制器局域网总线(CANBus, Controller Area Ne
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Avago CMOS 光电耦合器
日前在西安曲江国际会展中心召开的第四届中国民营科技产品博览会上，本土IC设计公司西安优势微电子公司推出了中国内首颗物联网核心芯片——“唐芯一号”。
“唐芯一号”核心芯片是中国第一颗完全自主知识产权的2.4GHz超低功耗射频可编程片上系统(PSoC)，采用0.18μm数字CMOS工艺，集无线射频收发、数字基带、数据处理、电源管理于一体，具有无线通信、无线组网、无线传感、无线控制、数据处理等能力，是目前同类芯片中集成度最高
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IC设计 CMOS 物联网 唐芯一号
近期IBM大动作与大陆晶圆代工厂展开技术平台合作，不仅与中芯国际携手45纳米先进制程，亦与无锡华润上华结盟，针对主流制程0.18微米射频CMOS制程技术及订单合作。大陆半导体业者指出，IBM积极运用大陆当地晶圆厂生产力，全力扩展大陆市场，未来IBM技术势力可望在大陆深耕，并与台积电势力相抗衡。
大陆半导体业者表示，目前IBM对于向外技术授权采取更积极做法，尤其针对亟需要技术平台奥援的大陆晶圆厂，IBM积极寻求合作机会，不仅对于技术授权相当开放，甚至不排除让部分原本在IBM下单客户，透过IBM转至
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IBM 45纳米 晶圆代工 CMOS
中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)和全球领先的基于硅 MEMS 的流体控制开发商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通过验证。
“我们已接受过性能规格的 die and run 内部测试”，Microstaq 工程部副总裁 Mark Luckevich 表示，“Ventilum 芯片通过了最高级别的认证，我们正期待着这项技术应用于暖通空调和制冷市场。”
“这是一
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中芯国际 MEMS CMOS
近期IBM大动作与大陆晶圆代工厂展开技术平台合作，不仅与中芯国际携手45纳米先进制程，亦与无锡华润上华结盟，针对主流制程0.18微米射频CMOS制程技术及订单合作。大陆半导体业者指出，IBM积极运用大陆当地晶圆厂生产力，全力扩展大陆市场，未来IBM技术势力可望在大陆深耕，并与台积电势力相抗衡。
大陆半导体业者表示，目前IBM对于向外技术授权采取更积极做法，尤其针对亟需要技术平台奥援的大陆晶圆厂，IBM积极寻求合作机会，不仅对于技术授权相当开放，甚至不排除让部分原本在IBM下单客户，透过IBM转至
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IBM 晶圆代工 CMOS
“虽然国际金融危机对中国半导体产业的冲击非常大，但以中国内需市场为突破口和切入点，中国半导体产业将进入新的黄金发展期。”中国半导体行业协会理事长俞忠钰充满信心地指出。在IC CHINA2009召开前夕，俞忠钰就中国半导体产业发展的现状和未来，以及产业发展的策略和重点等热点话题，接受了《中国电子报》记者的专访。
全球半导体业进入变革和创新时代
记者：由于国际金融危机的影响，全球半导体产业呈现出新的变化和特点。你认为国际金融危机后全球半导体产业发生哪些改变?你对全球半导
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半导体 CMOS 摩尔定律
中芯国际今天宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体 (CMOS) 技术将延伸至40纳米以及55纳米。
这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备(如3G/4G 手机)。
“中芯国际上海的12英寸厂已提前达标完成了45纳米的技术工艺。我们也同样期盼着这些附加的延伸技术能取得佳绩。”张汝京博士 -- 中芯国际总裁兼首席执行长表示，“这些新技术为
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中芯国际 CMOS 45纳米 40纳米 55纳米
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米(µm) CMOS工艺技术。
这ONC18工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用于汽车、工业及医疗应用。基于ONC18工艺的方案将在安森美半导体位于美国俄勒冈州Gresham的8英寸晶圆制造厂制造，因此，预期对于寻求遵从国际武器贸易规章(ITAR)的合作伙伴、在美国国内生产的美国军事应用设计人
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安森美 CMOS 晶圆制造
1969年，贝尔实验室(Bell Laboratories)的科学家Willard S. Boyle和George E. Smith发明了第一个成功的数字影像传感器技术：电荷耦合组件(CCD)。40年后，随着影像传感器逐渐发展成为一个年出货量达13亿颗的庞大市场，这两位技术先锋也在2009年获颁诺贝尔物理奖，以表扬他们在数字成像领域的贡献。
“影像传感器技术对世界和整个社会带来了巨大且深远的影响，”iSuppli分析师Pamela Tufegdzic说。“影像
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CCD CMOS 影像传感器
本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以工作在2.5b/s，功耗约为6mW。
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micro 0.18 CMOS 2.5
台积电宣布与AMCC(应用微电路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)结盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微处理器将以台积电90奈米CMOS制程生产，未来将进一步推进到65奈米及40奈米制程。这意味着台积电在 CPU代工领域再下一城。
AMCC为全球能源及通讯解决方案商，台积电表示，这次双方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微处理器首次采用非SOI制程技术，受惠于台积电成熟的bulk CMOS技术
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台积电 CPU代工 CMOS
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