采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。
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CMOS 随机数发生器 扩展频谱 振荡器
在去年的Freescale全国大学生智能车大赛中，赛道信息检测方案总体上有两大类：光电传感器方案和摄像头方案。前者电路设计简单、信息检测频率高，但检测范围、精度有限且能耗较大;后者获取的赛道信息丰富，但电路设计和软件处理较复杂，且信息更新速度较慢。在比较了两种方案的特点并实际测试后，我们选择了摄像头方案。本文将在获得摄像头采集数据的前提下，讨论如何对数据进行处理和控制策略的实现。
数据采集
我们选择了一款1/3?OmniVision?CMOS摄像头，用LM1881进行信号分离，结合AD采样
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飞思卡尔 智能车 传感技术 CMOS 摄像头
Thomson Reuters12日报导，法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。
2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混合信号制程的专业半导体代工厂商，且为力旺于韩国首位取得合作的半导体代工策略
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Magnachip CMOS 传感器 液晶显示器驱动芯片 微控制器
NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。
这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂，该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。
东芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28纳米 半导体
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件，它能实现磁电转换，可用于检测磁场及其变化。
霍尔效应虽然在1879年才被发现，但是直到20世纪50年代才出现了对其的应用，然而器件成本很高。1965年，人们开始将霍尔传感器集成进硅芯片中，从而促进了霍尔器件的应用。
经历三大发展阶段
霍尔器件的发展大致可分为三个阶段：
第一阶段是从霍尔效应被发现到20世纪40年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大,霍尔效应十分微弱而没有引起人们的重视。到了1910年，有人用金属铋制成霍尔元件作为磁场传感器
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霍尔传感器 CMOS A/D转换器 总线接口
NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器(PCM)，该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。
他表示，“我们已经看到了很好性能。下一个问题是是否继续生产。”他还补充道，这一决议还未作出。PCM的关键优势在于可以在断电时也能保存数据，作为当前环保节能战略的积极响应，因此前景十分看好。预计PCM的性能要好于闪存，并且其几何尺寸也要比闪存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存储技术
2008年，在国际金融危机的影响下，中国网络与通信类电子整机、计算机类电子整机、消费类电子整机产量以及汽车电子增速明显下降，这也直接导致MEMS加速度计、MEMS压力计、DMD(数字微镜元件)、喷墨打印头、硅麦克风等产品需求量快速下滑。2008年，中国MEMS市场规模达110.6亿元，同比增长21.9%，较2007年，市场增速下降接近20个百分点。
MEMS市场前景乐观
2008年，中国MEMS市场增速大幅回落。然而，作为半导体领域最为前沿的产品领域之一，未来，MEMS新型显示器、MEMS
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汽车电子 MEMS CMOS
S-1137系列是使用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、备有软启动功能、输出电流为300 mA的正电压型电压稳压器。 可使用1.0 µF的小型陶瓷电容器，也可以在低消耗电流(消耗电流为45 µA典型值)的条件下工作。 为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路。 此外，还能通过电源开/关控制电路来延长电池的使用寿命。 和以往采用CMOS工艺的电压稳压器相比，可使用的电容器种类较多，还可以使用小型的陶瓷电容器。 因能采用小型的SOT-89-5, SO
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精工 CMOS 稳压器
全球领先的半导体公司和全球 CMOS 影像技术领导商意法半导体 (STMicroelectronics)(STM) 和世界领先的工程基板供应商 Soitec今天公布了两家公司之间一项独家合作，以便於为消费电子产品的新一代图像感测器开发 300mm 晶圆级背面照度 (BSI) 技术。
当今最先进的图像感测器的解析度正不断提高，而特别是在消费市场，总体减少相机模组占用空间的需求很高。这意味着必须开发更小的单个图元尺寸，同时保持图元灵敏度以便产生高品质的图像。在开发新一代图像感测器时，背面照度是一项能
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ST CMOS 图像感测器
初创公司Cswitch推出一种瞄准网络、无线基站和电信基础设施应用等信息包处理的新颖的可配置逻辑芯片。该器件由异质阵列组成，这一阵列将一排排通用逻辑单元（与传统FPGA中的非常类似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（内容地址存储器）模块、ALU（算术逻辑单元）和专门用于信息包处理的模块散布在一起。Cswitch公司总裁兼首席执行官Doug Laird表示，其目的是满足日益增长的如下应用：这类应用必须以线速处理打包数据，而且要使用比传统FP
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FPGA 信息包处理 Cswitch CMOS
电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子17日共同宣布，即日起将提供已通过晶圆专工验证的LakerTM制程设计套件(PDK)予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双方后续的合作将专注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得设计团队能将不同产品以最快的时程上市。
Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC设计软件，能支持联华电子的65奈米CMOS(互补金氧半导体制程)标准逻辑制程及混合模式技术与低
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springsoft CMOS 芯片设计
OmniVision Technologies, Inc.是开发先进的数位影像解决方案的领导者，日前所展示的最新 AutoVision 影像解决方案能够解决汽车业的需求，为驾驶人支援应用装置(如倒车摄影机及盲点侦测系统)提供更生动鲜明的影像。仅 1/4 英吋的超薄型 OV7960 和 OV7962 能提供杰出的微光效能 (<0.01/lux)，为全世界最小的 AutoVision CSP (aCSPTM) 封装，体积比竞争的 CMOS 装置可小至 50%。
「我们最新的 AutoVis
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OmniVision 封装 CMOS
一个由欧、美两地研究人员所组成的团队，让达到100Gbps的硅芯片上传输速度成为可能;该技术将特别有益于电信产业，并为全球不断增加的网络信息流量获得缓解之道。
该研究团队成员分别来自瑞士ETH大学、比利时研究机构IMEC、美国Lehigh大学，以及德国Karlsruhe大学;他们成功制造出一种具备高度非线性特征、超高速的光波导(opticalwaveguide)架构。
由于在这类组件中，光子信号不必再转换成电子信号，因此被视为是达成全光学信号传输的关键组件。为了达成这个目标，研究人员采用S
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硅芯片 CMOS
美国密歇根大学科学家开发出一种由纳米级忆阻器构成的芯片，该芯片能存储1千比特的信息。发表在《纳米快报》(Nano Letters)上的此项研究成果将有可能改变半导体产业，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或电脑成为可能。
忆阻器是一种电脑元件，可在一简单封装中提供内存与逻辑功能。此前，由于可靠性和重复性问题，所展示的都是只有少数忆阻器的电路，而研究人员此次展示的则是基于硅忆阻系统并能与CMOS兼容的超高密度内存阵列。CMOS指互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
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CMOS 芯片 忆阻器
设计了一款3．7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化，并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0．18 μm CMOS混合信号制造工艺，芯片面积为0．4 mm×1 mm。测试结果显示，芯片的工作频率为3．4~4 GHz，根据输出频谱得到的相位噪声为一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明，该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能，可以用于锁相环和频率合成器。
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CMOS GHz VCO LC
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