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cmos+dps 文章 进入cmos+dps技术社区

GSM前端中下一代CMOS开关设计(04-100)

  • 　　早期手机设计采用环行器在发射与接收间双工通信。然而，若想用上述设计来支持多个频带，就需要多个环行器。这类铁氧体基设计使手机既体积大又价格昂贵。并且在某些场合下，由于环行器带宽太窄，根本不能正常工作。其它可供选择的方案有高频开关和滤波器组。它们同样存在成本或体积的问题。 　　GSM手机是在时间双工基础上工作的，自然前端最好采用只有开关的实施方案。这是因为双工滤波器的插入损耗比开关高得多，而且在目前，它还承受不了GSM的功率电平。GSM手机占有60%的手机销售份额，因此本文集中介绍GSM系统对开关的要求
  • 关键字： GSM  CMOS  

基于CMOS工艺的数字步进衰减器的设计

  • 本文基于Peregrine(派更)半导体公司的单片数字步进衰减器(DSA，Digital Step Attenuator)产品系列，阐述了DSA通用设计方法、RF CMOS工艺以及这些器件的性能。
  • 关键字： CMOS  工艺  步进  数字    

Icera 将收购专注于射频 CMOS 技术的 Sirific Wireless

  • 　　英国布里斯托尔2008年4月7日电 /新华美通/ -- 软件定义无线调制解调器芯片集领域的领导者 Icera Inc. 今天宣布，该公司已经与专注于先进 CMOS 射频 (RF) 收发器的无晶圆厂半导体公司 Sirific Wireless 签署了一项最终合并协议。这将使 Icera 能够为移动宽带市场提供一套完善的芯片集解决方案。行业分析师预计到2012年移动宽带用户将从目前的9000万增至13亿。    　　 该交易显著加快了 Icera 产品的上市，并增强了该公司在用于移
  • 关键字： CMOS   射频  调制解调器  Icera   

超低成本手机的RF设计(06-100)

  • 　　预计在末来几年超低成本手机(ULCH)市场会迅速增长。RF设计将是ULCH的关键。 　　灵敏度是关键 　　就系统而言，灵敏度是ULCH的1个关键参量，它直接涉及到收发器的性能。这是因为系统灵敏度直接影响所需的网络基础架构的投资和实际用户的感受。可以始终如一地接收较小信号的手机将具有较好的语音清晰度和较少的通话破坏(如服务可达性问题和失掉通话)。较好的灵敏度能改善给定蜂窝内的手机有效范围(包括蜂窝边沿)并为衰减条件提供较好的抗扰度。ULCH市场的网络经营商可以选择在基站和相关基础架构设备中从最小的资
  • 关键字： ULCH  RF  CMOS  

采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

  • 　　前言 　　随着通用移动通信系统(UMTS)网络在日本和欧洲实现商用，市场对多频段宽带码分多址(W-CDMA)收发器芯片的要求更加苛刻——除了缩小芯片面积和主板占用空间、减少组件数量、降低材料成本外，还要求芯片具备足够的灵活性，不仅要支持工作频段I，还要支持其他多个频段。考虑到UMTS的全双工性质，再加上支持所有频段要求在面积更小的芯片上集成多个发射和接收通道，如何最大限度降低这些通道之间的串扰，就成为一个非常具有挑战性的任务。第一颗采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片直接
  • 关键字： Infineon  CMOS  UMTS  W-CDMA  

小型无线视频传感器设计(06-100)

  • 　　前言 　　单片无线电技术的飞速发展，小型CMOS图像传感器和数字摄像技术的改进，造就了新一代无线图像传感器，即一种小型化(体积不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一种能高效，经济地感知环境，无线遥测图像的传感器。本文介绍的分布无线传感器网络用的成像器，可广泛地应用于视频监控，医学与化学分析，货物跟踪以及仓库控制等领域。   　　图像传感器 　　市场上已有多种CCD与CMOS成像器和集成小型摄像机。虽然CCD有较高的信噪比，良好的图像质量，但CMOS有可能SoC集成，工作电流小，是一
  • 关键字： 传感器  CMOS  无线  

低功耗、高线性CMOS可编程放大器

  • 摘  要：针对接收机前端中可变增益放大器需要高线性处理大信号的问题。分析了使用源极退化电阻以及跨导增强电路的放大器线性度；设计了使用改进型跨导增强电路的放大器。它具有更强的跨导增强能力，同时减小了输入MOS管跨导由于漏源电压变化产生的非线性失真。提出了一种对称的可变电阻结构，它降低了MOS管开关带来的非线性。仿真结果表明，放大器在3．3V电源电压下直流功耗为1．5mW。在1～lOMHz带宽、3～24dB增益范围内，差分输出信号峰峰值为3．3V时，总谐波失真低于-60dB。 关键词：可变增益放大
  • 关键字： CMOS 可编程放大器  

CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计

CMOS两级运算放大器调零电路性能分析

  • 　　引言 　　运算放大器的高速性能主要靠两个重要的参数来衡量，即大信号响应时间和小信号响应时间。大信号响应时间由摆率决定，小信号响应则由建立时间或单位增益带宽来决定。提高运放速度的方法有多种多样[1][2][3]，折叠式运算放大器有功耗较大，折叠点处寄生电容高等缺点[1]；采用套筒式运放结构，如果采用二阶结构，则会造成较大的功耗，采用一阶结构则会限制差分输出摆幅[2]；反馈结构放大器也存在问题，一是匹配问题不易实现，二是电路的输出跨导受输出信号的影响较大[3]。 　　本文介绍的典型基本二级运算放大器具
  • 关键字： CMOS  运算放大器  

基于LVDS的SerDes芯片简化汽车应用中的视频互联

  • 　　近年来，随着CMOS成像传感器和Flash存储器等产品价格的日益下降，对于成像和视频技术感兴趣的消费者数量在不断增加。在不久的将来，视频将在汽车环境中的安全性应用方面创造价值，目的在于使我们行驶的路面和驾驶的汽车都更加安全。 　　豪华汽车中已经出现防撞系统，可以借助环绕在汽车周围的多角摄像机，监视预定范围内各种物体对车体的靠近情况。在恶劣的环境中，将这些远程摄像机与用于实时分析每个图片的集中视频处理器相连接，会产生非常实际的问题，尤其是在各个摄像机可能生成16位或更高的视频信息以及多个控制信号的情况
  • 关键字： CMOS  

SRC基于CMOS工艺的汽车雷达硅芯片取得新进展

  •       据报道，佛罗里达州大学以及半导体研究公司(SRC)在开发基于CMOS工艺技术的汽车雷达集成电路上以及取得进展。       现有的雷达芯片由昂贵的材料制成，如砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)。据研究人员透露，用于制造汽车雷达的电子电路价值几百美元。       新型的基于硅片的雷达芯片可能只要10美元就能制造出来，据佛罗里达大学以及SR
  • 关键字： CMOS 汽车雷达 芯片  

意法半导体通过CMP为科研机构和设计公司提供45纳米互补金属氧化物半导体制造工艺

  • 　　意法半导体和CMP (Circuits Multi Projects ®) 宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务，他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。 　　45纳米CMOS工艺的推出，是延续ST与CMP授权大学使用上一代65纳米和90纳米CM
  • 关键字： 意法半导体 CMP CMOS   200802  

3G大门开启 IC厂商研发提速

  • 　　编者按：2008年3G的覆盖和推广将上一层楼。在中国市场，中国移动采购了首批3G终端，这预示着中国将开启3G的大门。产业链上游相关IC公司也开始加紧布局，在3G手机基带、射频和电源管理领域不断推陈出新，来适合中国的市场应用。 　　鼎芯通讯(上海)有限公司总裁兼CEO陈凯 　　增强CMOS和SoC技术竞争力 　　在3G研发方面，鼎芯去年的主要工作集中在两个方面：一个是全面推动原有射频-模拟基带芯片组CL4020/CL4520的产业化，包括严格的工业指标和客户验证;另外一个是进一步的演进，后续的产品
  • 关键字： 3G IC CMOS   

光电器件、传感器迎来快速增长期

  • 　　光电器件、传感器/激励器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市场规模不大，容易受到市场忽视。但2006-2011期间，预计其年平均增长率约10%，高于整体芯片市场9%的年均增售增长预测。 　　本世纪初期，手机和其它便携式产品中显示屏增长驱动，包括摄像头手机和数码相机的CMOS图像传感器、用于键盘背光系统的高亮度白光LED、手机和其它便携产品的彩色显示屏等。多年来，光电器件和分立器件的市场规模几乎相等。但是预计到这十年末，光电半导体销售收入将拉开与分立器件的距离。 　　在目前半导体业务中
  • 关键字： 光电器件  传感器  CMOS  传感器  

45纳米芯片方兴未艾 32纳米处理器09年登场

  • 　　中国芯片制造商中芯国际(SMIC)宣布，周四公司已经对IBM的45纳米集成电路制成技术加以认证。 　　SMIC说，公司将会采用IBM的CMOS技术制造300毫米晶圆片，这些晶圆片用于SMIC的制造工厂。CMOS，或者说金属氧化物半导体元件，是微处理器所采用的一种主要的集成电路。 　　公司在一次联合声明中表示，IBM技术将被用于制造图形处理芯片、芯片组、用于高端移动电话的元件，以及其他消费设备。该认证技术预期将对SMIC的65纳米低端技术加以补充。 　　SMIC的总部设在上海，是中国最大的晶圆制造
  • 关键字： 芯片  45纳米  CMOS  IC  制造制程  
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