现在到处都在谈论数字电源。新成立的公司和已经取得牢固地位的半导体厂商都声称数字电源(或者更准确地说，是数字控制开关电源管理集成电路)比模拟为主的产品更胜一筹。他们说，新的数字电源具有更高的性能和更低的成本，将取代老式的、早已过时的模拟开关稳压器。人们将采用通用的数字CMOS工艺技术，而不再需要专有的模拟工艺技术，同时还将极大地降低成本。电源管理方式即将发生变化：要么数字化;要么请走开，别再挡路。
我们先花点时间来琢磨一下这个词。“数字电源”或“数字控制电源”有几种不同的含意。最简单的定义是通过数
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数字电源 模拟 CMOS 嵌入式
1，TTL电平(什么是TTL电平)： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平
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TTL CMOS 电平 嵌入式系统 单片机 嵌入式
本设计实例提供了一种可作为微控制器替代品的简单、廉价及便携式设备电路，来为音频电路设计与调试提供各种低失真正弦波信号源。尽管从直接数字合成器 (dds) 产生的正弦波具有更高的稳定性及更少的谐波成分和其他寄生频率成分，但这是一种能让设计人员采用凌特科技公司ltspice 免费件并磨砺其电路仿真技能的更具“颠覆性”的方法。振荡器包括一个频率测定网络以及一种用于防止电路饱和、波形削波及谐波产生的振荡幅度限制方法。许多音频振荡器设计均采用经典维氏电桥带通滤波器拓扑，并将白炽灯、热敏电阻器或jfet 电路作为
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正弦波 CMOS 数字合成器 放大器
CMOS问世比TTL较晚，但发展较快，大有后来者居上、赶超并取代之势。
1.组成结构
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路的英文字头缩写。它由绝缘场效应晶体管组成。由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路。其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，如图1所示。由于两管栅极工作电压极性相反，故将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，如图1(a)所示，则两管正好互为负载，处于互补工作状态。
图1 CMOS电路基本结构示意图
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CMOS 逻辑门电路 逻辑电路
赛普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同，这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时，能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。最终的数字图像与35毫米胶片的景深相同，同时允许电影制作人能将观众的注意力引导至画面的特定部分，这种功能是一种极具创意价值的讲述故事的手段。
OSCAR CMOS图像传感器赋予D-20摄像机以
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赛普拉斯 图像传感器 CMOS 音视频技术
定制图像器材成为ARRI公司ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪的核心 2007年12月26日，北京讯，—赛普拉斯半导体公司（纽交所代码CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同，这使得D-20摄像机在拍摄高清（HD）图像时，能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。
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赛普拉斯 CMOS 图像传感器 视频 传感器
近年来，软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样，但是由于通常射频频率(GHz频段)过高，技术上所限难以实现，而多采用中频采样的方法。而对于百兆赫兹的射频段，可以直接射频带通采样，这就要求采样系统有高的分辨率，而且其Nyquist频率要求比较高。本文设计的用于软件无线电台12 b A/D转换器中的高精度，高速运算放大器，采用了增益提高电路，在不影响频率响应的同时，得到普通运放所达不到的高增益。
1 高精度，高速度
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模拟技术 电源技术 软件无线电 CMOS 放大器 放大器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 扩大了 RS422/RS485 收发器产品系列，推出为高温应用设计的“H 级”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的扩展工作温度范围以及这些应用传统上所需的属性。这些新温度级器件拓宽了凌力尔特公司业界标准低功率 CMOS 收发器产品线，有助于在汽车应用中常见的严酷环境条件下确保可靠数据传输。
凌力尔特公司的 LTC285xH 系列收发器有多种选择。精选版本具有转换率限制，同时其它版本具有接
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 RS422 CMOS
意法半导体宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射频 (RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。
这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的，原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度(低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下，整个电路仅占用0.45mm2)。
ST的半导体成就归功于公司开发CM
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嵌入式系统 单片机 意法半导体 45nm CMOS EDA IC设计
2007年12月10日，意法半导体宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。
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ST CMOS 45nm 射频
讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法，论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用
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CMOS 集成电路设计 电阻 设计方法
本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器，其中包括了级联型有源电感的优化设计。
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CMOS LNA 有源电感 负载
1 引 言
利用高速线扫描摄像机进行监控，具有在线监控、高精度和高速度的特点[1，2]，一般常见的线扫描摄像机，感光器上的每个像素在进行动态扫描时，每次仅对移动中的物体做一次曝光，而时间延迟积分(TDI)电路具备较多且有效的积分时间，从而增强信号的输出强度。目前，TDI技术的研究多局限于CCD工艺。CCD器件是实现TDI的理想器件，它能够实现无噪声的电荷累加[3～5]，但传统CCD图像传感器技术存在驱动电路和信号处理电路难与CCD成像阵列单片集成，需要较高的工作电压，不能与深亚微米超大规模集成电
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模拟技术 电源技术 TDI CMOS 图像传感器 传感器 执行器
0 引 言 带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE
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软启动 CMOS 带隙基准 电源 模拟IC 电源
引 言
带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。
本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果表明该基
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嵌入式系统 单片机 CMOS 带隙基准 比较器 测量工具
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