- 继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND闪存芯片，这种新制程的芯片产品容量将比34nm制程产品提升一倍。
这次采用25nm制程技术制作的NAND闪存芯片产品主要是8GB容量的芯片产品，这种8GB芯片的面积仅为167平方毫米，其容量可容纳2000首歌曲，7000张照片或8小时时长的视频片段。
目前还不清楚首款配置这
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Intel 25nm NAND
- 据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示，三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额，其中三星的营收 份额最高，达到了38.5%，东芝则位居第二为33.8%，两者合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额。按美元计算，今年第一季度NAND 闪存的市场总值达到43.6亿美元，比去年第四季度NAND闪存市场总值43.3亿美元提升了0.6%。由于季节性因素的影响，每年的第一季度闪存市场一 般都会比上一年最后一季度有所萎缩，而今年则反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 闪存
- 英特尔今天开始出货25纳米NAND闪存，容量为8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存储能力却增加了一倍，这种芯片主要面向智能手机和多媒体播放器。
同时英特尔还暗示600GB的固态硬盘产品将在今年年末出现，使用的应该也就是这款闪存芯片。
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英特尔 25纳米 NAND
- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- Fudzilla消息，英特尔今年将有SSD方面的大计划，预计在今年第四季度，公司将展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD产品。
这种SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技术，容量包括160、300和600GB，属于第二代X25-M产品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
其中1.8英寸版本最大容量300GB，将成为供应家庭娱乐和消费电子的主推产品。
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英特尔 SSD NAND
- 本文详细介绍了向MPC8349 控制计算机移植U-Boot 的方案。随着嵌入式系统的发展，U-Boot 作为嵌入式操作系统的引导程序的作用变得越来越主要。在这种情况下，研究基于MPC8349 控制计算机的U-Boot 的移植就更加的重要。研究结果表明：移植到MPC8349 控制计算机上的U-Boot 能高效、安全、稳定的运行。
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8349 Boot MPC 计算机
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
- 英特尔(Intel)和美系记忆体大厂美光(Micron)所成立的合资企业IM Flash，为了赶上半导体业2010年牛气冲天的景气，决定让新加坡厂重启营运。
2005年英特尔和美光因看好NAND Flash市场，遂于2006年初合资成立IM Flash，由英特尔出钱出力，美光则提供技术，由IM Flash专门为这2家公司生产NAND Flash。但在半导体景气循环来到低点，再加上金融海啸的冲击下，IM Flash受到严重冲击，在2008年IM Flash裁员800人，花费35亿美元打造，本应于2
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三星电子 NAND Flash
- 据外电报道，三星电子表示，该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示，公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller，确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外，今年2月公布开发20纳米制程64GB NAND闪存
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三星电子 20纳米 NAND
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Boot loader 串口
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内核 Boot loader
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嵌入式 Boot loader
- Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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系统 实现 DSP 管理 Flash 存储 Nand
- 据国外媒体报道，三星电子今天发布的财报显示，受益于PC需求增加以及电视价格上涨，该公司第一季度营业利润同比猛增7倍。
利润增长
三星的初步财报显示，该公司第一季度营业利润约为4.3万亿韩元(约合38亿美元)，上下浮动区间为2000亿韩元，去年同期调整后营业利润仅为 5900亿韩元。根据彭博社的调查，15名分析师此前对三星营业利润的中位数预期为4.27万亿韩元。
外界预计，受到存储芯片以及平板显示器价格上涨的刺激，三星第一季度将创下今年最好业绩。受此影响，三星股价周一创下历史新高。分析
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三星电子 NAND 存储芯片
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