- 镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光 NAND 闪存芯片 34nm
- 研究机构集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%~10%，主要原因是多数供货商已接获部份电子系统厂客户10月到11月的旺季长单，同时近期记忆卡客户的旺季备货需求，因此NAND Flash市场供货吃紧，在卖方主导市场下，10月上旬NAND Flash合约价持续地上扬。
16Gb MLC NAND Flash合约价走势图
集邦科技指出，在10月到11月，多数NANDFlash供货商份仍将优先供货给电子系
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NAND 存储 闪存
- 2009年NAND Flash缺货缺翻天，三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余，不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观，还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗，到底葫芦里是卖什么药?业界相当好奇!而原本应该站在反对立场的大客户创见，这次却成为三星自有品牌记忆卡的代理商，究竟整起故事的来龙去脉为何?连同业都有雾里看花之感，只能说三星2009年真的是新人事、新作风，每一步都让业界跌破眼镜!
与三星做生意的客户都知道，2009年不论在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
- NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动，32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元，存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下，预计可再次创下新高，同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高，创见也受惠欧洲市场买气回笼，9月预计可达新台币30亿~35亿元水平，威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下，9月营收预估可达35亿~40亿元，劲永9月营收也将维持高档不坠。
NAND Flash现货
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Apple NAND 智能手机
- 三星电子(Samsung Electronics)2009年随著新经营团队上任，营运策略出现不少重大转变，将影响存储器产业生态，三星日前决定全面停止对台销售DRAM芯片，一律只销售DRAM模块。存储器厂表示，三星策略明显侧重OEM市场，减少与现货客户合作，就连NAND Flash芯片供货策略，亦同样以消费性电子大厂为优先，尤其近期PC厂对于DRAM模块需求强劲，三星供应台湾DRAM模块数量大减，市场日前甚至喊出 1条DDR2模块40美元天价。
存储器业者指出，三星2009年在全球供货策略出现许多
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Samsung DRAM NAND
- NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动，32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元，存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下，预计可再次创下新高，同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高，创见也受惠欧洲市场买气回笼，9月预计可达新台币30亿~35亿元水平，威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下，9月营收预估可达35亿~40亿元，劲永9月营收也将维持高档不坠。
NAND Flash现货
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Apple NAND 智能手机
- 据iSuppli 公司，虽然2009 年面向笔记本电脑的固态硬盘(SSD)销售因为内存价格飞涨而受挫，但企业市场对弥补上述领域的疲软表现是绰绰有余，从而推动今年整体SSD 市场的营业收入将增长六倍。
第二季度NAND 闪存的成本大幅上升，引起SSD 价格跳涨，使其与硬盘驱动器(HDD)相比缺乏竞争力，并影响其在笔记本电脑中的普及。 NAND 闪存是SSD 中的关键部分，约占其价值的90%。然而，对于寻求扩展功能和降低整体功耗的企业数据中心来说，SSD 仍然是一个具有吸引力的选择。
由于企业
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NAND SSD PC
- 分析师指出，资本支出创下历史新低使IC市场供应收紧，价格可能随之上涨，但可能会发生其他不可预料的结果。
IC Insights总裁Bill McClean称，今年半导体资本支出在销售额中所占的比例降至12%，创历史新低。芯片商在经历了严重衰退后，对资本投入依然比较谨慎。
“我们还不知道资本支出比例12%意味着什么。”McClean说道，“我们从来没有遇到过这种情况。”
资本支出比例在2008年为16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产能水平。
东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产，按原先的计划，合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右，不过按目前的产能规划来看，实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面，对手In
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SanDisk 20nm NAND 闪存芯片
- 苹果意外在9月初向NAND Flash大厂下订单，导致NAND Flash供给大幅吃紧，预计在2009年11月底之前，缺货情况仍无解。现在三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)产能都被苹果包下来，另外存储器模块龙头大厂金士顿(Kingston)则是包下英特尔70%的NAND Flash产能，双方成为长期合作伙伴，显示未来全球4大NAND Flash厂能释出的产能相当少，缺货潮将延烧到11月。
存储器业者表示，这次NAND Flash缺货潮相
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英特尔 NAND 存储器
- 2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际，各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势，DDR2饱受冷板凳之苦许久，然现在风水轮流转，DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故，市场意外出现缺货声浪，DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势，导致现在DDR2库存过低，南亚科副总白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺货问题将更明显浮上台面，且由合约价蔓延至现货价，届时1Gb DDR2现货价格将看到2美元。
近期市场传言，三星电子(Samsung Electronics)有意将1Gb DDR2价格压在1.7美
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Samsung DRAM NAND
- 手机搭载记忆体分为2种形式，第1是外接快闪记忆卡，第2是内建NAND Flash记忆体。随着消费者对于利用手机下载多媒体影音、照片、游戏等需求日益提升，对于记忆体容量的需求更是越来越高。
过去只流行数位相片的时代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相当够用，但数位影片的风气盛行后，这样的低容量产品已无法满足消费者的需求，因此除了外接快闪记忆卡之外，内建NAND Flash记忆体的风潮已开始发酵，从最早内建4GB和8GB容量记忆体，现在内建记忆体容量已提升至16GB和32GB。
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Samung NAND 智能手机
- 市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
- 近日三星电子(Samsung Electronics)紧急通知台系存储器模块厂，9月对于台厂NAND Flash供货量将锐减50%，迫使部分存储器模块厂大老板紧急前往韩国调货;无独有偶地，美光(Micron)日前亦告知客户无货可供应，加上原本供货量有限的东芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash产能呈现严重不足。存储器业者透露，主要是苹果(Apple)iPhone和iPod不断追加订单，加上手机大厂内建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash产能几乎被消费性大
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三星 NAND iPhone iPod
- DRAM价格趋于稳定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，台厂面对这样美好的光景，心中还是有些疑虑，担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗，破坏DRAM价格涨势，然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单，且随著智能型手机价格平民化的趋势，未来内建高容量存储器普及，都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景，三星在喜迎苹果大单之余，也无暇与台系DRAM厂厮杀，暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触
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三星 DRAM NAND 存储器
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