- 镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光 NAND 闪存芯片 34nm
- Intel虽然提前发布了34nm工艺X25-M固态硬盘，并火速出现在市面上，但很快就曝出了固件缺陷，不得不暂时停止销售。
第一批出货的34nm X25-M固态硬盘使用的固件版本为02G2，经Intel确认其中存在一个bug，会在用户取消或更改BIOS硬盘密码的时候造成固态硬盘无法使用。
Intel表示会尽快发布新版固件，已经购买甚至不幸中招的消费者可以联系Intel客户支持部门，寻求更换新品或者退款。
尽管影响不大，但先期开卖的商家均挂出通知，提醒消费者注意，特别是在抢得首发的日本秋
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英特尔 固态硬盘 34nm
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