三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽 是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款
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三星 30nm NAND
北京时间12月2日消息，据国外媒体报道，《韩国先驱报》援引匿名消息人士的话报道称，三星2010年计划投资约7万亿韩元(约合60亿美元)扩大芯片业务。
消息称，其中约5万亿韩元(约合43亿美元)将用于扩大DRAM芯片业务，2万亿(约合17亿美元)韩元将用于扩大NAND闪存和逻辑芯片业务。
三星2010年芯片投资将比2009年的4万亿韩元(约合34亿美元)高75%。10月份发布第三季度财报时，三星曾表示明年芯片投资将超过5.5万亿韩元(约合47亿美元)。
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三星 NAND 逻辑芯片 DRAM
近日，有某匿名厂商指控苹果在NAND闪存市场上“欺行霸市”，威逼闪存厂商。该厂商指苹果经常向韩系三星，海力士等厂商超额订货。《韩国时报》还报道称苹果经常采取等待闪存由于供过于求而出现价格下降时，才采购少量闪存的采购策略，这很容易导致闪存厂商的库存再次出现积压现象。
由于海力士与三星两家厂商的闪存业务对苹果依赖甚大，因此他们对苹果的这种策略可谓敢怒不敢言，只好被迫接受苹果将签订的长期订货协约价下调4%。这家未具名厂商的高管指这种行为“极为不合理”。
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三星 NAND
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款三
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三星 30nm NAND
据悉，包括三星、LG、诺基亚等手机大厂第四季将上市销售的手机，已将MicroSD等NAND记忆卡列为标准内建配备，加上消费者扩充手机记忆卡的需求也明显转强，带动第四季记忆卡销售量大增。力成董事长蔡笃恭表示，MicroSD记忆卡封测产能吃紧现象将延续到明年1、2月。
NAND晶片大厂三星下半年开始跨足记忆卡市场，并与创见合作销售，新帝(SanDisk)也传出介入贴牌白卡市场，只是手机用小型记忆卡需采用较先进的基板打线封装(COB)制程，但两家大厂自有封测厂产能已多年未曾扩充，因此8、9月后已大量将
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SanDisk NAND 封测
台湾DigiTimes报道，数家内存厂商最近聚集在台北探索建立对大陆和台湾的固态存储产业共同标准，与会者们预计随着制程逐渐过渡到20nm，NAND闪存价格将出现大幅下跌，最终实现一个可负担的水平，不过这一时间点被认为是2011年以后。
此外，来自大陆的工业代表敦促尽快发展和规范SSD的规格，以解决来自国际供应商控制的核心技术。
去年Fusion-io公司首席科学家Steven Wozniak曾表示，他并不认为SSD硬盘会很快就能替换普通硬盘。不过由于SSD硬盘功耗更低，同时性能更高，也不需
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NAND SSD
由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单，加上原本三星电子(Samsung Electronics)供应NAND Flash数量相当有限，12月供应量控制亦开始松动，以及白牌记忆卡在市面上流通数量增加，使得淡季需求明显反映在现货及合约价上，近2个月NAND Flash价格从高档连续缓跌，累计回档幅度相当深。不过，多数存储器业者认为，由于价格跌幅已大，预计后续再大跌机率不大，25日NAND Flash 11月下旬合约价开出，便呈现持平到小跌局面。
存储器业者表示，苹果对于NAND Flash供
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苹果 NAND SSD
市场研究机构水清木华日前发布“2009年手机内存行业研究报告”指出，NOR闪存在512Mb是个门槛。高于350Mb，NOR闪存的成本飞速增加。同时，NOR闪存的应用领域单一，应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大，成本优势越明显，应用领域更广泛，应用厂家也多。手机市场变化迅速，现在每一款手机的生命周期通常都小于5年，NOR最强大的优势“长寿”也不复存在。尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降，但是专心NOR领域的只有Spansion。而NAND
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手机 NAND NOR
尽管IC产业在步入2009年的时候还是前景迷茫，但在岁末之际，曾深受经济危机影响的存储产业终于看到了复苏的曙光。面对市场可预期的需求增长，恒忆 (Numonyx) 通过两方面的举措响应市场需求，扩充产能。一是通过从高节点技术向低节点技术的制程升级，进一步扩大位级产能;二是充分发挥“灵活资产(Asset Smart)”策略的优势，与合资晶圆厂、代工伙伴一起增加产能。
展望2010年的市场前景，主管恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道的销售副总裁龚翊表示：“作为全球存储器解
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Numonyx NAND NOR闪存 PCM
尽管 IC 产业在步入 2009 年的时候还是前景迷茫，但在岁末之际，曾深受经济危机影响的存储产业终于看到了复苏的曙光。面对市场可预期的需求增长，恒忆 (Numonyx) 通过两方面的举措响应市场需求，扩充产能。一是通过从高节点技术向低节点技术的制程升级，进一步扩大位级产能;二是充分发挥“灵活资产(Asset Smart)”策略的优势，与合资晶圆厂、代工伙伴一起增加产能。
展望2010年的市场前景，主管恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道的销售副总裁龚翊表示：“作为全球
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Numonyx NAND NOR闪存
市场研究机构水清木华日前发布"2009年手机内存行业研究报告"指出,NOR闪存在512Mb是个门槛.高于350Mb,NOR闪存的成本飞速增加.同时,NOR闪存的应用领域单一,应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大,成本优势越明显,应用领域更广泛,应用厂家也多.手机市场变化迅速,现在每一款手机的生命周期通常都小于5年,NOR最强大的优势"长寿"也不复存在.尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降,但是专心NOR领域的只有Spansion.而NAND领域,三
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三星 NAND NOR RAM
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性，单元尺寸较小，而且每个单元内能保存多个比特，因此存储密度和成本
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NAND 闪存 相变存储
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合，生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装产品以智能手机、个人媒体播放器和新兴的移动互联网设备为应用目标。较小的外形尺寸、低成本和节能是这类应用的核心特色。
美光公司目前向客户推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装试用产品，预计于2010年初投入量产。4Gb NAND-2Gb LPDDR组合
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美光 NAND 34纳米 智能手机
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