- 近期台湾创新存储器公司(TIMC)获得经济部补助，联合茂德、晶豪打算从NAND Flash产业重起炉灶，加上力晶、旺宏亦纷投入NAND Flash市场，3方人马点燃台湾NAND Flash战火。力晶董事长黄崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash产业6年来投入新台币70亿元，是台湾血统最纯正技术，目前力晶NAND Flash技术脚步相较于国际大厂仍晚1个世代，但若未来成功走向20纳米制程，对台湾NAND Flash研发是很大突破。
事实上，力晶NAND Flash产品系师承日商瑞萨(Renes
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TIMC NAND
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。
今年第二季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键
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NAND 闪存芯片
- 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。
iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。今年第二 季度NAND闪存芯片供货量充足导致价格出现下降的趋势。但是，智能手机等产品正在集成视频摄像机等组件，从而产生了额外的存储需求。
厂商产量不会由于超过了需求而进行限制。但是，供应商将根据合同义务和关系向关键的合作
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NAND 闪存芯片
- U-Boot在MPC8265平台上的移植与分析,如何根据开发板的硬件资源设计引导加载程序是嵌入式系统设计的重点与难点。为解决引导加载程序的设计问题，针对一个基于MPC-8265处理器的硬件系统平台，分析了U-Boot的源码结构组成和启动流程，并提出U-Boot的移植方法。该方法可广泛应用于其他处理器及嵌入式系统。应用结果表明，移植后的U-Boot-1．2．0在开发板上运行良好，可以成功稳定地引导Linux-2．6内核以及NFS根文件系统。
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分析 移植 平台 MPC8265 U-Boot
- 6月10日消息，据路透社报道，全球最大的记忆体芯片生产商韩国三星电子周四表示，计划投资36亿美元，扩大其在美国的芯片生产能力。
三星电子的海外唯一一家芯片厂就设在美国得克萨斯州的奥斯汀，此次产能扩增主要是针对生产大型积体电路(LSI)芯片的设备。
奥斯汀工厂主要生产用于手机和数码相机的NAND型闪存芯片。三星电子在声明中称，工厂扩产计划还包括增聘500名员工。
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三星电子 NAND
- 至此，对于今年全球电子工业的看法是乐观的，而且是有相当大的增长。
但是作为一个编辑者仍有些担忧，以下是对于2010年有10个理由来看好或者是看衰半导体业。
1. IC热，然后冷
Gartner分析师Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半导体销售额达2900亿美元， 与2009年销售额2280亿美元相比增长27.1%。与Gartner之前在第一季度的预测，2010年增长19.9%相比有明显提高。
芯片销售额的增长明显超过系统产品销售额的增
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半导体 DRAM NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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DRAM NAND 半导体制造
- 6月3日消息，据台湾媒体报道，全球DRAM模组龙头美国金士顿创办人孙大卫昨天在台表示，DRAM厂的制程转换技术门槛不低，再加上智能手机等新的应用产品，带动DRAM需求，他认为下半年的DRAM市况应该会好。
孙大卫表示，DRAM制造厂越来越少，各大厂多进入制程转换的阶段，总产出量恐比实际预期要低。而在智能手机、3D电视等多元化的新应用产品纷纷出线下，下半年的DRAM供需不仅趋于平衡，甚至可能出现供不应求的情况。
南韩三星电子大举提高资本支出的计划，让台系厂商非常紧张。孙大卫则认为，目前全球的
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DRAM NAND 智能手机
- NAND闪存的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存 设计 映射 适应 NAND
- 按IC Insight报告，在DRAM 及NAND市场高涨下，导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂，它们的排名至少前进了一位，其中 Elpida前进了6位，列于第10。
同时列于第2的三星电子，估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥，IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时，它将扩大今年半导体的投资达96亿美元， 也即表示
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Hynix 存储器 DRAM NAND
- u-boot的Makefile分析,U－BOOT是一个LINUX下的工程，在编译之前必须已经安装对应体系结构的交叉编译环境，这里只针对ARM，编译器系列软件为arm-linux-*。U－BOOT的下载地址： http://sourceforge.net/projects/u-boot
我下载的是1.1.6版本
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Makefile分析 u-boot
- 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因南北韩政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来南北韩关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星
根据DIGITIMES
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三星电子 DRAM NAND
- 三星在DRAM及NAND中称霸，年产值达200亿美元。然而近期的几件事让人联想泛泛，三星拟再夺全球代工的宝座。
南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)日前提高资本支出，其中在系统LSI(System LSI)部门，资本支出亦增加逾50%，达2兆韩元(约18亿美元)，以满足手机等系统单芯片(SoC)需求，显示三星有意加强晶圆代工业务。业界对此解读，三星主要系着眼于最大客户高通(Qualcomm)手机芯片订单，未来是否会扩大分食高通在台积电订单，高通订单版图移转变化有待观察
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三星 DRAM NAND
- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能，引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示，原先预期三星明年下半年启动扩产，其进度比预期快得多，惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发，今年将切入50、42纳米制程，技术超越台系厂商;对照先前65纳米，生产成本优势将提升约40%至50%，台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能，由于比原先预期将在明年下半年启动快的多，也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛，但也突显三星对DRAM后续产业前景，有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- 据市场研究公司iSuppli发表的按美元统计的第一季度全球NAND闪存市场的销售收入数字显示，三星和东芝主宰了NAND闪存市场，仅给其它所有的公司留下了较少的市场份额。三星今年第一季度的市场份额是38.5%，紧随其后的东芝的市场份额是33.8%。其它每一个厂商争夺的市场份额只有27.7%。
按美元统计，今年第一季度全球NAND闪存市场的销售收入是43.6亿美元，比 2009年第四季度的43.3亿美元增长了0.6%。因此，你可以计算出供应商的实际销售收入。iSuppli称，这是一个好消息，因为历史
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Numonyx NAND 闪存
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