- 摘要：U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便，因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路，并根据NAND Flash的物理结构和存储特点，增加U-
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实现 启动 Flash NAND U-Boot
- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示，受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动，加上 NANDFlash均价跌幅趋缓，东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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东芝 NAND
- VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
同时由于经济大环境可能对于产业的影响，目前对于产业抱谨慎的乐观，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同样的看法。
VLSI在它的最新看法中发现各种数据是交叉的，按VLSI的最新预测，2010年IC市场可能增长30%，但是2011年仅增长3.7%。而2010年半导体设备增长96%。
而在之前的预测中认为2010年全球IC市场增长28.1%，其它预测尚未改变。
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芯片制造 NAND
- 无疑2009年对于闪存市场是可怕之年。
要感谢产业的很快复苏，预测2010年全球闪存市场已经很热，然而按Web-Feet Research报告，其供应链部分却遭受困境。
按Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都很热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。
这是好的消息而坏消息在供应链中也开始传了出来。
Apple及其它OEM釆购大量的闪存，使得市场中有些购买者采
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闪存 NAND NOR
- iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销，正引发连锁反应。
7月28日，闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在上海接受本报记者专访时表示，苹果产品的热销消耗了整个闪存芯片市场不少库存，目前行业正处于供不应求的局面。
受此拉动，闪存芯片巨头们普遍迎来了一个靓丽的财季。
近期陆续出炉的最新一季财报显示，在iPhone以及iPad的拉动下，闪存芯片近期需求及价格大幅上升，英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售
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NAND 闪存芯片 iPhone
- 据国外媒体报道，三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示，受芯片业务大幅增长的推动，公司第二季度净利润同比增长83%。
在截至6月30日的第二季度，三星电子净利润为4.28万亿韩元(约合36亿美元)。这一业绩好于上年同期，2009年第二季度，三星电子的净利润为2.33万亿韩元。三星电子第二季度运营利润为5万亿韩元(约合41亿美元)，创公司季度运营利润历史新高，同比增长87.5%。三星电子第二季度营收为37.9万亿韩元，较去年同期增长17%。三星电子本月初发布的初步财报显示，公司第
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三星电子 NAND 闪存芯片
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
- 三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。
三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NAND Flash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将
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三星电子 NAND
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
- 日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NAND Flash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NOR Flash，并为其代工的可能性。
据悉，尔必达已取得飞索的NAND IP技术的授权，该项技术乃是以其称为MirrorBit的独家技术为基础。此外，尔必达计划自2011年起透过旗下的广岛12寸厂，为飞索代工生产高阶NAND Flash，而双方亦将各自进行客户营销。
路透(Reut
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尔必达 NAND
- 三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻，未来将
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三星 NAND 东芝
- 闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作，这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作，另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。
现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用，接口数据传输率仅133Mbit/s
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三星 NAND
- 据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。
据悉，尔必达与台湾创新存储器公司(TIMC)合作虽然破局，但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在，政府单位与尔必达互动密切，尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书，经济部正进行审查中。
官员透露，尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟，已进入实质合作内容洽谈中，研发中心切入的产品并非一般的动态存储器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半导体市场需求成长已优于2008年秋季金融危机爆发前的水平，2010年5月半导体销售额续创新高。就地区别来看，含大陆在内的亚太市场占全球销售比重已过半并持续成长中，已成为全球半导体市场需求的强力支撑。然因市场对欧洲经济成长仍持疑虑，2010年秋季后市场需求动态值得关注。
美国半导体产业协会(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的统计数据指出，金融危机爆发前全球半导体销售高峰为2007年11月的231.2亿美元，而2010年5月全球半导体销售额达2
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DRAM NAND
- 编者点评：每年的SEMICON West时，时间己经过半，所以业界都会关心下半年与未来会是怎么样。2010年半导体业可能十分亮丽，似乎已成定局。然而对于设备业看似今年的增长幅度达90%，但是许多设备公司仍是兴奋不起来，因为2010年业绩的增长仍显不足于弥补之前的损失。而未来的前景有点模糊，增长点来自哪里?似乎谁也说不清楚。
SEMICON West美国半导体设备展览会即将开幕，与去年全球IC下降不同，如今半导体设备业有点红火。
按市场调研公司 VLSI预计，2010年半导体设备业增长96%
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半导体设备 NAND DRAM
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