Infineon 与 LS ELECTRIC 围绕 AI 数据中心和下一代电网签署合作备忘录，合作方向包括高效率直流电力基础设施、储能、电力转换、固态变压器和固态断路器。此次合作也反映出，AI 数据中心供电正逐步从单一器件优化，延伸至电力链路和系统架构协同。Infineon 与韩国电气设备企业 LS ELECTRIC 近日签署合作备忘录，双方将面向 AI 数据中心和下一代电网，推动高效率直流电力基础设施相关技术研发与产业合作。公开信息显示，合作重点包括储能、电力转换系统、固态变压器和固态断路器等方向。AI
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Infineon
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AI数据中心
固态变压器
固态断路器
SiC
GaN
储能
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近两年陷入供过于求及价格跌落的第三类半导体6寸碳化硅（SiC）基板，在产能限制及多方需求浮现下，价格已明显见底，甚至开始回温。 半导体通路业者指出，目前呈现供货吃紧状态，客户若要加量购买，更「必须加价」，近日已难负荷加量订单。功率半导体产业近期迎来一波涨价潮，也为SiC增添信心，其一是通膨的连动效应，尤其地缘政治带动下，功率半导体正启动新一波涨价。 其二，AI需求旺盛造成相关资源的竞争，AI数据中心与电动车（EV）的800VDC，为第三类半导体SiC与氮化镓（GaN）打造出刚性需求。半导体通路业者指出，产
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6吋
SiC
基板
碳化硅（SiC）凭借低导通电阻、高导热、高耐压、快开关速度等特性，已广泛应用于光伏风电逆变器、储能系统、固态变压器等电力设备，适配电网、AI数据中心、快充等高压大功率场景。随着电力系统功率密度持续提升，SiC器件工作电压与运行温度不断提高，高压绝缘与高密度散热成为行业核心技术难题。针对这一痛点，纳微半导体推出全新UHV-TO-247-4-ISO高压隔离封装，专为1200V至3300V高压SiC MOSFET设计，在分立器件小巧体积的基础上，实现模块级的电气与散热性能。 纳微UHV-TO-247-
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封装技术
MOSFET
SiC
全球知名半导体制造商罗姆宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展（electronica Shanghai 2026）。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重挑战；在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高
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罗姆
慕尼黑上海电子展
SiC
罗姆公司研发出 TSC3PAK 封装，这是一款应用于碳化硅 MOSFET 的顶部散热封装产品，主要面向电动汽车与工业设备中的高压电能转换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 毫米，既支持自动化装配，散热能力也可媲美 TO-247-4L 等传统通孔封装产品。当前碳化硅器件的应用范围不断拓展，除牵引逆变器外，还逐步应用于车载充电机、电动压缩机、服务器电源以及光伏逆变器等设备，封装技术也随之成为设计环节中的关键考量因素，因此本次新品研发备受行业关注。传统大功率应用场景中所使用的碳化硅 M
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SiC
功率MOSFET
高压器件
顶部散热
封装技术
摘要安森美（onsemi）的Elite Pairing Studio是一款在线设计环境，帮助工程师在高要求的电力电子应用（包括AI数据中心、电动汽车和工业系统）设计中，简化碳化硅（SiC）MOSFET与栅极驱动器的配对。通过可视化呈现器件级行为和配对权衡，Elite Pairing Studio能助力工程师更早地做出明智决策，并有助于减少设计迭代。Elite Pairing Studio作为安森美更广泛设计工具集的入口，为系统级的性能、能效和热特性评估提供了无缝路径。新闻亮点· E
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EDA工具
电源设计
SiC
·英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展·固态断路器是一种基于半导体技术的快速响应电子装置，可在短路或过载时保护电路和组件免受损坏·英飞凌碳化硅功率模块有效提升西门子断路器的效率、功率密度和可靠性全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与西门子股份公司（以下简称西门子）开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅（
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英飞凌
西门子
SiC
碳化硅
CoolSiC
MOSFET
固态断路器
直流配电
储能
AI数据中心
TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）重磅推出B25696H*系列MKP直流高频 (HF) 薄膜电容器。作为适用于新一代碳化硅 (SiC) 电力电子器件的高可靠性、高性能直流支撑电容器平台，该系列元件的容值范围为47 µF至1280 µF，额定电压范围为900 V至2000 V，具备超低自感和低等效串联电阻 (ESR) 特性，可满足现代高开关频率拓扑结构的应用需求。B25696H系列的典型应用包括储能系统 (ESS)、固态变压器 (SST)、可再生能源逆变器、牵引驱动及工业电机驱动。 &
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TDK
B25696H
MKP薄膜电容
直流支撑电容
SiC
超低自感
ESR
纹波电流
【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合，以满足AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上，英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出的首批采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。在 PC
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英飞凌
CoolSiC
JFET
AI数据中心
常关型器件
全球功率系统与物联网半导体龙头企业英飞凌科技股份公司（德交所代码：IFX / 场外交易代码：IFNNY）正式宣布加入英伟达（NVIDIA）MGX AI工厂生态体系，助力下一代AI数据中心完成供电架构迭代升级。英飞凌全套电源管理解决方案，将全面适配英伟达MGX™架构与800伏直流（800 VDC）供电体系。该体系是面向智能AI时代、专为AI工厂打造的开放式模块化参考架构。适配800 VDC标准的MGX电源机架，不仅能够提升现有AI基础设施的算力与功率密度，也为未来AI算力集群的迭代升级提供了清晰的技术路径。
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英飞凌
英伟达MGX
800VDC
高压直流供电
AI服务器
机架供电架构
GaN
SiC
电源管理
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。 随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日
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数字隔离器
东芝
工业半导体
SiC/GaN
电机控制
纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。 输入/输出侧电源状态反馈，助力功率器件开关安全在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯
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隔离半桥驱动芯片
NSI6602Ux
电源状态反馈
RDY
SiC
IGBT
CMTI
欠压锁定
OBC
DC-DC
中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开
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东芝
1200V
沟槽栅
SiC
MOSFET
AI数据中心
中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境
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罗姆
SiC
MOSFET
AI服务器
电池备份单元
过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能源汽车市场逐渐成熟，领先的SiC企业们纷纷谋求进入新的竞争阶段：谁能够率先突破“中高压”乃至“超高压”电力电子领域，谁就有机会成为下一代SiC竞争的赢家。 在这样的背景下，压力重重的Wolfspeed（欧胜）于2026年3月率先发布全球首款商业化10kV SiC MOSFET（C
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SiC
10KV
Wolfspeed
英飞凌
罗姆
电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可持续地攻克兆瓦级应用。Das 表示：“技术进步的核心价值，在于提升生产效率、改善生活品质。SiC 功率电子器件，能显著缩短电动车充电时间、助力 AI 数据中心升级供电系统。”电动车迈向兆瓦级快充Das 指出，电动车行业正转向兆瓦级快充：1 兆瓦快充已商用，目标体验媲美燃油车加油；SiC 可
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碳化硅
SiC
超快充
数据中心
安森美
英飞凌
意法半导体
01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET图2. 平面栅型MOSFETN+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。P-body区：P型阱区，通过离子注入形成。其上方是源极的N+区。栅极(Gate)：在SiO2绝缘层（栅氧）之上，用于控制沟道导通。源极
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英飞凌
SiC MOSFET
二极管
SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开发的 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，主要面向数据中心制冷系统中的电机驱动、储能系统电网变流器以及工业驱动设备。该系列共六款产品，其中两款的导通电阻 RDS (on) 仅 1mΩ，在 62mm×152mm 封装内实现 240W/in³ 的功率密度。QSiC
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SiC
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液冷
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点:1.并联芯片参数尽可能一致2.功率回路、驱动回路与散热结构布局一致3.门极驱动电路的优化设计作为高速开关器件,SiC MOSFE
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英飞凌
SiC MOSFET
并联设计
对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及,和未来智能电网的电力潮流双向流动,让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW级机架演进,传统数据中心供电架构已经不堪重负,难以承载极端功率密度与能效要求。智算中心正从“算力堆砌”迈入“算电协同”的关键阶段。在这一背景下,SST
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英飞凌
沟槽栅
SiC MOSFET
SST高频高压
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。1、利用 SiC CJFET替代
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安森美
碳化硅
SiC CJFET，MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
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Vishay
GaN
SiC
开关
EMI滤波
航天级
共模扼流圈
在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiC MOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiC MOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使得发热位置更加集中（详细原因阐述见谈谈SiC MOSFET的短路能力）。这给短路保护设计带来了巨大的挑战，即使是微小的系统设计差异也会显著影响S
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SiC
MOSFET
短路行为
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅有650V/1200V两档电压等级，G2系列电压等级更加全面，涵盖400V/650V/750V/1200V/1400V，以及丰富多样的封装形式
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英飞凌
SiC
MOSFET
很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
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第三代半导体
SiC
GaN
硅基芯片
202603
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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SOT-227
1200V
SiC MOSFET
功率模块
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三类宽禁带功率器件，在近1 MHz高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC、单相LLC与三相LLC——对其系统效率与元件数量的影响。仿真结果表明，尽管三
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800V
半导体技术
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