富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。
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富士电机 SiC
有关Ice Cream Sandwich的消息不断，近期出现在网络上的报导众多，一般认为，Ice Cream Sandwich将会以Android 4.0的版本号码释出，成为Android发展史的重要里程碑。朝完全迈向商业化努力的Android系统，即将进入重要的发展阶段：「平板与手机 Combo」版本
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Android Combo iPhone
引言 随着现代技术的发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场
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设计 分析 模块 功率放大器 宽带 SiC
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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SiC 宽带功率放大器 模块设计 放大电路
安川电机试制出了利用SiC功率元件的电动汽车（EV）行驶系统（图1）。该系统由行驶马达及马达的驱动部构成。通过...
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安川电机 EV行驶系统 SiC
在由Xilinx主办的会议上市调公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有关全球ASIC市场的报告。Semico对于传统的ASIC市场将只有低增长的预测,而可编程逻辑电路(PLD)在带宽与可移动联结等日益增长的需求推动下将有大的发展。
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Xilinx Semico SIC
结合蓝牙(Bluetooth)、Wi-Fi、FM以及GPS等主要射频功能于单晶片封装的Combo芯片组，今年将会有相当明显的成长。目前组合芯片领域的一些主要的厂商包括Broadcom、德州仪器、CSR、Atheros和拥有Snapdragon平台的高通。而一些设备厂商在其新的无线设备上也开始大量采用组合芯片技术，在缩减成本的同时，尽可能多的为产品功能进行完善。
根据ABI Research的预估，随着行动装置市场水涨船高的态势，今年全球Combo芯片的出货量将达到2.8亿组。ABI Resear
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Broadcom WiFi Combo
摘要：介绍了TV+DVD COMBO机开路状态下易产生的干扰，针对其现象对干扰源、干扰现象、传播路径及敏感器件的进行了分析，并通过相应措施的应用，达到对此状态接收机电视信号质量的改善。文中着重介绍了电源部分产生的
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研究 解决 方法 干扰 接收 DVD COMBO 开路 TV 滤波器
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。
独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
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英飞凌 肖特基二极管 SiC
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 OPA653 与 OPA659 JFET 输入运算放大器，其可实现3 倍于同类竞争产品的 2675 V/us 压摆率，从而可显著提高脉冲响应。上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗 JFET 输入级完美结合，可通过其高频率带宽和低总谐波失真充分满足频率域与 FET 分析的需求。
OPA653 与 OPA659 的主要特性与优势
业界最佳的压摆率与低失真可提高时间域和脉冲型应用的信号完整性：
o OPA653 是一款具有 2675
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TI 运算放大器 JFET
随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
日产汽车开发出了采用SiC二极管的汽车逆变器。日产已经把该逆变器配备在该公司的燃料电池车“X-TRAIL FCV”上，并开始行驶实验。通过把二极管材料由原来的Si变更为SiC，今后有望实现逆变器的小型轻量化、提高可靠性。对于电动汽车而言，逆变器的大小一直是布局的制约因素之一。
SiC元件作为具有优异特性的新一代功率半导体备受瞩目。SiC的绝缘破坏电场比Si大1位数左右，理论上SiC导通电阻可比Si减小2位数以上。原因是导通电阻与绝缘破坏电场3次方成反比。导通电阻小，因此可
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二极管 SiC 汽车 逆变器 日产
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积缩小到病人可接受的程度还是一个不小的挑战。本文介绍采用IMEC的SiC技术，它的开发重点是进一步缩小集成后的EEG系统体积以及将低功耗处理技术、无线通信技术和能量提取技术整合起来，在已有系统上增加一个带太阳能电池和能量存储电路的额外堆叠层，这样就能构成一套完全独立的生物电信号采集方案。
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SiC EEG 生物电信号采集 IMEC
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