未来，AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力，电力传输系统是算力提升的关键约束，AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构，并在往SST（固态变压器）的最终形态转变。而宽禁带半导体（SiC和GaN）在这些高压电力转换过程中可以充分发挥其高压高频高速的材料和器件特性。作为全球功率半导体标杆企业，罗姆半导体是如何应对这场功率变革的呢？近日，EEPW电子产品世界的记者采访了罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦。罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理&nbs
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AI算力电源
罗姆
ROHM
SiC模块
数据中心供电
SiC MOSFET
GaN HEMT
安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。资源和产品Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，比单独评估的速度提升10倍。用户指南用户指南讲解如何高效利用Elite Pairing Studio快速
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安森美
SiC
MOSFET
驱动器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET“RS4P063BPHZG”。 近年来，随着汽车电子化的发展，要求车载系统能够满足高电压和高电流的需求。尤其是在安全功能和保护电路中，异常或紧急状态下会产生瞬时高功率负载，因此用来驱动的MOSFET需要具备更宽的SOA范围。迄今为止，ROHM面向AI服务器和工业设备电源，已经推出了以Wide-SOA为特色的产品系列，并已被全球云平台企业选为推荐器件，积累了丰富的实际应用业绩。此次，
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ROHM
MOSFET
保护电路
车载系统
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区别，以及失效模式。动态雪崩测试（UIS）原理电路布线电感、器件封装电感、负载电感等电感，是触发 SiC MOSF
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SiC
MOSFET
UIS
非钳位感性开关
中国上海，2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大，数据中心的功耗需求不断增加；同时，通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化（高功率密度）和低电磁干扰（EMI）方面的要求。由于功率损耗会直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷，因此有必要
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东芝
数据中心
MOSFET
开关电源
工业设备
碳化硅（SiC）凭借低导通电阻、高导热、高耐压、快开关速度等特性，已广泛应用于光伏风电逆变器、储能系统、固态变压器等电力设备，适配电网、AI数据中心、快充等高压大功率场景。随着电力系统功率密度持续提升，SiC器件工作电压与运行温度不断提高，高压绝缘与高密度散热成为行业核心技术难题。针对这一痛点，纳微半导体推出全新UHV-TO-247-4-ISO高压隔离封装，专为1200V至3300V高压SiC MOSFET设计，在分立器件小巧体积的基础上，实现模块级的电气与散热性能。 纳微UHV-TO-247-
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封装技术
MOSFET
SiC
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出600V耐压超级结MOSFET新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 × 2.3mm）两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的
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ROHM
MOSFET
电源
Diodes 公司（Diodes）（NASDAQ：DIOD）推出 DML1012ALDSQ，扩展其创新型负载开关产品组合。该器件是一款符合汽车行业标准规范的低漏源导通电阻（RDS（ON））N沟道MOSFET智能负载开关，适用于汽车应用中的可靠电源时序控制与电源轨控制，包括高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息娱乐系统及仪表显示系统。该智能负载开关的输入电压范围为 0.8V 至 4V，可用于多个子系统电源轨领域。其超低 8mΩ（最大值）RDS（ON） 可将导通损
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Diodes
汽车
MOSFET
ADAS
罗姆半导体（ROHM）全新研发 TSC3PAK 封装，这是一款适配碳化硅（SiC）MOSFET 的顶部散热封装，面向新能源车、工业设备高压电能变换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 mm，既支持自动化贴装工艺，散热能力又可媲美 TO-247-4L 等传统插针式封装。随着碳化硅器件的应用场景从牵引逆变器拓展至车载充电机、电动压缩机、服务器电源、光伏逆变器等设备，封装方案已然成为核心设计考量点。支持自动化组装的顶部散热架构大功率场景传统碳化硅 MOSFET 普遍采用插针式封装，虽然散
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罗姆
碳化硅
MOSFET
顶部散热
绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。 英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等应用做了专属优化 与上一代产品OptiMOS™ 5相比，全
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英飞凌
OptiMOS 8
MOSFET
电机驱动
·英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展·固态断路器是一种基于半导体技术的快速响应电子装置，可在短路或过载时保护电路和组件免受损坏·英飞凌碳化硅功率模块有效提升西门子断路器的效率、功率密度和可靠性全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与西门子股份公司（以下简称西门子）开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅（
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英飞凌
西门子
SiC
碳化硅
CoolSiC
MOSFET
固态断路器
直流配电
储能
AI数据中心
在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，尤其适用于对热效应高度敏感的精细结构和新型材料器件。此外，脉冲测试不仅有助于降低早期封装和散热设计带来的测试成本，还
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脉冲
测试
MOSFET
202605
泰克科技
总部位于东京的三菱电机株式会社将于 6 月下旬分批送出两款全新第五代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）裸片样品。新款 SiC MOSFET 面向纯电动汽车（EV）、插电混动汽车（PHEV）及各类电气化车型（xEV）的驱动电机逆变器、集成电驱动桥 eAxle（电机 + 逆变器 + 减速器一体化总成）开发。产品采用三菱电机自研沟槽结构，在额定电压一致、阈值电压经过调校的前提下，导通电阻相较现有第四代沟槽 SiC MOSFET 产品降幅约 25%，达到业内领先的低阻水平。该系列产品已于
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三菱电机
第五代
沟槽型碳化硅
MOSFET
去年闻泰科技与安世半导体（Nexperia）荷兰总部的控制权风波震动行业，如今安世半导体中国区表示，其独立运营体系建设已取得重大进展。闻泰科技董事长Ruby Yang于 5 月 29 日宣布，安世半导体中国区独立运营体系已基本搭建完成。安世半导体中国区的核心管理、研发及市场团队已全部本土化。报道称，公司产能与交付能力稳步回升，同时持续构建覆盖晶圆制造、封测、质控的 “中国服务中国、中国服务全球” 全栈式供应链。此番表态之际，闻泰科技正面临多重压力。公司于 4 月 29 日公告，审计机构对其 2025 年财
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安世半导体
MOSFET
逻辑芯片
中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼（Wettable Fla
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ROHM
48V
MOSFET
AG16xFNxx
电子技术快速迭代，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）选型是高效电源系统设计的关键。随着功率应用要求不断提升，工程师需综合考量多项参数，确保器件性能最优。本文聚焦 MOSFET 选型核心要点，详解器件规格、数据手册解读与电路设计适配方案。据预测，2026 年全球半导体市场规模将达 5952 亿美元，精准把握 MOSFET 选型细节至关重要。技术概述MOSFET 是现代电子设备核心器件，可作电子开关或放大器，凭借高效率、高速度、大功率承载能力，成为电力电子领域的核心元件。其工作原理为：通过栅极电压控
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功率应用
MOSFET
选型
电力电子技术飞速发展，绝缘栅双极晶体管（IGBT）与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是核心功率器件。二者广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统等领域。工程师若要优化电路设计，必须深入理解二者技术参数与性能差异。据半导体行业协会预测，2026 年全球半导体市场规模将增至 5952 亿美元，IGBT 与 MOSFET 的选型决策愈发关键。技术原理对比IGBT 与 MOSFET 功能相近，但工作原理截然不同：IGBT：融合双极晶体管高压特性与 MOSFET 高速开关优势，高压大功率场景首选，适用于逆
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IGBT
MOSFET
安世半导体（Nexperia）将在美国代工厂Polar 半导体生产功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。Polar 半导体位于美国明尼苏达州，其晶圆厂始建于 1969 年，在功率工艺领域拥有丰富经验。该公司拥有60 余年半导体制造历史、25 余年汽车电子生产经验，通过 IATF 16949 汽车行业质量体系认证，坚持零缺陷制造标准。根据合作协议，安世半导体将开发全系列功率 MOSFET 产品，覆盖多种电压等级与封装类型，满足各类电力电子应用需求。安世半导体总经理弗雷德里克・厄伯格（Fredr
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安世半导体
Polar
半导体
MOSFET
晶圆厂
设计挑战继电器是住宅温控器中故障率最高的组件。机械继电器会磨损、产生可闻噪声、产生电磁干扰，并占用宝贵的 PCB 面积。对于设计下一代智能温控器的工程团队而言，这些限制直接影响产品寿命、认证周期和现场故障率。 芯片式固态继电器在元件层面解决了这些问题。本文以 MPS MP9566为参考，对机械继电器与固态继电器进行了详细的技术比较，并量化了与温控器硬件设计相关的优势。 图1: 继电器在温控器中的应用（示例）机械继电器在温控器应用中的局限性• 触点磨损与有限寿命 机械继电器触点在每次开关
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固态继电器
机械继电器
MP9566
MOSFET
电容隔离
温控器
EMI
PWM
QFN
中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开
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东芝
1200V
沟槽栅
SiC
MOSFET
AI数据中心
中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境
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罗姆
SiC
MOSFET
AI服务器
电池备份单元
01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET图2. 平面栅型MOSFETN+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。P-body区：P型阱区，通过离子注入形成。其上方是源极的N+区。栅极(Gate)：在SiO2绝缘层（栅氧）之上，用于控制沟道导通。源极
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SiC MOSFET
二极管
据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC MOSFET在电动汽车（xEV）牵引逆变器等高温环境下表现出色，能够有效缩小单元体积并提升输出功率。同时，该芯片还非常适合用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源系统，展现了其在高性能应用场景中的潜力。
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第5代碳化硅
MOSFET
来源：万高半导体（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）万高半导体（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是该公司基于 MOS E2 平台实现量产的首款器件。该平台及其衍生产品旨在满足大功率开关电源（SMPS）与逆变系统的应用需求，可为服务器、工作站、通信整流器、光伏逆变器、电机驱动及工业电源系统等广泛场景带来更高效率、更高功率密度、更低整体系统成本与更强的可靠性。该器件适用于图腾柱功率因数校正（PFC）、LLC 谐振变换器、相移全桥（P
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MOSFET
太阳能逆变器
电动车
单频电源
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点:1.并联芯片参数尽可能一致2.功率回路、驱动回路与散热结构布局一致3.门极驱动电路的优化设计作为高速开关器件,SiC MOSFE
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SiC MOSFET
并联设计
对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及,和未来智能电网的电力潮流双向流动,让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW级机架演进,传统数据中心供电架构已经不堪重负,难以承载极端功率密度与能效要求。智算中心正从“算力堆砌”迈入“算电协同”的关键阶段。在这一背景下,SST
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沟槽栅
SiC MOSFET
SST高频高压
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。1、利用 SiC CJFET替代
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碳化硅
SiC CJFET，MOSFET
引言电力电子领域正在飞速发展，MOSFET 晶体管始终处于创新前沿。随着 2026 年临近，这类器件在消费电子、工业系统等众多应用中变得愈发不可或缺。2026 年全球半导体产业规模预计达到 5952 亿美元，正反映出这一增长趋势。在高效电源转换与管理方案需求持续攀升的背景下，掌握 MOSFET 技术的最新趋势与参数规格，对工程师和设计人员至关重要。本文深入解析 MOSFET 晶体管的关键参数、设计要点与应用场景，展望其在未来电力电子领域的核心作用。技术概述MOSFET（金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管）是
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MOSFET
晶体管
引言在飞速发展的电子设计领域，选用合适的元器件对优化性能、效率与可靠性至关重要。** 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与金属
- 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）**
是工程师在电力电子应用中经常选用的两类核心器件。深入理解二者的差异、参数特性与适用场景，将显著提升设计方案的整体效率。随着全球半导体市场持续增长，预计到
2026 年市场规模将达到 5952 亿美元，对优化电子设计的需求也变得前所未有的迫切。本文将基于数据对 IGBT 与 MOSFET
展开对比，为你的电子项目决
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MOSFET
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