电力电子产品的销售额预计将在这十年及以后飙升。推动这一趋势的是电动汽车产量的增加和数据中心的增长，由于人工智能的采用，数据中心的电力需求更加苛刻。对于使用电力电子的每种应用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行驶里程、减少电费、减少供暖和减少碳足迹。由于卓越的效率带来的这些优势，基于宽禁带半导体的器件越来越多地被采用。到目前为止，基于 SiC 的 MOSFET 创造了最多的收入，其中 MOSFET 因赢得电动汽车部署而成为头条新闻。然而，尽管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它们包括
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p-GaN 屏蔽 开关速度
Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市场预计将达到 30 亿美元，2024 年至 2030 年复合年增长率为 42%。消费电子产品是领先的采用者，功率氮化镓继续在快速充电器领域占据主导地位。尽管与 xEV 市场放缓相关的短期延迟，但汽车和移动出行领域正在出现新兴势头。预计 2024 年至 2030 年间，xEV GaN 需求将以 73% 的复合年增长率增长。 数据中心正在加速氮化镓的发展，因为它们对高效电力系统的需求，而氮化镓正在成为关键的推动者。与电信一起，数据中心在
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Yole GaN 复合年增长率
意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集成线性稳压器，为上下桥臂提供6V栅极驱动信号，拉电流和灌电流路径采用分开独立设计，可以灵活控制GaN 的开通和关断。STDRIVEG210 主打功率变换应用，例如，服务器电源、电池充电器、电源适配器、太阳能微型逆变器和功率优化器、LED灯具、USB-C电源。谐振和硬开关两种拓扑均适用，300ns启动时
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意法半导体 半桥栅极驱动器 GaN
近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗。在相同条件下，并联MOSFET并不能节省空间或提升效率，因此GaN FET成为一种颇具吸引力的技术。业界对GaN器件性能表现的关注，相应地催生了对各种GaN器件进行准确仿真以优化应用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，针对GaN FET驱动进行了优化。借助
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据相关报道，随着NVIDIA宣布AI服务器进入800V高电压供电时代，功率半导体领域迎来了新的技术竞争。氮化镓（GaN）作为宽能隙半导体的重要代表，正成为市场关注的核心。近年来，多家企业积极投入GaN技术的研发，使其应用范围从传统的消费性市场逐步拓展到高电压场景。尽管GaN目前在快速充电领域仍占据主导地位，但其在车用功率模块和AI服务器中的表现也日益受到重视。部分厂商甚至已开发出适用于1,000V以上环境的GaN技术，展现出广阔的应用前景。欧系厂商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于与传统矽材料整合，这
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GaN AI服务器 电源芯片
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit)，其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向8
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Imec 启动了一项新的开放式创新计划，专注于用于低压和高压电力电子的 300mm GaN 技术。该计划旨在提高氮化镓器件性能，同时降低制造成本，标志着功率半导体行业向前迈出了重要一步。对于eeNews Europe的读者来说，尤其是电力电子、半导体和代工生态系统的读者，这一发展凸显了向300毫米氮化镓晶圆加工的关键转变，这可能会加速氮化镓在汽车、数据中心和可再生能源应用中的采用。将氮化镓扩展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 计划是 imec GaN
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Imec 300mm GaN 下一代功率器件
2025年9月29日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成氮化镓（GaN）相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀，提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案，进一步提升系统功率密度。三方还将协同推动相关解决方案的产业化落地，助力新能源汽车产业的可持续发展与价值提升。签约仪式现场合影见证代表：图中：联合电子副总经理 郭晓
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摘要微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1 所示。图 1：微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），
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电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳步增长。增长动力：市场的积极势头源于相互关联的现象：清洁能源势在必行随着世界试图实现碳中和，包括太阳能光伏和风电场在内的可再生能源系统将成为主流。因此，电力电子设备被用于这些系统，以实现高效的能源转换、电网集成和实时管理。交通电气化随着电动汽车和混合动力汽车不再被视为小众市场，现在对高性能
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_____动态导通电阻（RDS(on)）是电源转换器设计人员理解电荷俘获效应影响的重要参数。然而，关于其测量技术的知识体系仍相对较新。传统的动态RDS(on)测量技术依赖于二极管钳位电路，使示波器能够以足够的分辨率测量漏源电压，而不会使示波器输入过载。泰克为4、5和6系列MSO示波器推出的宽禁带双脉冲测试（WBG-DPT）测量软件引入了一种新的软件钳位方法，采用独特的双探头技术，无需使用钳位电路。测量动态RDS(on)的挑战动态RDS(on)是指FET在开关过程中导通时，漏极与源极端子之间的平均电阻。漏源
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GaN 是近日半导体市场的热点词汇之一。
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GaN
1.简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。图1-1 微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC..230VAC)。功率级别过去通常在 300-400W 之间，但最近也出现了每个输入功率高达 600W 以及多输入系统的实施。微型逆变器传
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与传统硅芯片相比，单片集成 GaN 功率 IC 具有显着优势，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特别之处在于其天然特性，例如更高的临界电场、更低的导通电阻和更小的寄生电容。半导体工程师现在正在采用一种称为单片集成的智能方法，该方法涉及将所有电路组件构建在单个芯片上，而不是连接单独的部件。工程师通常在称为硅基氮化镓或 SOI 基氮化镓晶圆的专用平台上构建这些系统，这些平台是构建在其之上的其他一切的基础。图 1.GaN功率IC的单片集成方法：（a）从供体晶圆到最终金属栅极形成的完整
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GaN 功率IC 功率密度
几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓 （GaN） 功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、空间和功耗节省。然而，尽管具有所有功率处理特性，但基于氮化镓的横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 一直在努力进入千瓦级功率设计。瑞萨电子正试图通过其最新的高压氮化镓功率 FET 来改变这一现状，该 FET 专为要求苛刻的系统而设计，从数据中心的 AI 服务器电源和不间断电源 （
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