作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面，因此它们具有更好的迁移率水平，包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来，理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
继早前推出的100 V、35 A功率级IC（EPC23102）之后，EPC公司新推两款新型100V功率级IC，其额定电流分别为15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。这三款集成电路能够承受100 V的最大电压和集成了GaN半桥功率级，内含采用半桥配置的对称FET、半桥驱动器、电平转换器、自举充电和输入逻辑接口。这三款器件采用热增强型QFN封装，尺寸仅为3.5 mm x 5 mm，顶部裸露以实现双面冷却和可润湿侧面。其封装兼容的特性使客户的设计得以升级，从而实现更高的性能或更低的成本而无需修
传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因-传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。GaN FET为第三代功率半导体技术，其改善开关切换的延迟时间。纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家的氮化镓（ GaN ）功率芯片公司。所谓的氮化镓功率芯片，其中 GaN 驱动器、GaN FET 和 GaN 逻辑单元的单片集成，并全部采用 650V GaN 工艺，从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。该方案采用NV6115 与 NV6117 氮化镓
随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%，预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化，GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露，这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益，它们已经进行了早期部署，并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级，并具备高载流能力，因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
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