2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
2022年9月20日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案的展示板图 以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具，然而随着这些设备所覆盖的功能越来越多，设备有限的续航能力已经无法满足用户对
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大联大友尚 onsemi GaN System PD快充电源
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
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德州仪器 GaN 功率密度
虽然增加可再生能源是全球的大趋势，但这还不够，能源效率是另一个重点领域，这是因为服务器及其冷却系统对能源消耗，占据了数据中心将近40%的运营成本。GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。数字化和云端服务的快速建置推动了全球数据服务器的产业规模的成长。今天，数据服务器消耗了全球近1%的电力，这个数字预计会不断的成长下去。次世代的产业趋势，例如虚拟世界、增强实境和虚拟现实，所消耗大量电力将远超现今地球上所能
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GaN 数据服务器 效率
前言：在后疫情时代，物流行业已经发展到了一个新的阶段。伴随着“直播”“电商”行业的崛起，线上购买并快递至家成为了生活中不可或缺的购物模式。与此同时，依托于智慧物流的蓬勃发展，一只包裹从寄出到收货，看似简单，实则历经了一系列“奇幻”的旅程。 智慧物流-包裹“漂流记”智慧物流是指通过智能硬件、物联网、大数据等智慧化技术与手段，提高物流系统分析决策和智能执行的能力，提升整个物流系统的智能化、自动化水平。与传统物流方式不同，智慧物流的生产者、供应者、消费者均可获得包装、仓储、运输、配送的全流程及各时段的
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机器视觉 物流分拣系统 研华 EPC-B2205 嵌入式工控机
在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发展到第二代的砷化镓后，正式开启了第三代宽禁带技术如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用之门。SiC的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品，采用SiC材料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。同样，GaN也有着许多出色的性能，它的带隙为3.2eV，几乎比硅的1.1eV带
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贸泽电子 GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能 , 是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN
的开关速度比 SiC 快，SiC 工作电压比 GaN 更高。GaN
的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的 DC-DC（直流 - 直流）转换电路、OBC（车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大
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202207 东芝 共源共栅 GaN
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。TP65H050G4BS通过了J
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Transphorm GaN
受访人：黄文源 东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部技术企划部高级经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 回答：自从半导体产品面世以来，硅一直是半导体世界的代名词。但是，近些年，随着化合物半导体的出现，这种情况正在被逐渐改变。通常，半导体业界将硅（Si）作为第一代半导体的代表，将砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)作为第二代半导体的
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东芝 GaN 级联共源共栅
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
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TI 第三代半导体 GaN SiC
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上，GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同，比如“这是否通过了鉴定？”尽管GaN器件也通过了硅鉴定，但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点，因
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GaN FET 电源 可靠性
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两
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贸泽电子 GaN 半桥双极驱动开关
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