领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
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OBC GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性，同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
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GaN 功率放大器
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车
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Nexperia GaN EV逆变器
小米集团和纳微（Navitas）宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。
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小米 GaN 纳微半导体
EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。近日，宜普电源转换公司（EPC）宣布推出15 V、28 A大电流脉冲激光二极管驱动电路板（EPC9144）。在飞行时间（ToF）系统，对侦测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转
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EPC ToF
宜普电源转换公司（EPC）将在2020年1月7日至10日，于美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展（CES 2020）为工程师展示eGaN技术的庞大潜力，它可以推动多种消费电子应用的发展，从而改变市场的游戏规则，包括全自动驾驶汽车、机器人、无人机、无线电源、世界第一流的音频系统及车载解决方案。于CES 2020 展览，欢迎莅临Venetian酒店内的EPC演示套房，与氮化镓专家一起参观、学习及讨论氮化镓技术如何推动改变世界的创新设计的发展。无线电源在家居的应用：EPC将展示在家居使用的无线充电桌面同时对多个消
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eGaN EPC
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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Cree 射频 GaN on SiC磊晶技术
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管（FET），因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场增长了3到6倍（见图1）。图1：从有刷拓扑转换到无刷拓扑意味着FET数量出现了6倍倍增但BLDC设计在这些FET上提出了新的技术要求。例如，若电路板上FET的数量6倍倍增
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FET BLDC
宜普电源转换公司（EPC）宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过9年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心计算机的48 V–12 V DC/DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新器件已经通过严格的AEC Q101测试认证，随后会推出更多面向严峻的车用环境的分立晶体管及集成
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EPC eGaN 80 V的EPC2214
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并
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德州仪器 600V氮化镓（GaN）功率器件
MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI)
(以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm
硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。 随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置，射频RF功率产品需求预计
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MACOM GaN
宜普电源转换公司(EPC)发布第十阶段可靠性测试报告，成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准，不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障，也同时要求在应力测试中，具有低漂移。请注意，EPC所采用的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)也符合所有针对传统封装的测试标准，展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。 第十阶段可靠性测试报告探讨了超越AEC-Q101认证要求的可靠性测试，从而深入了解可导致器件发生故障的各
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全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM)
领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、
两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
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