宜普电源转换公司（EPC）宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过9年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心计算机的48 V–12 V DC/DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新器件已经通过严格的AEC Q101测试认证，随后会推出更多面向严峻的车用环境的分立晶体管及集成
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EPC eGaN 80 V的EPC2214
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并
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德州仪器 600V氮化镓（GaN）功率器件
MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI)
(以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm
硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。 随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置，射频RF功率产品需求预计
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MACOM GaN
宜普电源转换公司(EPC)发布第十阶段可靠性测试报告，成功通过车规级AEC-Q101应力测试认证。AEC-Q101认证要求功率场效应晶体管符合最高的可靠性标准，不仅仅要求器件符合数据表内所载的条件而没有发生故障，也同时要求在应力测试中，具有低漂移。请注意，EPC所采用的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)也符合所有针对传统封装的测试标准，展示出该封装具备卓越性能之同时没有影响到器件的稳固性或可靠性。 第十阶段可靠性测试报告探讨了超越AEC-Q101认证要求的可靠性测试，从而深入了解可导致器件发生故障的各
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EPC eGaN
全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM)
领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、
两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
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MACOM GaN
目前，氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高，但它也有其他用例。自推出以来，GaN的发展历程令人瞩目，随着5G时代的到来，它可能会更加引人关注。
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GaN RF
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，从目前的材料工艺角度来看，主要针对5G的Sub-6GHz范围。以PA为例，许多业内人士认为，GaN技术的运用将能为PA带来高效低功耗的优势。
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射频 GaN
今年整个产业在技术上也是节节攀升，2018年可以说是产业高速发展的一年，全球电子产业也产生了众多技术突破。
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芯片，GaN
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。 然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。 实际上，氧化镓并不是很新的技术，多年前就
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半导体 SiC GaN
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting，缩写：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
移动应用、基础设施与航空航天应用RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)凭借行业首款 28 Ghz 氮化镓 (GaN)
前端模块 (FEM) --- QPF4001 FEM，扩大了其 5G 业务范围。在基站设备制造商涉足 5G 之后，这款新 FEM
可以帮助他们降低总体系统成本。 据 SNS Telecom & IT 介绍，28 GHz 频段是早期基于 5G 的固定无线接入 (FWA) 部署的首选频段，使运营商能够满足
5G 对速度、延迟、可靠性和容量的
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QORVO GAN
作为为支持DC/DC、激光雷达(LiDAR)、无线电源应用等方面不断扩大的客户群进行扩展的一部分，宜普电源转换公司(EPC)扩大了其在亚洲的团队，增加的新成员将与整个亚太地区21个地区的客户保持密切关系。 为了支持在亚太地区正在加速的销售增长，宜普电源转换公司(EPC)宣布扩大亚太地区的销售和FAE团队，以支持其不断扩大的客户群，积极获取全新的业务发展及抓住全新的市场商机。 EPC亚太区销售副总裁Darren
Shang拥有20多年跨国功率半导体公司销售及业务发展的丰富经验。他在EPC的主要职
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EPC DC/DC LiDAR
在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。 我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中，进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是，话题始终围绕着热量，当然不是要生热取暖，而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致，但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨过程中，我们盘点了一系列在高压环境中失败的设备。 在那个雪花漫天飞舞的日子里，我们聚焦于选择新方法和拓扑，以寻求获得更高的效率和密度，当然也要找到改进健全性的途径。一位高级研究员帮助总
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德州仪器 GaN
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。 硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸规格下，硅材料无法在所需的频率下输出更高的功率。而对于即将推出的5G无线网络，以及未来的机器人、可再生能源直至数据中心技术，功率都是一个至关重要的因素。 “工程师现在处于一个非常尴尬的境地，一方面他们无法在现有空间内继续提高功率，但同时又不希望增大设备所需的空间，”德州仪器产品经理Masoud Behe
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GaN，机器人
当今的半导体行业正在经历翻天覆地的变化，这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前，业内有许多家射频公司，它们多半活跃于相同的市场，如今这种局面已被全新的市场格局所取代 - 有多个新兴市场出现，多家硅谷公司与传统芯片制造商进行重大兼并和收购。究竟有哪些因素推动着市场格局不断变化? 哪些因素在推动变革? 半导体行业格局的变化从根本上由两个要求驱动：对无所不在的传感和连接的需求。无论人们身处世界的哪个位置，无论在家中还是在工作场所，都希望能够安全、有效地与他人沟通交流。市场不再仅仅满足蜂窝手
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射频半导体 GaN
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