使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
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FET 双极性晶体管 缓冲电路 宽带
如何保护你的系统不受反向电流的影响- 在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；从输出到输入。幸运的是，有很多方法可以保护你的系统不受反向电流的影响。这是反向电流保护系列博文的第一篇文章，在这篇文章中，你将能够对现有解决方案有高层次的总体认识和了解。
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FET TPS22963 德州仪器 反向电流
揭开电池管理系统的神秘面纱-现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色，电池技术进步推动了这一进展，并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来，电池效率（输出功率/尺寸比）和重量均出现大幅改善。试想一下汽车电池得多庞大和笨重，其主要用途是启动汽车。随着技术的最新进展，你可以改用锂离子电池来迅速启动汽车，其重量只有几磅，尺寸也就人手那么大。
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电池管理系统 FET FET驱动器
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
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GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC(宜普电源转换公司)签约合作，作为EPC中国区代理，销售其全线产品。 据悉，EPC(宜普电源转换公司)为首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司，其目标应用包括直流-直流转换器、无线充电，自动驾驶、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等，GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。 通过增强型氮化镓技术，不仅可以提高电源效率，还可以
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世强 EPC
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
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MOCVD GaN
宜普电源转换公司(EPC)宣布张文宾(Roy Chang)加人管理团队，担任大中华及东南亚区销售副总裁职位，支持亚太区业务高速增长。张先生在计算机及半导体行业拥有超过20年的研发、技术销售和市场营销的经验。他的主要职责是制定及执行销售策略以达到公司在大中华及东南亚区的销售目标。张先生的主要工作地点为台湾台北市。 张先生在加入宜普公司之前为Transphorm公司的台湾销售副总裁。之前，他在Acer及德州仪器担任研发、技术销售、销售及市场营销等管理职位。 EPC全球销售及市场营销高级副总裁
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EPC 宜普电源
宜普电源转换公司(EPC)是硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商，基于eGaN®FET与集成电路的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器，而在接收端无论是采用什么标准，也可以实现无线充电。 我们诚挚邀请工程师莅临中国上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11时在上海世博展览馆B2层2号会议室举行的PCIM Asia 2017研讨会(电力转换与智能运动研讨会)。届时EPC公司的应用工程副总裁Michael de Rooij博士将分享在高
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EPC eGaN
随着无线通信的带宽、用户数目以及地理覆盖范围扩展，基地台收发器的功率放大器(PA) 部份对于更高效率的需求也不断成长。无线功率放大器所消耗的功率超过了基地台运作所需功率的一半。透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好 处是降低运营成本；同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
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GaN SiC 第三代半导体材料
与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。 与晶体管放大电路的接地方式相同，结型FET放大电路也有多种接地方式。 最一般的源极接地电路和自偏置电路 n沟道FET的例子如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图完全相反。 FET源极接地电路的功能，与晶体管的共射放大电路一样。由于结型FET的正常工作，要求栅极和源极间的电压VGS为
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FET 放大电路
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